3d nand 文章 進入3d nand技術(shù)社區(qū)
東芝將向NAND投資8600億日元，預(yù)計2016財年銷售不到5萬億日元
- “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預(yù)測需要多長時間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務(wù)計劃說明會，代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。 東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標。在說明會前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(參閱本站報道1)。關(guān)于個人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點，誰輸在起跑線？
- 為了進一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點。 1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸，三星(Sam
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2015年第四季NAND廠商營收排行
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸，三星(Sam
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運用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點的挑戰(zhàn)
- 今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設(shè)備。我們預(yù)計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關(guān)重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌
- 2015年中國半導(dǎo)體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國半導(dǎo)體業(yè)值得關(guān)注的焦點。 TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，在營運上中國國產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應(yīng)用。主要目標客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機關(guān)與國防軍工等原先合作關(guān)系密切，或是有投資關(guān)系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個世代
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慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會
- 在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會，在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?！ 』蹣s科技展臺將展出如下產(chǎn)品： Ferri-eMMC?解決方案 Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
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3D NAND技術(shù)謹慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放
- 全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預(yù)計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復(fù)蘇。但是，預(yù)測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進入DRAM市場，DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預(yù)計在2015年下降11.6%，并在2016年進一步下降6.7%。 DRAM市場2016年供過于求 近期，我們對于DRAM市場的預(yù)測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
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Toshiba準備出售NAND以外的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
- 根據(jù)日本當(dāng)?shù)氐呢斀?jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日報導(dǎo)，大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價的該公司轉(zhuǎn)虧為盈之必要步驟。 未來東芝將專注并強化在快閃記憶體與核能業(yè)務(wù)的投資與經(jīng)營，該公司并將上述兩大業(yè)務(wù)做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應(yīng)商，這也是該公司保留記憶體業(yè)務(wù)、將出售其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的原因。 將出售的東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)包括類
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Stratasys與Creaform在中國大陸與香港地區(qū)強強聯(lián)手，共同開拓3D市場
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys Ltd.(納斯達克代碼：SSYS)上海分公司與便攜式 3D 測量解決方案和工程服務(wù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)航者Creaform形創(chuàng)中國，今天聯(lián)合宣布將兩公司的戰(zhàn)略合作拓展至中國大陸與香港地區(qū)。 Stratasys與形創(chuàng)的此次合作，將為市場提供更加整合的3D解決方案，讓用戶得以同時利用前沿的3D掃描技術(shù)與3D打印技術(shù)，完成從輸入端的產(chǎn)品掃描到輸出端的產(chǎn)品成型，確保工作流程一氣呵成。此次合作將以教
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手機標稱16G內(nèi)存，為何實際卻少于16G
- 摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下： 我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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