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          SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲芯片大揭秘

          • 現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報(bào)道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop,I
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  SSD  存儲技術(shù)  

          IR多功能IRS2983控制IC 為高性能調(diào)光應(yīng)用簡化而設(shè)

          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司 (International R
          • 關(guān)鍵字: LED  驅(qū)動  IR  IC  

          3D NAND競爭火熱 三星成市場最大贏家

          • 最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高,許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中,又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多,取得領(lǐng)先地位。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  三星  

          3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

          •   存儲器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言,存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。   當(dāng)前,我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。   相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  DRAM  

          如何判定電路中IC的是否工作?

          •   如何準(zhǔn)確判斷電路中集成電路IC的是否工作,是好是壞是修理電視、音響、錄像設(shè)備的一個重要內(nèi)容,判斷不準(zhǔn),往往花大力氣換上新集成電路而故障依然存在,所以要對集成電路作出正確判斷。   1、首先要掌握該電路中IC的用途、內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理、主要電特性等,必要時還要分析內(nèi)部電原理圖。除了這些,如果再有各引腳對地直流電壓、波形、對地正反向直流電阻值,那么,對檢查前判斷提供了更有利條件;   2、然后按故障現(xiàn)象判斷其部位,再按部位查找故障元件。有時需要多種判斷方法去證明該器件是否確屬損壞。   3、一般對電路中I
          • 關(guān)鍵字: IC  集成電路  

          臺媒:再不開放陸資,臺灣IC產(chǎn)業(yè)危矣

          •   社會高度關(guān)注政客民意調(diào)查的“死亡交叉”,卻少有人注意到另一個死亡交叉的出現(xiàn),臺灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的營收在今年已被大陸超越。蔡政府迫于情勢,近日傳出有意“默許”業(yè)者轉(zhuǎn)經(jīng)第三地赴大陸投資。   臺IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值 被陸超越   IC設(shè)計(jì)繞過審查登陸 蔡默許不管   我們認(rèn)為,政府這種思維與作法只能以“一錯再錯”名之,先錯估產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢與需求,強(qiáng)硬阻擋兩岸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)合作,確定情勢不利后,竟不肯“開大門,走大道”,
          • 關(guān)鍵字: IC  晶圓  

          美光移動裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場

          •   美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。   美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機(jī)市場,此區(qū)塊市場占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。   而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          3D NAND風(fēng)暴來襲,中國存儲器廠商如何接招?

          • 中國正在下大力度推進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,3D NAND被認(rèn)為是一個有利的突破口。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  存儲器  

          老杳:相比IC中國自主OS何以如此阿斗?

          • 產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要扶植巨頭,因?yàn)樗麄儾粌H擁有人才管理、企業(yè)運(yùn)營經(jīng)驗(yàn),也擁有全球領(lǐng)先的管理制度和激勵制度,自主OS要崛起沒有捷徑可走。
          • 關(guān)鍵字: IC  OS  

          美光3D NAND將殺到!打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

          • 目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝殺入敵營,如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn),3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          面對大陸攻勢 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

          •   據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。   市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購,成立長江存儲科技有限責(zé)任公司,未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。   清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
          • 關(guān)鍵字: 三星  3D NAND  

          能與IC整合的超小尺寸光探測器

          •   德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (KIT)研究人員成功開發(fā)了一種用以探測光學(xué)資料路徑的創(chuàng)新光探測器,占位面積不到100平方微米…   玻璃纖維(glass fibers)有可能成為資訊時代的傳輸高速公路──德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (Karlsruhe Institute of Technology,KIT)研究人員成功開發(fā)了一種用以探測光學(xué)資料路徑的創(chuàng)新光探測器(photo detector),是玻璃纖維接收端的核心零組件;此成果為該類元件的尺寸設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),研究人員聲稱其占位面積不到100平
          • 關(guān)鍵字: IC  光探測器  

          Power Integrations推出可控硅調(diào)光LYTSwitch-7 LED驅(qū)動器IC,可將BOM元件數(shù)減少40%

          •   高效率、高可靠性LED驅(qū)動器IC領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出適合于單級非隔離降壓式可調(diào)光LED驅(qū)動器應(yīng)用的LYTSwitch™-7 IC產(chǎn)品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝,在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率,并且效率極高,適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應(yīng)用。在LYTSwitch-7的設(shè)計(jì)中只需采用一個簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調(diào)光器的要求。另外,設(shè)計(jì)中的電感可采用現(xiàn)成的只有單一繞組的市售標(biāo)準(zhǔn)電感。LYTSwitch-7的
          • 關(guān)鍵字: Power Integrations  LYTSwitch-7 IC  

          東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

          •   東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示,將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量,目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。   關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash,成毛康雄指出,將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn),目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。   東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。   日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(bào)(
          • 關(guān)鍵字: 東芝  3D NAND  

          Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

          •   Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā),采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式,以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察,三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案,將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  美光  
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          3d-ic介紹

          3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細(xì) ]

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