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          海力士看好存儲器價格反彈

          •   韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市,發(fā)表脫離谷底的看法,對于臺系DRAM廠而言,可望注入強心針。在硅晶圓部分,海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存,短期仍可支應生產(chǎn),但中長線來看,日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清,目前市場買盤多是邊走邊看,沒有一窩蜂搶貨,但也會擔心日后供給吃緊造成漲價問題。   
          • 關(guān)鍵字: Hynix  DRAM  NAND Flash  

          NAND Flash優(yōu)先供應一線廠 二線平板計算機廠5月恐斷貨

          •   硅晶圓斷料陰影籠罩半導體產(chǎn)業(yè),原本要展翅高飛的平板計算機、智能型手機等應用,現(xiàn)在都要看NAND Flash芯片后續(xù)供應情況,存儲器業(yè)者指出,雖然3、4月供貨沒問題,但5月之后若因硅晶圓不足而造成供給吃緊,蘋果(Apple)等一線大廠會是優(yōu)先供貨對象,iPad-like陣營恐面臨斷貨危機。   盡管NAND Flash大廠東芝(Toshiba)12寸晶圓廠不在日本強震震央,但上游材料如硅晶圓、光阻劑、化學研磨液、鈀材、氮氣等,紛因地震而面臨供應商停工窘境,不僅業(yè)者始料未及,亦讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)
          • 關(guān)鍵字: 硅晶圓  NAND  

          日本強震影響蘋果公司股價

          •   據(jù)經(jīng)濟之聲報道,蘋果公司這幾天股價連續(xù)大幅下滑,市值損失接近220億美元。周五的股市交易中,蘋果股價再一次小幅下挫。分析人士指出,在很多外在不確定因素的影響下,股價短期震蕩在所難免,日本地震對蘋果股價也有一定的影響。   
          • 關(guān)鍵字: 蘋果  NAND  

          日本地震電子供應鏈修復至少4月以上

          •   針對日本強震對電子供應鏈的影響,美銀美林證券全球半導體研究部主管何浩銘(Daniel Heyler)昨天表示,由于BT樹脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現(xiàn)在已停止接單,而兩家占BT樹脂供給量的九成,使得基板供給影響比想象嚴重,目前預估這次震災對NAND、LCD面板、太陽能等供給的影響分別為40%、10%、20%,預期這次電子供應鏈修復期至少4-6個月?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: NAND  基板  

          VLSI上調(diào)2011年全球IC市場成長率

          •   市場研究機構(gòu) VLSI Research 最近調(diào)升了對 2011年 IC市場成長率的預測;該機構(gòu)先前估計 2011年全球IC市場將成長8.1%、達到2,687億美元營收規(guī)模,現(xiàn)在則是認為今年度該市場成長率為8.9%,營收規(guī)模2,707億美元。   
          • 關(guān)鍵字: IC  NAND  

          iPad將推動今年NAND閃存出貨量增長近五倍

          •   據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱,隨著消費者越來越多地使用平板電腦,蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應用增長將近五倍。   iSuppli稱,用于制作移動設備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費量預計將達到23億GB,比2010年消費的4768億GB增長382.4%。iSuppli預計到2014年,NAND閃存芯片的出貨量將達到123億GB。 
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

          全球NAND Flash擴產(chǎn)競賽3缺1 

          •   存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降,除了積極布局非標準型DRAM相關(guān)的應用領(lǐng)域之外,市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中,唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士,2011年平板計算機和智能型手機等應用都是NAND Flash當?shù)?,海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12,未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!  
          • 關(guān)鍵字: Hynix  NAND   

          蘋果再施狙擊式采購

          •   蘋果目前正在跟三星電子洽談購買約78億美元的零組件,內(nèi)容包括屏幕、處理器、NAND閃存等,主要都是要用在 iPad、iPhone等產(chǎn)品上面。一旦該筆訂單確定下來,蘋果將成為三星的最大單一客戶。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          DRAM、NAND芯片現(xiàn)貨均價上周再度下滑

          •   市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計報告顯示,上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑,相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。   
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          NAND閃存市場或?qū)ⅰ氨辣P”

          •   在2011年的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,海力士、三星和東芝公布了各自關(guān)于尖端NAND部件的更多細節(jié)。   在一段時間內(nèi),由于手機、平板電腦和固態(tài)存儲等產(chǎn)品市場的強勁需求,NAND閃存廠商一直有著驚人的增長速度。   
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

          DRAM/NAND芯片現(xiàn)貨均價上周再度下滑

          •   來自臺灣媒體的最新消息稱,市場調(diào)研公司inSpectrum近日發(fā)布的存儲芯片市場周統(tǒng)計報告顯示,上周DRAM和NAND芯片現(xiàn)貨市場上的平均價格再次有了比較明顯的下滑,相比1月份的穩(wěn)定價格此次的變化對整個市場有一定的影響。   
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          DRAM合約價醞釀反彈

          •   DRAM合約價在2010年第4季跌幅高達50%,隨著現(xiàn)貨價在農(nóng)歷年前率先反彈,2011年2月DRAM合約價亦走向止跌,存儲器模塊廠表示,近期甫出爐1Gb、2Gb、4Gb產(chǎn)品合約價都呈現(xiàn)止跌跡象,由于目前現(xiàn)貨價比合約價至少高出20%,使得DRAM廠在合約價談判上輕松許多;南亞科則預計,2月 DRAM合約價漲幅目標是至少5%?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          全球NAND Flash擴產(chǎn)競賽3缺1

          •   存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降,除了積極布局非標準型DRAM相關(guān)的應用領(lǐng)域之外,市場認為目前全球4大NAND Flash陣營中,唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士,2011年平板計算機和智能型手機等應用都是NAND Flash當?shù)溃Aκ窟€有1座空著的12寸晶圓廠M12,未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!  
          • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

          iPad將成今年NAND閃存成長動力

          •   據(jù)市場研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報告稱,隨著消費者越來越多地使用平板電腦,蘋果的iPad今年將推動NAND閃存芯片的應用增長將近五倍。   iSuppli稱,用于制作移動設備中使用的固態(tài)硬盤的NAND閃存芯片今年的消費量預計將達到23億GB,比2010年消費的4768億GB增長382.4%。iSuppli預計到2014年,NAND閃存芯片的出貨量將達到123億GB?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: iPad  NAND  

          三星2010年NAND Flash市占直逼40% 產(chǎn)業(yè)成長率達58%

          •   2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計算機(Tablet PC)及智能型手機(Smartphone)稱霸應用端,傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤一直等到2010年第4季都沒有表現(xiàn)的舞臺,整體2010年NAND Flash市場營收成長達58.7%,為191.7億美元,其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱王,美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix),但差距相當少,雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。   2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤等NAND Flash應用風光不再,取而代之的
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND   
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