<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3nm plus

          鎧俠發(fā)布PCIe 5.0 EXCERIA PLUS G4固態(tài)硬盤系列

          • 全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商鎧俠株式會(huì)社,,今日宣布推出 EXCERIA PLUS G4 固態(tài)硬盤系列。該系列專為追求更高性能的游戲玩家和內(nèi)容創(chuàng)作者而設(shè)計(jì),在提高生產(chǎn)力和降低能耗的同時(shí),帶來更佳的 PC 體驗(yàn)。新的SSD系列即將在中國市場上市。EXCERIA PLUS G4系列采用新一代 PCIe 5.0 接口,順序讀取速度高達(dá) 10000MB/s,順序?qū)懭胨俣雀哌_(dá) 8200MB/s(2) (2TB 版本),可完美應(yīng)對(duì)高性能游戲和視頻編輯的需求。在該系列中,鎧俠尤為注重優(yōu)化產(chǎn)品的能耗和散熱性能。與上一代產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: 鎧俠  PCIe 5.0  EXCERIA PLUS G4  固態(tài)硬盤  

          iPhone 17全系無緣臺(tái)積電2nm工藝制程

          • 對(duì)于iPhone 17系列將搭載的芯片將是由臺(tái)積電第三代3nm制程工藝,也就是由N3P制程工藝代工的A19和A19 Pro,iPhone 17和iPhone 17 Air搭載A19芯片,iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max搭載A19 Pro芯片。這也意味著iPhone 17系列無緣臺(tái)積電最新的2nm工藝制程,蘋果最快會(huì)在iPhone 18系列上引入臺(tái)積電2nm制程。資料顯示,臺(tái)積電2nm(N2)工藝最快會(huì)在2025年推出,臺(tái)積電CEO魏哲家在近幾個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上表示2
          • 關(guān)鍵字: iPhone  臺(tái)積電  2nm  3nm  

          曝iPhone 17全系首發(fā)3nm A19系列芯片:無緣臺(tái)積電2nm工藝制程

          • 11月19日消息,分析師Jeff Pu在報(bào)告中提到,iPhone 17、iPhone 17 Air首發(fā)搭載A19芯片,iPhone 17 Pro和iPhone 17 Pro Max首發(fā)搭載A19 Pro芯片,這兩顆芯片都是基于臺(tái)積電第三代3nm制程(N3P)打造。據(jù)悉,iPhone 15 Pro系列首發(fā)的A17 Pro基于臺(tái)積電第一代3nm制程(N3B)打造,iPhone 16系列的A18和A18 Pro基于臺(tái)積電第二代3nm制程(N3E)打造。相比N3E,采用N3P工藝打造的芯片擁有更高的晶體管
          • 關(guān)鍵字: iPhone 17  3nm  A19  臺(tái)積電  2nm  工藝制程  

          臺(tái)積電5nm和3nm供應(yīng)達(dá)到"100%利用率" 顯示其對(duì)市場的主導(dǎo)地位

          • 臺(tái)積電的 5nm 和 3nm 工藝是該公司在市場上"最熱門"的產(chǎn)品之一,據(jù)報(bào)道,這家臺(tái)灣巨頭的利用率達(dá)到了 100%。眾所周知,臺(tái)積電是迄今為止半導(dǎo)體行業(yè)中最具主導(dǎo)地位的公司之一,原因很簡單,因?yàn)橛⑻貭柎S和三星等競爭對(duì)手在產(chǎn)品供應(yīng)方面有所懈怠,這就使得這家臺(tái)灣巨頭可以充分利用不斷涌現(xiàn)的需求。根據(jù)Ctee的報(bào)道,臺(tái)積電預(yù)計(jì)到明年5納米生產(chǎn)線的利用率將達(dá)到100%,理由是人工智能行業(yè)的需求將大幅上升。 這一進(jìn)展充分顯示了臺(tái)積電在現(xiàn)代市場中的主導(dǎo)地位,不給競爭對(duì)手任何空間。臺(tái)積電
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  5nm  3nm  

          三星陷入良率困境,晶圓代工生產(chǎn)線關(guān)閉超30%

          • 根據(jù)韓國三星證券初步的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示,三星3nm GAA制程的良率約為20%,比可達(dá)成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。因訂單量不足關(guān)閉代工生產(chǎn)線進(jìn)入5nm制程時(shí),三星晶圓代工業(yè)務(wù)就因?yàn)闊o法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨(dú)家代工訂單,高通的訂單全給了臺(tái)積電,同樣上個(gè)月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺(tái)積電代工。為了滿足客戶需求,三星并不堅(jiān)持使用自家代工廠,即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機(jī)全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片,放棄自研Exynos2500版本。目前在代工領(lǐng)域,臺(tái)積電拿
          • 關(guān)鍵字: 三星  3nm  良率  晶圓  代工  臺(tái)積電  

          小米公司成功流片國內(nèi)首款3nm手機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片

          • 10月20日消息,據(jù)北京衛(wèi)視消息,北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局總經(jīng)濟(jì)師唐建國表示,小米公司成功流片國內(nèi)首款3nm手機(jī)系統(tǒng)級(jí)芯片。所謂流片,就是像流水線一樣通過一系列工藝步驟制造芯片,簡單來說就是芯片公司將設(shè)計(jì)好的方案,交給晶圓制造廠,先生產(chǎn)少量樣品,檢測一下設(shè)計(jì)的芯片能不能用,根據(jù)測試結(jié)果決定是否要優(yōu)化或大規(guī)模生產(chǎn)。為了測試集成電路設(shè)計(jì)是否成功,必須進(jìn)行流片,這也是芯片設(shè)計(jì)企業(yè)一般都在前期需要投入很大成本的重要原因。此時(shí)的小米再次成功流片,距離上次小米澎湃S1發(fā)布,相隔了7年多時(shí)間。在2017年,小米澎湃S1正式
          • 關(guān)鍵字: 小米  3nm  手機(jī)SoC  

          小米王騰:最新 3nm 制程工藝成本大幅增加、內(nèi)存持續(xù)漲價(jià),年底這一波旗艦定價(jià)都挺難的

          • IT之家 10 月 15 日消息,小米中國區(qū)市場部副總經(jīng)理、Redmi 品牌總經(jīng)理王騰今日發(fā)文,解釋了今年旗艦手機(jī)漲價(jià)的原因:一是旗艦處理器升級(jí)最新 3nm 制程,工藝成本大幅增加另一方面是內(nèi)存經(jīng)過持續(xù)一年的漲價(jià),已經(jīng)到了高點(diǎn),所以大內(nèi)存的版本漲幅更大王騰表示:“年底這一波旗艦定價(jià)都挺難的,每一款好產(chǎn)品都值得被鼓勵(lì)。”IT之家注意到,王騰在這條微博評(píng)論區(qū)表示:“堅(jiān)持價(jià)格厚道”“耐心等下,一定不讓大家失望”。a10 月 10 日,王騰發(fā)文稱:“Redmi 的旗艦新品詳細(xì)梳理了一遍,這一代產(chǎn)品定位和
          • 關(guān)鍵字: 小米.智能手機(jī)  3nm  

          安卓第一款3nm芯片!聯(lián)發(fā)科天璣9400官宣:vivo全球首發(fā)

          • 9月24日消息,今天,聯(lián)發(fā)科官方宣布將于10月9日舉行新一代MediaTek天璣旗艦芯片新品發(fā)布會(huì)。本次發(fā)布會(huì)將發(fā)布天璣9400移動(dòng)平臺(tái),這將是聯(lián)發(fā)科最強(qiáng)悍的手機(jī)芯片,它首次采用臺(tái)積電3nm工藝制程,是安卓陣營第一顆3nm芯片。不止于此,天璣9400首發(fā)采用Arm Cortex-X925超大核,這次為了突出CPU升級(jí)巨大,Arm專門更改了Cortex-X的命名規(guī)則,對(duì)比上代X4,Cortex-X925超大核性能提升36%,AI性能提升41%。GPU方面,天璣9400搭載最新的Mali-G925-Immor
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)科  天璣9400  手機(jī)芯片  3nm  

          拆解:三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

          • 三星最新推出的Galaxy Watch 7,繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號(hào)承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處,同時(shí)在性能、健康追蹤和用戶體驗(yàn)方面實(shí)現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實(shí)驗(yàn)室收到了Galaxy Watch系列的最新款,目前正在對(duì)其進(jìn)行拆解和詳細(xì)的技術(shù)分析。敬請(qǐng)期待我們對(duì)Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析,我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
          • 關(guān)鍵字: 三星  Galaxy Watch 7  Exynos W1000  處理器  3nm  GAA  

          基于i.MX 8M Plus和AR0234的視覺方案

          • 該方案采用NXP的i.MX8MP作為主控平臺(tái),搭配Onsemi的AR0234圖像傳感器。 系統(tǒng)利用AR0234傳感器采集環(huán)境圖像數(shù)據(jù),隨后通過i. MX8MP處理器進(jìn)行高效的圖像分析和處理。 這個(gè)方案采用的處理器使用了先進(jìn)的14nm LPC FinFET工藝技術(shù),支持高達(dá)4K的視頻解碼能力。 它不僅配備有強(qiáng)大的四核Arm Cortex-A53處理器,運(yùn)行速度高達(dá)1.8GHz,還內(nèi)置了一個(gè)高達(dá)2.3 TOPS的神經(jīng)處理單元(NPU)。 這使得它能夠處理復(fù)雜的圖像識(shí)別和處理任務(wù),如面部識(shí)別、對(duì)象追
          • 關(guān)鍵字: i.MX 8M Plus  AR0234  視覺方案  NXP  安森美  

          三星3nm取得突破性進(jìn)展!Exynos 2500樣品已達(dá)3.20GHz

          • 7月14日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進(jìn)展。Exynos 2500的工程樣品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3.20GHz的高頻運(yùn)行,這一頻率不僅超越了此前的預(yù)期,而且比蘋果A15 Bionic更省電,效率表現(xiàn)更為出色。此前,有關(guān)三星3nm GAA工藝良率過低的擔(dān)憂一度影響了市場對(duì)Exynos 2500的信心,特別是在Galaxy S25系列手機(jī)的穩(wěn)定首發(fā)方面。不過三星在月初的聲明中,對(duì)外界關(guān)于3nm工藝良率不足20%的傳聞進(jìn)行了否認(rèn),強(qiáng)調(diào)其3nm GAA工藝的良率和性能已經(jīng)穩(wěn)定,產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: 三星  3nm  Exynos 2500  3.20GHz  

          臺(tái)積電試產(chǎn)2nm制程工藝,三星還追的上嗎?

          • 據(jù)外媒報(bào)道,臺(tái)積電的2nm制程工藝將開始在新竹科學(xué)園區(qū)的寶山晶圓廠風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),生產(chǎn)設(shè)備已進(jìn)駐廠區(qū)并安裝完畢,相較市場普遍預(yù)期的四季度提前了一個(gè)季度。芯片制程工藝的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)是為了確保穩(wěn)定的良品率,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn),風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)之后也還需要一段時(shí)間才會(huì)量產(chǎn)。在近幾個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上,臺(tái)積電CEO魏哲家是多次提到在按計(jì)劃推進(jìn)2nm制程工藝在2025年大規(guī)模量產(chǎn)。值得一提的是,臺(tái)積電在早在去年12月就首次向蘋果展示了其2nm芯片工藝技術(shù),預(yù)計(jì)蘋果將包下首批的2nm全部產(chǎn)能。臺(tái)積電2nm步入GAA時(shí)代作為3n
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積  三星  2nm  3nm  制程  

          Windows on Arm 繼續(xù)存在 高通拯救了Microsoft

          曝臺(tái)積電3nm瘋狂漲價(jià):6nm/7nm制程卻降價(jià)了

          • 7月8日消息,業(yè)內(nèi)人士手機(jī)晶片達(dá)人爆料,臺(tái)積電6nm、7nm產(chǎn)能利用率只有60%,明年1月1日起臺(tái)積電會(huì)降價(jià)10%。與之相反的是,因3nm、5nm先進(jìn)制程工藝產(chǎn)能供不應(yīng)求,臺(tái)積電明年將漲價(jià)5%-10%。業(yè)內(nèi)人士表示,臺(tái)積電3nm漲價(jià)底氣在于,蘋果、高通、英偉達(dá)與AMD等四大廠包攬臺(tái)積電3nm家族產(chǎn)能,甚至出現(xiàn)了排隊(duì)潮,一路排到2026年。受此影響,采用臺(tái)積電3nm制程的高通驍龍8 Gen4價(jià)格將會(huì)上漲,消息稱驍龍8 Gen4的最終價(jià)格將超過200美元,也就是說單一顆芯片的價(jià)格在1500元左右,相關(guān)終端價(jià)格
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  3nm  漲價(jià)  6nm/7nm  制程  

          聯(lián)發(fā)科、高通手機(jī)旗艦芯片Q4齊發(fā) 臺(tái)積電3nm再添大單

          • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》8日訊,聯(lián)發(fā)科、高通新一波5G手機(jī)旗艦芯片將于第四季推出,兩大廠新芯片都以臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn),近期進(jìn)入投片階段。臺(tái)積電再添大單,據(jù)了解,其3nm家族制程產(chǎn)能客戶排隊(duì)潮已一路排到2026年。在臺(tái)積電3nm制程加持之下,天璣9400的各面向性能應(yīng)當(dāng)會(huì)再提升,成為聯(lián)發(fā)科搶占市場的利器。高通雖尚未公布新一代旗艦芯片驍龍8 Gen 4亮相時(shí)間與細(xì)節(jié),外界認(rèn)為,該款芯片也是以臺(tái)積電3nm制程生產(chǎn),并于第四季推出。價(jià)格可能比當(dāng)下的驍龍8 Gen 3高25%~30%,每顆報(bào)價(jià)來到220美元~240
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)發(fā)科  高通  芯片  臺(tái)積電  3nm  
          共215條 1/15 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

          3nm plus介紹

          您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3nm plus!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3nm plus的理解,并與今后在此搜索3nm plus的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門主題

          樹莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();