3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區(qū)

65nm成為制程應(yīng)用分水嶺

按照摩爾定律的說法，2006年初半導(dǎo)體制造業(yè)就已經(jīng)進(jìn)入了65nm時代。不過，令所有人始料不及的是65nm的普及遠(yuǎn)遠(yuǎn)非預(yù)期的那樣迅猛，在很多領(lǐng)域似乎根本不去考慮65nm制程的問題，比如MCU，再如多媒體解碼芯片。于是，我們看到的結(jié)果是本該廣泛應(yīng)用的65nm制程在全面投產(chǎn)18個月之后的應(yīng)用領(lǐng)域只局限在少數(shù)幾個領(lǐng)域，這其中一向走在消費(fèi)前沿的CPU和存儲是最火爆的領(lǐng)域，而FPGA則是另一個熱衷于追逐65nm的擁躉。當(dāng)90n
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哪些IC可以做出鮮明特色？

　　5月底，半導(dǎo)體業(yè)又一重要事件發(fā)生了：意法半導(dǎo)體（ST）、英特爾和Francisco Partners宣布合資創(chuàng)立一家新的獨(dú)立半導(dǎo)體公司，組成新公司的原主營業(yè)務(wù)部門去年創(chuàng)造年收入共計約36億美元。新公司的戰(zhàn)略重點(diǎn)將專注于提供閃存解決方案。　　Intel是NOR閃存的數(shù)一數(shù)二廠商，ST是NOR閃存第三大公司。二虎能夠坐在一個山頭上談如何共贏，恐怕也是迫不得已的事。ST副總裁兼大中國區(qū)總經(jīng)理Bob Krysiak解釋說：“作為閃存或DRAM行業(yè)，要想成功，必須量產(chǎn)和大規(guī)模的制造能力。過去兩年來，兩家公司
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數(shù)據(jù)分析：首季度中國IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展增速放緩

進(jìn)入2007年，全球半導(dǎo)體市場明顯呈現(xiàn)增長乏力的態(tài)勢。與此同時，受產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整、市場競爭加劇的影響，國內(nèi)電子信息產(chǎn)業(yè)也出現(xiàn)增長放緩、效益下滑的情況。在這兩方面因素影響下，中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度也明顯放緩。據(jù)統(tǒng)計，1-3月份國內(nèi)集成電路總產(chǎn)量為85.29億塊，同比增長12.3%。全行業(yè)銷售收入總額為271.21億元人民幣，同比增長27.4%，其增幅與2006年四季度相比回落8.7個百分點(diǎn)。從一季度國內(nèi)集成電路設(shè)計、芯片制造與封裝測試三大行業(yè)的發(fā)展情況看，均不同程度的受到
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沖電氣推出熱量少全高清液晶電視驅(qū)動器IC

作為支持1920
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立锜發(fā)布單節(jié)鋰離子電池充電IC─RT9502

立锜科技(RichtekTechnology)針對單節(jié)鋰離子和鋰高分子電池應(yīng)用推出創(chuàng)新設(shè)計的充電IC─RT9502。該產(chǎn)品提供了簡單的外部線路架構(gòu)、整合性的MOSFET、自動選擇ADAPTER和USB雙輸入來源，且充電指示燈號不會因為拿掉電池而產(chǎn)生微亮的錯誤信號，具備簡單的充電電流設(shè)定，在簡化了整機(jī)電路和軟件設(shè)計的同時，更提供高達(dá)18V的過電壓保護(hù)。目前便攜式的電子產(chǎn)品已經(jīng)走向輕薄短小的趨勢，而鋰離子及鋰高分子電池正是符合該趨勢的應(yīng)用，RT9502正是專門為為鋰離子及鋰高分子電池而
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IR推出低壓電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的200V IC

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列適用于低壓及中壓電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的200V IC，這些應(yīng)用包括電動工具、低壓伺服驅(qū)動系統(tǒng)、電動園藝設(shè)備，以及像起重機(jī)、高爾夫球車和滑板車的電動車。 IRS200x系列半橋、高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動IC系列是為低壓 (24V 、36V 和48V ) 及中壓 (60V 、80V 和100V ) 電機(jī)
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盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產(chǎn)品

盛群半導(dǎo)體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格，可以廣泛應(yīng)用于各種產(chǎn)品，例如PC/NBcameramodule，PC外圍產(chǎn)品，低電壓MCU，DSP等需求電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。除了保證輸出電壓誤差在2%以內(nèi)，HT1087擁有極佳的負(fù)載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達(dá)到60dB。內(nèi)建的保護(hù)功能有過電流及過熱保護(hù)，為系統(tǒng)及IC提供必要的保護(hù)。 HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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Vishayn通道MOSFET驅(qū)動IC可提供2A峰值匯

Vishay(威世)近日宣布推出可提供2A峰值匯和源柵極驅(qū)動電流的高頻75V半橋式n通道MOSFET驅(qū)動IC。這款新型SiP41111適用于通常需要40V或60V電壓的汽車應(yīng)用。該75VMOSFET驅(qū)動器可用于汽車中的高強(qiáng)度放電管，以及各種終端產(chǎn)品中的高壓降壓轉(zhuǎn)換器、推拉式轉(zhuǎn)換器、全橋與半橋式轉(zhuǎn)換器、有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器、電源、電機(jī)控制及D類音頻系統(tǒng)。該款SiP41111具有75V的最大自舉電源電壓，可適應(yīng)9V～13.2V的寬泛電源電壓范圍，能夠以10ns的典型升降時間驅(qū)動1,000pF的負(fù)載。
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OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS，為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產(chǎn)品，提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù)，適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示，該公司未來將靈活運(yùn)用這一特長，加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路，進(jìn)而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容；未來
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遠(yuǎn)翔雙組外推DC/DC同步整流IC具保護(hù)功能

遠(yuǎn)翔科技將在2007年第二季推出雙組外推NMOS的DC/DC同步整流IC，將補(bǔ)齊產(chǎn)品系列現(xiàn)階段從5A以上使用的負(fù)載規(guī)格；這顆編號FP5148的IC采用散熱型低腳數(shù)SOP16及QFN-16L小型封裝，IC本身具備較寬的操作電壓范圍，并可由使用者自行調(diào)整PWM工作頻率和電源軟激活時間，在保護(hù)機(jī)制上針對電源異常部分則提供有過電流、短路及欠壓等保護(hù)功能，必要時亦可藉由HousekeepingIC直接關(guān)閉IC來達(dá)成待機(jī)或斷電保護(hù)狀態(tài)。遠(yuǎn)翔科技并于該季另提供有1A-3A負(fù)載規(guī)格使用外推PMOS雙組差相型I
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盛群低電壓差電源穩(wěn)壓IC可用于多種產(chǎn)品

盛群半導(dǎo)體(Holtek)新推出HT1087泛用型低電壓差電源穩(wěn)壓IC。該組件500mA電流輸出的規(guī)格，可以廣泛應(yīng)用于各種產(chǎn)品，例如PC/NBcameramodule，PC外圍產(chǎn)品，低電壓MCU，DSP等需求電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。除了保證輸出電壓誤差在2%以內(nèi)，HT1087擁有極佳的負(fù)載穩(wěn)定度及線性穩(wěn)定度。噪聲阻絕度(RippleRejection)可達(dá)到60dB。內(nèi)建的保護(hù)功能有過電流及過熱保護(hù)，為系統(tǒng)及IC提供必要的保護(hù)。 HT1087除了提供1.5V、1.8V、2.5V、
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半導(dǎo)體制程微細(xì)化技術(shù)再突破從65nm到45nm的微觀神話

半導(dǎo)體制程微細(xì)化趨勢1965年Intel創(chuàng)始人Moore提出“隨著芯片電路復(fù)雜度提升，芯片數(shù)目必將增加，每一芯片成本將每年減少一半”的規(guī)律之后，半導(dǎo)體微細(xì)化制程技術(shù)日新月異，結(jié)構(gòu)尺寸從微米推向深亞微米，進(jìn)而邁入納米時代。半導(dǎo)體制程微細(xì)化趨勢也改變了產(chǎn)業(yè)的成本結(jié)構(gòu)，10年前IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)投入線路設(shè)計與掩膜制程的費(fèi)用，僅占總體成本的13%，半導(dǎo)體生產(chǎn)制造成本約占87%。自2003年進(jìn)入深亞微米制程后，IC線路設(shè)計及掩膜成本便大幅提升到62%。當(dāng)芯片結(jié)構(gòu)體尺寸小于100納米時，光學(xué)光刻技術(shù)便面臨技術(shù)關(guān)鍵：硅晶制程
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東芝今年開始生產(chǎn)閃存芯片采用43納米制程

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞4月21日報道，東芝最快將在本會計年度開始采用43納米制程生產(chǎn)閃存芯片，以降低生產(chǎn)成本。東芝為全球第二大閃存芯片制造商，僅次于韓國三星電子。報道指出，由于芯片價格料在2007/08年度挫跌50%，因此該公司急于提高晶片生產(chǎn)效率。日經(jīng)新聞稱，使用43納米制程，將可使東芝生產(chǎn)成本降低40%。報道稱，三星電子計劃今年開始采用50納米制程。
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IC：摩爾定律驅(qū)動下集成度和復(fù)雜度加速提高

設(shè)計技術(shù)：面向SoC設(shè)計成主流面向SoC的設(shè)計方法將成主流由于電子整機(jī)系統(tǒng)不斷向輕、薄、小的方向發(fā)展，集成電路功能也由單一向復(fù)雜轉(zhuǎn)變，并且向系統(tǒng)集成發(fā)展的方向已經(jīng)明確。目前，SoC電路已經(jīng)能在單一硅芯片上實現(xiàn)信號采集、轉(zhuǎn)換、存儲、處理和輸入/輸出等功能。由此可見，將數(shù)字電路、存儲器、CPU、DSP、射頻電路、模擬電路、傳感器甚至微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等集成在單一芯片上，實現(xiàn)一個完整系統(tǒng)功能的SoC設(shè)計將成為未來集成電路設(shè)計的主流。未來SoC芯片的設(shè)計將以IP復(fù)用為基礎(chǔ)，把已優(yōu)化的子系統(tǒng)甚至系統(tǒng)級模塊納
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北京集成電路設(shè)計業(yè)規(guī)模居國內(nèi)第一

　　記者從16日在京舉行的“集成電路設(shè)計服務(wù)—封裝測試論壇”了解到，北京集成電路設(shè)計業(yè)規(guī)模穩(wěn)居國內(nèi)第一。　　北京市科委提供的數(shù)據(jù)顯示，2006年，北京集成電路設(shè)計業(yè)以近60億元的銷售總額穩(wěn)居國內(nèi)第一，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其他省市。在最近3年的全國十大集成電路設(shè)計企業(yè)排行榜上，北京每年均有4家企業(yè)入圍。　　目前北京的集成電路設(shè)計企業(yè)已超過100家，龍芯、眾志、星光系列等一批“中國芯”都屬于國家重大創(chuàng)新成果。在北京市科委支持下，北京華大泰思特半導(dǎo)體檢測技術(shù)公司和北京自動化測試技術(shù)研究所共同承擔(dān)的“北京集成電路設(shè)
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