3d內(nèi)存 文章 進(jìn)入3d內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

美光3D內(nèi)存封裝標(biāo)準(zhǔn)“3DS” 或成DDR4基石

• 　　美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。美光將此標(biāo)準(zhǔn)提案稱為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。 　　美光計劃使用特殊設(shè)計的主從DRAM芯片(die)，其中只有主die才與外界內(nèi)存控制器發(fā)生聯(lián)系，從die只是輔助芯片，同時還會用上優(yōu)化的DRAM die、每堆棧單個DLL、減少主動邏輯電路、共享的單個外部I/O
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