3d-nand 文章 進入3d-nand技術社區(qū)
為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？
- NAND 閃存已經(jīng)達到了一定的密度極限，無法再進一步擴展。
- 關鍵字： NAND
三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤，能否搶占先機？
- 內(nèi)存和存儲芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達60TB的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD），專為滿足企業(yè)用戶的需求而設計。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少，因
- 關鍵字： 三星 固態(tài)硬盤 V-NAND
鎧俠產(chǎn)能滿載 傳7月量產(chǎn)最先進NAND Flash產(chǎn)品
- 《科創(chuàng)板日報》4日訊，鎧俠產(chǎn)線稼動率據(jù)悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉，鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件，和現(xiàn)行產(chǎn)品相比，存儲容量提高約50%，寫入數(shù)據(jù)時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
- 關鍵字： 鎧俠 NAND Flash
鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
- 近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
- 關鍵字： 鎧俠 3D NAND堆疊
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
- 關鍵字： SK海力士 3D DRAM
西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
- 關鍵字： 西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
NAND市場，激戰(zhàn)打響
- 隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
- 關鍵字： 三星 第九代 V-NAND
鎧俠結束減產(chǎn)？兩座NAND工廠開工率提高至100%
- 據(jù)日經(jīng)新聞報道，鑒于市場正在復蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續(xù)20個月的減產(chǎn)行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產(chǎn)線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱，將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會繼續(xù)根據(jù)
- 關鍵字： 鎧俠 NAND
三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
- 據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
- 關鍵字： 三星 NAND 存儲
邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業(yè)化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
- 關鍵字： 3D 內(nèi)存 存儲 三星
三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)
- 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
- 關鍵字： 三星 NAND Flash
三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)？
- 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
- 關鍵字： 三星 1000層 NAND
SK海力士開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
- · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開始量產(chǎn)并搭載于端側AI手機· 與前一代產(chǎn)品相比，長期使用所導致的性能下降方面實現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領域引領面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)界最高
- 關鍵字： SK海力士 AI 存儲 NAND
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