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          三星宣布3nm芯片成功流片,規(guī)?;慨a(chǎn)時間節(jié)點臨近

          •   6月29日消息,據(jù)外媒報道,三星宣布,3nm制程技術已經(jīng)正式流片。據(jù)介紹,三星的3nm制程采用的是GAA架構,性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構。  報道稱,三星在3nm制程的流片進度是與新思科技合作完成的,目的在于加速為GAA架構的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化的參考方法。因為三星的3nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的FinFET的架構,而是采用GAA的結構。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。
          • 關鍵字: 芯片  3mm  三星    
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