34納米文章進(jìn)入34納米技術(shù)社區(qū)

飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線，一個(gè)原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。　　這款SSD具體型號(hào)RealSSD C300，2.5寸外形設(shè)計(jì)，包含128和256GB兩種型號(hào)，讀取速度高達(dá)355MB/s,寫入速度達(dá)215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預(yù)計(jì)將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價(jià)大約450美元。　　
關(guān)鍵字：鎂光 34納米 NAND SSD

美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品

　　美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結(jié)合，生產(chǎn)出了市場(chǎng)上最先進(jìn)的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機(jī)、個(gè)人媒體播放器和新興的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備為應(yīng)用目標(biāo)。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應(yīng)用的核心特色。　　美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
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三星看好PCM內(nèi)存潛力有望取代NAND和NOR閃存

　　三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢(shì)可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動(dòng)存儲(chǔ)形式. 　　多年來,半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗(yàn)階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會(huì)發(fā)生改變,晶體的變化對(duì)應(yīng)計(jì)算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ). 　　一直以來,包括英特爾和英飛凌在內(nèi)的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們?cè)噲D將這種存儲(chǔ)器的體積減小,增存儲(chǔ)加速度與容量.支持PCM的人士認(rèn)為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存. 　　三星半導(dǎo)體
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英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

　　英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲(chǔ)容量為每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特。這個(gè)存儲(chǔ)密度高于目前標(biāo)準(zhǔn)的每個(gè)存儲(chǔ)單元2比特的技術(shù)，從而將實(shí)現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。　　美光NAND閃存營銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說，雖然在一個(gè)存儲(chǔ)單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度，但是，這種做法沒有基于更標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個(gè)儲(chǔ)存單元3比特的芯片最初將僅限于應(yīng)用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性。固
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海力士41納米通過認(rèn)證　切入蘋果供應(yīng)鏈

　　海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運(yùn)多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應(yīng)鏈，獲得認(rèn)證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 　　海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當(dāng)少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤，導(dǎo)致虧損
關(guān)鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米存儲(chǔ)器

英特爾推出業(yè)內(nèi)首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤

　　英特爾公司已經(jīng)開始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設(shè)計(jì)，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價(jià)格(與一年前推出產(chǎn)品時(shí)的價(jià)格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費(fèi)者帶來實(shí)惠。　　多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)，有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。SSD是電腦中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備。由于SSD不包括任何移動(dòng)部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
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英特爾、美光NAND Flash殺價(jià)大反攻　三星買氣清淡

　　隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程N(yùn)AND Flash產(chǎn)品，應(yīng)戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術(shù)領(lǐng)先，近期英特爾和美光在價(jià)格策略上，更是上演絕地大反攻計(jì)畫，以超低價(jià)策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價(jià)格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價(jià)差相當(dāng)驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產(chǎn)品詢問度大增，三星在現(xiàn)貨市場(chǎng)活絡(luò)度則降低。　　英特爾
關(guān)鍵字： Intel 34納米 NAND 42納米

全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲(chǔ)器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續(xù)因市場(chǎng)需求疲軟而下降。　　原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲(chǔ)器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開始利潤(rùn)有所好轉(zhuǎn)。　　由于供應(yīng)商擔(dān)心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導(dǎo)致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價(jià)格趨勢(shì)在零售價(jià)基礎(chǔ)上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價(jià)
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傳英特爾推320GB固態(tài)硬盤采用34納米閃存芯片

　　有傳言稱英特爾將于兩周后推新款固態(tài)硬盤。　　據(jù)消息人士稱，新款固態(tài)硬盤將使用由英特爾和美光聯(lián)合開發(fā)的34納米NAND閃存芯片，容量高達(dá)320GB。工藝越先進(jìn)，固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)密度越高，成本越低。固態(tài)硬盤將能夠取代大多數(shù)筆記本電腦中的傳統(tǒng)硬盤。
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Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤

　　近來謠言越來越厲，市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程N(yùn)AND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報(bào)道稱英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗(yàn)室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時(shí)間不久，其成本高，容量有限，有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程N(yùn)AND閃存推出，固態(tài)硬盤的價(jià)格將大大降低，容量也將達(dá)到320GB左右。　　固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
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