3d nand 文章 進入3d nand技術(shù)社區(qū)
NAND市場增長放緩芯片廠欲推遲建廠計劃
- 日前，全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5)，以應(yīng)對未來市場對NAND閃存的需求，該工廠預(yù)計將于2010年投產(chǎn)。 市場研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因為現(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂觀?！? 但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠興建計劃也再一次證明了NAN
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GPS 3D導(dǎo)航設(shè)計的穩(wěn)定性考慮
- 摘要：?3D地圖的出現(xiàn)和推廣、更多信息點的地圖，使大容量的存儲器成為2008年導(dǎo)航產(chǎn)品發(fā)展的一個重要方向。大容量存儲器的需要還來源于對數(shù)據(jù)保護的需求。本文通過對比Embedded Raw MLC和Managed Nand兩種存儲方式，介紹了系統(tǒng)硬件和軟件設(shè)計對GPS導(dǎo)航設(shè)備穩(wěn)定性的影響。 關(guān)鍵詞：?GPS；SLC；MLC；3D導(dǎo)航 GPS 3D導(dǎo)航地圖的出現(xiàn)并非偶然，3D導(dǎo)航比2D顯示更多的信息量，通過3D圖像來真實地模擬顯示現(xiàn)實世界中的街道和交叉路口，駕駛者不僅可以看到詳細而
- 關(guān)鍵字： GPS 3D 導(dǎo)航設(shè)計 穩(wěn)定性考慮 200803
ZigBee技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點 MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng) 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點，被廣泛地應(yīng)用于手
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NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測試
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進行在線測試。在給出測試結(jié)果的同時，著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結(jié)果進行分析，并提出改進方案和適用環(huán)境。 關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 引 言 隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個重要
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商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問題
- 北京時間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國經(jīng)濟衰退導(dǎo)致電腦和消費電子產(chǎn)品銷售增長減速，對英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤造成很大壓力。 英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內(nèi)存芯片，這種芯片被廣泛應(yīng)用于各種消費電子產(chǎn)品。兩年多來，英特爾巧妙地避過了那些芯片的價格波動。 全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布，它預(yù)計其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預(yù)期目標。主要原因在于：NAND閃存的價格低于預(yù)期水平。在第
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NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
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分析師稱NAND閃存市場可能再次面臨崩潰
- 在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類短缺和平均銷售價格走平之后，NAND閃存市場可能會再一次崩潰。 據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱，全球最大的NAND閃存買主蘋果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購。現(xiàn)在NAND閃存還沒有殺手應(yīng)用。這些因素都會對NAND閃存市場產(chǎn)生影響。 Mok稱，蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動，導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過了需求的70%和價格的下降。 這位分析師稱，雖然自從2
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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大
- 快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料，整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下，可說是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來襲，都已有心理準備，但仍是不敢大意。 TRI觀點： 2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個事件，就是Samsun
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開支將降9.9%
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱，2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開支預(yù)計將達到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱，2007年的特點是DRAM內(nèi)存不顧供過于求的現(xiàn)實繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復(fù)開支的狀況令人失望。在2008年，我們預(yù)計隨著DRAM內(nèi)存市場將糾正資本開支的長期錯誤，半導(dǎo)體主要設(shè)備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔心美國經(jīng)濟衰退而采取的謹慎態(tài)度都是造成20
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供大于求 明年NAND閃存市場難以復(fù)蘇
- 比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據(jù)國外媒體報道，內(nèi)存模塊制造商消息人士稱，NAND閃存市場仍將處于供大于求的局面，這不僅對現(xiàn)貨市場造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價格。 12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量，價格沒有出現(xiàn)大幅滑落。 NAND閃存合同價格的下降，主要是由于蘋果每年戰(zhàn)略性削減其12月份的NAND
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NAND Flash進軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應(yīng)用市場發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機，到2006年MP3 Pla
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iSuppli調(diào)低08年半導(dǎo)體預(yù)期
- 市場研究機構(gòu)iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由，調(diào)低了2008年全球半導(dǎo)體市場銷售收入預(yù)期，不過對于整個市場形勢仍持樂觀態(tài)度。 據(jù)國外媒體報道，iSuppli的最新預(yù)期顯示，2008年全球半導(dǎo)體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數(shù)據(jù))增長7.5%，而iSuppli今年9月份預(yù)測的增幅為9.3%，預(yù)期增幅減少了1.8個百分點。 iSuppli表示，2008年半導(dǎo)體市場將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟2008年的預(yù)期并不樂觀，而美國經(jīng)濟的影響力自然會波及全球
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東芝推出首個對應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存
- 東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產(chǎn)品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時開始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。 目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
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DRAM市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化 預(yù)計08年資本開支下滑超過30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場基礎(chǔ)繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應(yīng)商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減。” 預(yù)計2008年，DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%，原來預(yù)計下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。 在DRAM市場經(jīng)歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴重的供過于求情況。“這主要由于按容量計
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