3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

集成電路發(fā)展哲理

　　半導(dǎo)體技術(shù)極其豐富多彩，身陷其景，會(huì)有“不識(shí)廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細(xì)微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領(lǐng)悟到一些哲理。　　本演講根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)“由簡(jiǎn)入繁”、又“化繁為簡(jiǎn)”的螺旋式發(fā)展史事，探討主流半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展哲理，供大家參考討論。　　發(fā)展歷程　　根據(jù)IC Knowledge 的歸納[1]，可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個(gè)階段：
關(guān)鍵字：集成電路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907

英特爾美光及三星開始NAND縮微大賽

　　全球NAND閃存的尺寸縮小競(jìng)賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭(zhēng)得NAND縮小的領(lǐng)導(dǎo)地位而互相較勁。但是實(shí)際上在目前存儲(chǔ)器下降周期時(shí)尺寸縮小競(jìng)賽并無實(shí)際的意義。　　按分析師報(bào)告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計(jì)劃利用每單元3位技術(shù)于今年第四季度開始量產(chǎn)。　　在DRAM領(lǐng)域,三星一直是技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,目前已作出46nm DRAM樣品。　　究竟誰是NAND尺寸縮小的領(lǐng)導(dǎo)者,據(jù)今年早些時(shí)候報(bào)道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
關(guān)鍵字：三星 DRAM NAND 存儲(chǔ)器

臺(tái)灣媒體社論：政府救DRAM產(chǎn)業(yè)救到那里去了？

　　日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省日前依據(jù)“產(chǎn)業(yè)再生法”，決定透過該國(guó)政策投資銀行(DBJ)，對(duì)DRAM大廠爾必達(dá)投資300億日?qǐng)A，DBJ并將與日本民間四大銀行連手提供超過1,000億日?qǐng)A融資，協(xié)助爾必達(dá)度過難關(guān)。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣二階俊博在記者會(huì)上表示，“爾必達(dá)的經(jīng)營(yíng)若出狀況，將對(duì)日本電子產(chǎn)業(yè)造成極大影響，因此政府決定提供金援”。　　看到這則新聞，讓人不無感慨。馬英九去年12月4日曾告訴外籍記者：“臺(tái)灣DRAM廠倒了，我們的IT產(chǎn)業(yè)就糟糕了。”他
關(guān)鍵字： TMC DRAM 手機(jī)

全球DRAM及NAND零售價(jià)推動(dòng)毛利率上升

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)InSpectrum認(rèn)為,盡管降低報(bào)價(jià)但是仍很難促進(jìn)存儲(chǔ)器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價(jià)繼續(xù)因市場(chǎng)需求疲軟而下降。　　原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲(chǔ)器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價(jià)開始利潤(rùn)有所好轉(zhuǎn)。　　由于供應(yīng)商擔(dān)心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿(mào)易中間商為了促銷給出更大的折扣,導(dǎo)致同樣在零售市場(chǎng)也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價(jià)格趨勢(shì)在零售價(jià)基礎(chǔ)上有點(diǎn)小的波動(dòng)。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價(jià)
關(guān)鍵字：英特爾 DRAM NAND 34納米

錢是英雄膽——DRAM王道

　　戰(zhàn)國(guó)時(shí)代群雄割據(jù)，秦始皇一統(tǒng)天下，成就了后來的西漢盛世。如今的臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)，也面臨群雄割據(jù)與經(jīng)營(yíng)艱辛的困境，到了需要有人出面主導(dǎo)整合再造的時(shí)機(jī)，因此像臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)這種角色的存在，確有其必要性。　　然而，當(dāng)前DRAM業(yè)若要整合，并非光比誰的技術(shù)強(qiáng)，最重要的還是錢，尤其在價(jià)格萎靡不振，各廠都面臨資金龐大壓力時(shí)，「錢是英雄膽」才是王道哲學(xué)。　　就目前臺(tái)灣兩大DRAM陣營(yíng)來看，美光有臺(tái)塑集團(tuán)撐腰，爾必達(dá)也將陸續(xù)獲得日方巨額金援，各有其利基之處，兩強(qiáng)之間的爭(zhēng)霸，勢(shì)必還有一番廝殺。TMC出面
關(guān)鍵字： TMC DRAM 內(nèi)存

恒憶與三星合作的生意經(jīng)

　　2009年6月24日，恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發(fā)制定相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory，PCM)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格，兩大存儲(chǔ)器廠商的攜手再次印證了“商場(chǎng)上沒有永遠(yuǎn)的對(duì)手”。　　韓國(guó)三星電子稱霸存儲(chǔ)器行業(yè)已有多時(shí)，其DRAM市場(chǎng)近30%、閃存市場(chǎng)近40%的份額長(zhǎng)期無可撼動(dòng)。而恒憶作為存儲(chǔ)器行業(yè)的新寵，其正式成立距今不過一年左右的時(shí)間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM，并利
關(guān)鍵字： Numonyx PCM DRAM RAM NOR

南亞科成臺(tái)灣首家獲營(yíng)運(yùn)資金DRAM廠

　　南亞科努力進(jìn)行營(yíng)運(yùn)轉(zhuǎn)型，如期在6月底之前達(dá)成減資和增資的動(dòng)作。日前辦理10億股的私募，正式以每股私募價(jià)格新臺(tái)幣12.22元的定價(jià)，取得122.2億元的資金，認(rèn)購(gòu)人包括南亞塑料、臺(tái)灣化學(xué)纖維、臺(tái)灣塑料、臺(tái)塑石化、麥寮汽電和長(zhǎng)庚醫(yī)療財(cái)團(tuán)法人，全數(shù)由母公司相關(guān)企業(yè)力挺到底，成為臺(tái)灣第1家獲得營(yíng)運(yùn)資金的DRAM廠，南亞科表示，三廠(Fab3)要盡快轉(zhuǎn)入50奈米的堆疊式技術(shù)制程，降低成本結(jié)構(gòu)。　　臺(tái)塑集團(tuán)對(duì)外宣示不加入TMC以來，以實(shí)際行動(dòng)力挺自家DRAM廠進(jìn)行營(yíng)運(yùn)體質(zhì)強(qiáng)化運(yùn)動(dòng)，并挹注新的營(yíng)運(yùn)資金，使得旗下
關(guān)鍵字：南亞 DRAM 50納米 DDR3

力晶稱今年資本支出將遠(yuǎn)低于50億臺(tái)幣低于原預(yù)估

　　臺(tái)灣DRAM芯片制造大廠——力晶半導(dǎo)體上周五表示，今年資本支出將遠(yuǎn)低于50億臺(tái)幣，較去年10月時(shí)的預(yù)估減少一半以上。　　力晶副總經(jīng)理譚仲民在年度股東大會(huì)場(chǎng)邊向路透表示，由于制造已升級(jí)至65納米，基本上以現(xiàn)有制程生產(chǎn)即可，因此資本支出也就大幅下降。　　力晶在去年10月的投資人說明會(huì)中曾表示，今年資本支出目標(biāo)為100億臺(tái)幣。力晶自2007年第二季至今年第一季已連虧損八個(gè)季度。
關(guān)鍵字：力晶 DRAM 65納米

日本半導(dǎo)體巨頭將獲得政府和民間巨額融資

　　據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》網(wǎng)站最新消息，為了確保日本在最先進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，未來3年內(nèi)，日本政府和民間將總共為半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)(Elpida)提供2000億日元(約合21億美元)融資。　　報(bào)道說，為了幫助爾必達(dá)進(jìn)行企業(yè)重建，除了日本政策投資銀行和大型商業(yè)銀行，國(guó)際協(xié)力銀行也將提供緊急融資。此外，日本官方與民間共同組建的基金——“產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)”也將向其提供資助。　　爾必達(dá)是日本最大DRAM生產(chǎn)商。報(bào)道說，2000億日元的融資將在未來3年內(nèi)幫助
關(guān)鍵字：爾必達(dá) DRAM

半導(dǎo)體封裝技術(shù)向垂直化方向發(fā)展

3D半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展，使我們?nèi)粘Ｊ褂玫脑S多產(chǎn)品(諸如手機(jī)、個(gè)人娛樂設(shè)備和閃存驅(qū)動(dòng)器等)的形態(tài)和功能得以...
關(guān)鍵字：封裝堆疊 3D

iPhone 3GS拆解報(bào)告：博通與東芝贏得訂單

第三代蘋果iPhone的拆機(jī)分析結(jié)果顯示，部分由于采用了博通和東芝的芯片，這款手機(jī)的集成度更高，而且可能成本更低...
關(guān)鍵字： iPhone 3GS 拆解報(bào)告博通東芝 DRAM BCM432

茂德、TMC、爾必達(dá) 金三角定調(diào)

　　茂德與臺(tái)灣存儲(chǔ)器公司(TMC)、爾必達(dá)(Elpida)三角關(guān)系逐漸撥云見日，茂德將以中科12寸廠為爾必達(dá)代工標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，從65納米制程技術(shù)開始，值得注意的是，茂德與海力士(Hynix)合作關(guān)系并未結(jié)束，為此三角關(guān)系埋下伏筆。此外，茂德中科12寸廠亦將作為TMC工程開發(fā)基地，茂德將提供12寸廠機(jī)臺(tái)和人才，作為TMC開發(fā)DRAM技術(shù)平臺(tái)，這亦破除市場(chǎng)質(zhì)疑TMC沒有廠房、但要做DRAM技術(shù)開發(fā)的疑慮。　　存儲(chǔ)器業(yè)者透露，茂德與海力士2008年底達(dá)成共識(shí)，將技轉(zhuǎn)54納米制程DRAM技術(shù)，但轉(zhuǎn)換至5
關(guān)鍵字：茂德 DRAM 65納米

DRAM芯片發(fā)明人登納德將獲IEEE榮譽(yù)勛章

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)科技巨頭IBM的研究人員、DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德(Robert Dennard )將于下周四獲得美國(guó)電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)頒發(fā)的榮譽(yù)勛章。　　　　DRAM內(nèi)存芯片技術(shù)發(fā)明人羅伯特·登納德　　與“摩爾定律”(Moore's Law)提出者、英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(Gordon Moore)相比，今年76歲的登納德并不太為全球公眾所熟悉。但在全球技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域
關(guān)鍵字： IBM DRAM 摩爾定律

韓國(guó)海力士在無錫成功“擴(kuò)容” 規(guī)模國(guó)內(nèi)最大

　　繼韓國(guó)海力士十二英寸封裝測(cè)試項(xiàng)目落戶無錫，其在無錫的銷售中心日前也正式簽約。海力士無錫工廠新任董事權(quán)五哲日前透露，十二英寸后工序項(xiàng)目明年初將建設(shè)完畢，屆時(shí)，該集團(tuán)將真正實(shí)現(xiàn)在無錫的一體化生產(chǎn)，成為中國(guó)最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。　　海力士半導(dǎo)體是世界第二大DRAM制造商，也在全球半導(dǎo)體公司中名列前茅。無錫工廠是其在海外唯一的生產(chǎn)基地，承擔(dān)了韓國(guó)總部百分之五十的DRAM生產(chǎn)量，占全世界DRAM市場(chǎng)的百分之十。　　權(quán)五哲稱，金融危機(jī)下，國(guó)際內(nèi)存需求量逆勢(shì)上升，該公司目前內(nèi)存價(jià)格較年初已上漲二倍。明年實(shí)現(xiàn)
關(guān)鍵字：海力士 DRAM 封裝測(cè)試 DDR3

茂德科技稱正與潛在戰(zhàn)略合作伙伴進(jìn)行談判

　　臺(tái)灣存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商茂德科技董事長(zhǎng)陳民良周二表示，公司正與數(shù)家企業(yè)就開展戰(zhàn)略合作生產(chǎn)芯片事宜進(jìn)行談判。　　陳民良在年度大會(huì)上向公司股東表示，茂德科技將利用其臺(tái)中的工廠生產(chǎn)DRAM芯片。　　該公司還將打算利用其新竹的芯片廠生產(chǎn)非主流DRAM產(chǎn)品和非DRAM芯片。　　由于存儲(chǔ)芯片行業(yè)供應(yīng)過剩及全球經(jīng)濟(jì)滑坡導(dǎo)致的需求下滑，茂德科技此前八個(gè)季度連續(xù)虧損，導(dǎo)致公司現(xiàn)金緊張，舉步維艱。
關(guān)鍵字：茂德 DRAM 存儲(chǔ)芯片