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瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點及以上工藝芯片晶體管技術
- 瑞薩科技開發(fā)用于45納米節(jié)點及以上工藝芯片的高性能、低成本晶體管技術 --可以經(jīng)濟地生產(chǎn)帶有采用金屬(P型)和多晶硅(N型)柵極混合結構的CMIS晶體管 而不必對現(xiàn)有的制造工藝進行重要改變— 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)今天宣布,開發(fā)出一種可用于45nm(納米)節(jié)點及以上工藝微處理器和SoC(系統(tǒng)級芯片)產(chǎn)品的高性能和低成本晶體管技術。新開發(fā)的技術包括采用P型晶體管金屬柵極,以及N型晶體管傳統(tǒng)多晶硅柵極的混合結構的高性能CMIS*1晶體管。它可以在不
- 關鍵字: 45納米節(jié)點 單片機 工藝芯片 晶體管 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩科技
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