3d環(huán)繞閘極 文章 進(jìn)入3d環(huán)繞閘極技術(shù)社區(qū)

應(yīng)用材料推出運(yùn)用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)

• 半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，協(xié)助客戶運(yùn)用極紫外光（EUV）持續(xù)進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過兩個(gè)可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
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