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          聯(lián)華電子宣布推出40奈米SST嵌入式快閃記憶體製程

          •   聯(lián)華電子今( 21日)宣布,該公司推出40奈米結(jié)合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash?非揮發(fā)性記憶體的製程平臺(tái)。新推出的40nm奈米SST嵌入式快閃記憶,較量產(chǎn)的55奈米單元尺寸減少20%以上,并使整體記憶體面積縮小了20-30%。東芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司已開始評(píng)估其微處理器(MCU)晶片于聯(lián)華電子40奈米SST技術(shù)平臺(tái)的適用性?! |芝電子元件&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司混合信號(hào)晶片部門副總松井俊也表示:「我們期
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)華電子  40奈米  

          臺(tái)晶圓廠備戰(zhàn)GF并購(gòu)特許 臺(tái)積電支出將增30%

          •   瑞銀臺(tái)灣證券半導(dǎo)體首席分析師程正樺(Jonah Cheng)指出,一旦市場(chǎng)需求不如預(yù)期,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第4季將面臨股價(jià)修正,不建議繼續(xù)追高;而且中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)晶圓雙雄目前迎戰(zhàn)Global Foundrie并購(gòu)特許半導(dǎo)體(Chartered Semiconductor),臺(tái)積電將公布資本支出提高30%。   程正樺對(duì)于臺(tái)灣第4季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望提出較保守看法,由于產(chǎn)業(yè)在第3季開出亮眼財(cái)報(bào),沉浸樂觀氣氛,卻忽略了零組短缺問題,外界對(duì)于景氣將V型復(fù)蘇的看法恐怕太過樂觀,不建議在此刻買進(jìn)半導(dǎo)體類股,并調(diào)降臺(tái)積電和聯(lián)
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  晶圓  40奈米  
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          40奈米介紹

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