3dic compiler 文章 進(jìn)入3dic compiler技術(shù)社區(qū)
新思科技面向臺(tái)積公司先進(jìn)工藝加速下一代芯片創(chuàng)新
- 摘要：●? ?由Synopsys.ai? EDA套件賦能可投產(chǎn)的數(shù)字和模擬設(shè)計(jì)流程能夠針對(duì)臺(tái)積公司N3/N3P和N2工藝，助力實(shí)現(xiàn)芯片設(shè)計(jì)成功，并加速模擬設(shè)計(jì)遷移?！? ?新思科技物理驗(yàn)證解決方案已獲得臺(tái)積公司N3P和N2工藝技術(shù)認(rèn)證，可加速全芯片物理簽核?！? ?新思科技3DIC Compiler和光子集成電路（PIC）解決方案與臺(tái)積公司COUPE技術(shù)強(qiáng)強(qiáng)結(jié)合，在硅光子技術(shù)領(lǐng)域開展合作，能夠進(jìn)一步提高人工智能（AI）和多裸晶（Multi-Die
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極速智能,創(chuàng)見未來 2023芯和半導(dǎo)體用戶大會(huì)順利召開
- 高性能計(jì)算和人工智能正在形成推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展的雙翼。面對(duì)摩爾定律趨近極限的挑戰(zhàn)，3DIC Chiplet先進(jìn)封裝異構(gòu)集成系統(tǒng)越來越成為產(chǎn)業(yè)界矚目的焦點(diǎn)。這種創(chuàng)新的系統(tǒng)不僅在Chiplet的設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等方面帶來了許多突破，同時(shí)也催生了全新的Chiplet EDA平臺(tái)，共同為創(chuàng)造下一代數(shù)字智能系統(tǒng)賦能。芯和半導(dǎo)體，作為國內(nèi)首家推出“3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析全流程”EDA平臺(tái)的EDA公司，在10月25日上海舉辦了2023芯和半導(dǎo)體用戶大會(huì)，總規(guī)模超過600人。大會(huì)以“極速智能，
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臺(tái)積電魏哲家出席日本3DIC材料研發(fā)中心開幕
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電總裁魏哲家24日出席「臺(tái)積電日本3DIC研究開發(fā)中心」開幕啟用典禮，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)相萩生田光一亦出席致詞。該中心由臺(tái)積電設(shè)立，并與揖斐電（Ibiden）、新光電氣、信越化學(xué)等日本逾20家廠商合作，總投資金額達(dá)370億日?qǐng)A，日本政府透過新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)統(tǒng)合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）出資190億日?qǐng)A。臺(tái)積電在日本茨城縣筑波市產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所設(shè)立的臺(tái)積電日本3DIC研究開發(fā)中心24日開幕啟用，由于日本已開放臺(tái)灣人士以商務(wù)簽證入境且免隔離，魏哲家與臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)暨服務(wù)副總經(jīng)理廖德堆一同出席，說明臺(tái)
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新思Fusion Compiler協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)超過500次投片
- 新思科技宣布其旗艦產(chǎn)品Fusion Compiler RTL至GDSII解決方案自 2019推出以來，已協(xié)助用戶累積超過500次投片，此項(xiàng)成就擴(kuò)展了新思科技在數(shù)字設(shè)計(jì)實(shí)作領(lǐng)域的地位。使用 Fusion Compiler進(jìn)行設(shè)計(jì)投片的客戶涵蓋領(lǐng)先業(yè)界的半導(dǎo)體公司40至3奈米制程節(jié)點(diǎn)，橫跨高效能運(yùn)算(high-performance computing; HPC)、人工智能(AI)與第五代行動(dòng)通訊等高成長(zhǎng)的垂直市場(chǎng)。新思科技Fusion Compiler具備統(tǒng)一架構(gòu)和優(yōu)化引擎，可促進(jìn)達(dá)成簽核準(zhǔn)確度(signo
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新思科技IC Compiler II技術(shù)助力Graphcore一次性成功實(shí)現(xiàn)數(shù)百億門級(jí)AI處理器的硅晶設(shè)計(jì)
- 要點(diǎn)： 作為新思科技Fusion Platform的一部分，IC Compiler II憑借其行業(yè)領(lǐng)先的容量和吞吐量，加速實(shí)現(xiàn)了包含超過590億個(gè)晶體管的超大規(guī)模Colossus IPU新思科技RTL-to-GDS流程中針對(duì)AI硬件設(shè)計(jì)的創(chuàng)新優(yōu)化技術(shù)提供了同類最佳的性能、功率和區(qū)域（PPA）指標(biāo)集成式黃金簽核技術(shù)帶來可預(yù)測(cè)且收斂的融合設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)零裕度流程新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日宣布，其行業(yè)領(lǐng)先的IC Compiler? II布局布線解決方案成
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新思科技推出業(yè)界首個(gè)統(tǒng)一平臺(tái)3DIC Compiler，以加速多裸晶芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)和集成
- 重點(diǎn)：3DIC Compiler基于新思科技的Fusion Design Platform、世界級(jí)引擎和數(shù)據(jù)模型，在單一用戶環(huán)境下提供一個(gè)綜合性的端到端解決方案，具有針對(duì)先進(jìn)多裸晶芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)的全套功能提供強(qiáng)大的三維視圖功能，為2.5D/3D封裝可視化提供直觀的環(huán)境，顯著減少設(shè)計(jì)到分析的迭代次數(shù)，并最大限度地縮短整體集成時(shí)間提供與Ansys硅-封裝-印刷電路板技術(shù)的緊密集成，以進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)信號(hào)、功率和熱量分析新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）近日推出其3DIC Co
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三星采用新思科技的IC Compiler II 機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)設(shè)計(jì)新一代5納米移動(dòng)SoC芯片
- 重點(diǎn)：IC Compiler II和Fusion Compiler的機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)助力三星將頻率提高高達(dá)5%，功耗降低5%機(jī)器學(xué)習(xí)預(yù)測(cè)性技術(shù)可加快周轉(zhuǎn)時(shí)間(TAT)，使三星能夠跟上具挑戰(zhàn)性的設(shè)計(jì)時(shí)間表三星在即將推出的新一代移動(dòng)芯片流片中部署了機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）今天宣布，三星(Samsung)為其新一代5納米移動(dòng)芯片生產(chǎn)設(shè)計(jì)，采用了IC Compiler? II布局布線解決方案（新思科技Fusion Design Platform?的一
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硅通孔3DIC工藝顯著減小傳感器的外形尺寸
- 引言 更小的外形尺寸、卓越的功能、更出色的性能和更低的BOM(物料成本)是系統(tǒng)工程師在開發(fā)傳感器和傳感器接口應(yīng)用等復(fù)雜電子產(chǎn)品時(shí)面臨的主要挑戰(zhàn)?？s小芯片尺寸可以通過使用集成密度更高的小型制程節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)，而系統(tǒng)的小型化則可以通過使用先進(jìn)的封裝技術(shù)來達(dá)成。如今，對(duì)更高系統(tǒng)集成度的需求與日俱增，這也促使那些傳統(tǒng)的封裝服務(wù)供應(yīng)商和半導(dǎo)體公司著手開發(fā)更具創(chuàng)新性、更為先進(jìn)的封裝技術(shù)。其中前景廣闊，同時(shí)也具有挑戰(zhàn)性的當(dāng)屬采用硅通孔(TSV)的3D集成電路(3DIC)。3DIC技術(shù)現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于數(shù)字集成電路(例如存
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Custom Compiler開拓視覺輔助自動(dòng)化新紀(jì)元
- 新思科技(Synopsys, Inc.)日前發(fā)布全新定制設(shè)計(jì)解決方案Custom Compiler?。Custom Compiler?將定制設(shè)計(jì)任務(wù)時(shí)間由數(shù)天縮短至數(shù)小時(shí)，消弭了FinFET的生產(chǎn)力差距。為了將FinFET版圖生產(chǎn)力提升到新的高度，Synopsys采用了新穎的定制設(shè)計(jì)方法，即開發(fā)視覺輔助自動(dòng)化技術(shù)，從而提高普通設(shè)計(jì)任務(wù)的速度，降低迭代次數(shù)并支持復(fù)用。通過與行業(yè)領(lǐng)先的客戶的密切合作，Custom Compiler已經(jīng)在最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行生產(chǎn)工作，并
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半導(dǎo)體展買氣勝往年 臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)看好
- 國內(nèi)年度半導(dǎo)體業(yè)展會(huì)盛事「SEMICONTaiwan2014」九月三日至五日舉行。主辦單位「國際半導(dǎo)體設(shè)備材料協(xié)會(huì)」(SEMI)臺(tái)灣區(qū)副總裁何玫玲表示，此次展覽規(guī)模，創(chuàng)下歷年最高紀(jì)錄，總計(jì)超過六百五十家廠商、一千四百一十個(gè)攤位，參展廠商和參觀人數(shù)則突破四萬。比起去年，何玫玲直言，今年展覽買氣強(qiáng)旺，買主洽談會(huì)共約六十場(chǎng)，這是往年沒有發(fā)生的現(xiàn)象。 2014年半導(dǎo)體展概念股臺(tái)廠營運(yùn)情形 何玫玲分析并解釋說，買氣旺盛，應(yīng)是國內(nèi)龍頭廠商臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)等，近年大力扶持國內(nèi)
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手機(jī)芯片加速整合 3D IC是重要武器
- 3D IC將是半導(dǎo)體業(yè)者站穩(wěn)手機(jī)晶片市場(chǎng)的必備武器。平價(jià)高規(guī)智慧型手機(jī)興起，已加速驅(qū)動(dòng)內(nèi)部晶片整合與制程演進(jìn);然而，20奈米以下先進(jìn)制程研發(fā)成本極高，但所帶來的尺寸與功耗縮減效益卻相對(duì)有限，因此半導(dǎo)體廠已同步展開3D IC技術(shù)研發(fā)，以實(shí)現(xiàn)更高的晶片整合度，其中，三星已率先宣布將于2014年導(dǎo)入量產(chǎn)。 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體中心研究員蔡宗廷認(rèn)為，MEMS技術(shù)將是手機(jī)設(shè)計(jì)差異化的關(guān)鍵，包括MEMS自動(dòng)對(duì)焦和振蕩器的出貨成長(zhǎng)均極具潛力。 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所半導(dǎo)體中心研究員蔡宗廷表示，2013～2015
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SEMI中國封測(cè)委員會(huì)第五次會(huì)議聚焦3DIC標(biāo)準(zhǔn)
- 在西安市高新開發(fā)區(qū)管委會(huì)大力支持下，SEMI中國封測(cè)委員會(huì)第五次會(huì)議近日在西安成功召開。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁陸郝安與西安高新開發(fā)區(qū)安主任共同為會(huì)議致辭，吳凱代表SEMI中國同與會(huì)者分享了中國半導(dǎo)體及封測(cè)市場(chǎng)現(xiàn)況、SEMI標(biāo)準(zhǔn)制定流程和重要意義、SEMI標(biāo)準(zhǔn)在北美的成功案例等主題報(bào)告。經(jīng)過熱烈討論，代表們就3DIC標(biāo)準(zhǔn)的制訂在以下幾個(gè)方面達(dá)成共識(shí)： 一是臺(tái)灣和北美對(duì)3DIC發(fā)展方向也不明確，中國半導(dǎo)體投資巨大且貼近應(yīng)用市場(chǎng)，有機(jī)會(huì)趕上歐美先進(jìn)水平，甚至在特定領(lǐng)域可實(shí)現(xiàn)"彎道
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中芯國際成立視覺、傳感器以及3DIC中心
- 中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)宣布成立視覺、傳感器和3DIC中心(簡(jiǎn)稱CVS3D)。中芯國際CVS3D整合、強(qiáng)化了中芯國際在硅傳感器、通過硅通孔(TSV)技術(shù)和其他中端晶圓制程技術(shù)(MEWP)的上的研發(fā)和生產(chǎn)制造能力。而MEWP技術(shù)帶動(dòng)了在CMOS圖像傳感器、MEMS傳感器、三維堆疊設(shè)備，和基于TSV2.5D和3D的高性能系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)方面的顯著進(jìn)步。 半導(dǎo)體行業(yè)正快速采用基于TSV2.5D和3DIC的技術(shù)，使系統(tǒng)芯片進(jìn)一步小型化，同時(shí)降低功耗、提高設(shè)備和系統(tǒng)性能。根據(jù)201
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