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3d芯片
3d芯片 文章 進(jìn)入3d芯片技術(shù)社區(qū)
應(yīng)用材料聯(lián)合IME設(shè)立3D芯片封裝研發(fā)實(shí)驗(yàn)室
- 應(yīng)用材料公司和新加坡科技研究局研究機(jī)構(gòu)--微電子研究院 (IME) 7號(hào)共同在新加坡第二科學(xué)園區(qū)共同為雙方連手合作的先進(jìn)封裝卓越中心舉行揭幕典禮。 該中心由應(yīng)用材料和 IME 合資超過(guò) 1 億美元設(shè)立，擁有14,000 平方英尺的10級(jí)無(wú)塵室，配有一條完整的十二吋制造系統(tǒng)生產(chǎn)線，能支持3D芯片封裝研發(fā)，促使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速成長(zhǎng)。這座中心的誕生是為了支持應(yīng)用材料公司和 IME 之間共同的研究合作，同時(shí)也能讓雙方各自進(jìn)行獨(dú)立的研究計(jì)劃，包括制程工程、整合及硬件開(kāi)發(fā)等。目前已有一組 50 人以上的團(tuán)隊(duì)在
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Sematech與合作伙伴連手克服未來(lái)3D芯片技術(shù)挑戰(zhàn)
- 美國(guó)半導(dǎo)體科技研發(fā)聯(lián)盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)與美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC)，日前共同定義出了wide I/O DRAM 之后的未來(lái)3D芯片(3D IC)技術(shù)殺手級(jí)應(yīng)用，以及將遭遇的挑戰(zhàn)。 Sematech 表示，上述單位的眾學(xué)者專家經(jīng)過(guò)討論之后，定義出異質(zhì)運(yùn)算(heterogeneous computing)、內(nèi)存、影像(imaging)、智能型感測(cè)系統(tǒng)(smart s
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臺(tái)積電年底有望推出首款3D芯片
- 據(jù)臺(tái)灣對(duì)外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(huì)(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺(tái)積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。Intel 則曾于今年五月份表示，他們將于今年年底前開(kāi)始量產(chǎn)結(jié)合了三門晶體管技術(shù)(臺(tái)積電計(jì)劃14nm節(jié)點(diǎn)啟用類似的Finfet技術(shù))的芯片產(chǎn)品。而臺(tái)積電這次 推出采用3D芯片堆疊技術(shù)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)則與其非?？拷??！?/li>
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淺談3D芯片堆疊技術(shù)現(xiàn)狀
- 盡管最近幾年以TSV穿硅互聯(lián)為代表的3D芯片技術(shù)在各媒體上的出鏡率極高，但許多人都懷疑這種技術(shù)到底有沒(méi)有可能付諸實(shí)用，而且這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際發(fā)展速度 也相對(duì)緩慢，目前很大程度上仍停留在“紙上談兵”的階段。不過(guò)，許多芯片制造商仍在竭力推進(jìn)基于TSV的3D芯片技術(shù)的發(fā)展并為其投入研發(fā)資金，這些廠商 包括IBM,Intel，三星，東芝等等，3D芯片技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于可以在不需要改變現(xiàn)有產(chǎn)品制程的基礎(chǔ)上增加產(chǎn)品的集成度，從而提高單位芯片面積內(nèi)的晶體 管數(shù)量?！?/li>
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聯(lián)發(fā)科技推出全球首款支持3D技術(shù)的單芯片解決方案
- 2011年1月5日，全球無(wú)線通信及數(shù)字媒體IC設(shè)計(jì)領(lǐng)導(dǎo)廠商聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(MediaTek Inc.)今日宣布將于2011消費(fèi)電子展(CES: The International Consumer Electronics Show)推出全球首款支持120Hz偏光/快門式3D技術(shù)的單芯片解決方案，提供消費(fèi)者更為優(yōu)質(zhì)驚艷的3D視覺(jué)體驗(yàn)，同時(shí)更推出新一代智能型電視芯片解決方案，掀起“客廳革命”的風(fēng)暴。此方案不僅大幅提升無(wú)線鏈接速度，其傳輸質(zhì)量也更穩(wěn)定。
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Applied Materials發(fā)布TSV新設(shè)備 引領(lǐng)3D芯片技術(shù)
- Applied Materials正在引領(lǐng)通孔硅技術(shù)(TSV)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。TSV技術(shù)通過(guò)芯片的多層連接，實(shí)現(xiàn)性能提升、功能改善、小型封裝、降低功耗，被視為未來(lái)移動(dòng)芯片領(lǐng)域的重要技術(shù)。Applied Materials發(fā)布Applied Producer Avila系統(tǒng)，成為首家提供全方位TSV方案的供應(yīng)商，加速了3D-IC的上市時(shí)間。
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未來(lái)推動(dòng)芯片尺寸微縮的五種技術(shù)
- IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。 為了使芯片微縮，總是利用光刻技術(shù)來(lái)推動(dòng)。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術(shù)。 1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設(shè)計(jì)中，采用硅襯底和高k金屬柵。在硅與高k材料之間有低k材料。對(duì)于零低k界面，免去了低k材料，提高驅(qū)動(dòng)電流并減少漏電。這是16nm節(jié)點(diǎn)的一種選擇。 2. 單金屬柵堆疊：與傳統(tǒng)晶體管相比，高k金屬柵利用了單金屬柵堆疊結(jié)構(gòu)，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。 3. III-V族材料上柵堆疊：Int
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3d芯片介紹
世界上第一款3D芯片工藝已經(jīng)準(zhǔn)備獲取牌照，該工藝來(lái)自于無(wú)晶圓半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制邏輯上使用了1.28億個(gè)垂直晶體管用作內(nèi)存位單元。該芯片的設(shè)計(jì)在國(guó)家Nanofab中心(韓國(guó)大田)和斯坦福Nanofab(美國(guó)加州)進(jìn)行。BeSang公司稱，該工藝由25個(gè)專利所保護(hù)，將允許Flash、DRAM以及SRAM放置在邏輯電路、微處理器以及片上系統(tǒng)上 [ 查看詳細(xì) ]
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