45nm 文章進(jìn)入45nm技術(shù)社區(qū)

爆料：華為半導(dǎo)體 “塔山計(jì)劃”開啟，全面扎根芯片制造，年內(nèi)建設(shè) 45nm 產(chǎn)線

近期，華為消費(fèi)者業(yè)務(wù) CEO 余承東在中國(guó)信息化百人會(huì) 2020 年峰會(huì)上表示，華為倡議從根技術(shù)做起，打造新生態(tài)。在半導(dǎo)體方面，華為將全方位扎根，突破物理學(xué)材料學(xué)的基礎(chǔ)研究和精密制造。獲悉，在終端器件方面，華為正大力加大材料與核心技術(shù)的投入，實(shí)現(xiàn)新材料 + 新工藝緊密聯(lián)動(dòng)，突破制約創(chuàng)新的瓶頸。據(jù)微博博主@鵬鵬君駕到爆料，華為宣布將全方位扎根半導(dǎo)體，其在內(nèi)部正式啟動(dòng)“塔山計(jì)劃”并提出明確的戰(zhàn)略目標(biāo)。據(jù)了解，由于國(guó)際大環(huán)境遭受制裁使臺(tái)積電無(wú)法代工華為芯片，導(dǎo)致華為芯片無(wú)法生產(chǎn)，華為由此在內(nèi)部開啟塔山計(jì)劃。根
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Spansion業(yè)界首款45nm 8Gb NOR閃存打造游戲中的視

日前，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的NOR閃存產(chǎn)品廠商宣布推出其業(yè)界首款的45nm 單芯片8Gb NOR閃存產(chǎn)品。不能不說(shuō)，這為游戲業(yè)界和工業(yè)應(yīng)用中的互動(dòng)圖形、動(dòng)畫、視頻領(lǐng)
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Spansion在NOR閃存市場(chǎng)的新進(jìn)展

　　作為NOR閃存最重要的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一，Spansion公司最近發(fā)布了其并行NOR閃存的最新產(chǎn)品，業(yè)界首款45nm單芯片8Gb NOR閃存。該系列產(chǎn)品是Spansion GL并行NOR產(chǎn)品線的最新成員，也是65nm Spansion GL-S產(chǎn)品系列的補(bǔ)充。Spansion公司NOR產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁Jackson Huang介紹說(shuō)，Spansion GL-T 45nm 8Gb NOR閃存的讀取速度可達(dá)95MB/s，編程速度為1.8MB/s，是目前市面上讀取速度最快的產(chǎn)品同時(shí)也是目前市面上最高容量的NOR F
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晶圓代工與制造設(shè)備廠商激增 IC制造初現(xiàn)完整產(chǎn)業(yè)鏈

　　IC制造業(yè)在中國(guó)越來(lái)越成熟，國(guó)際巨頭開設(shè)分廠，本土代工巨頭的成長(zhǎng)，更有更多的中小公司加入進(jìn)來(lái)，共同繁榮和完善中國(guó)的IC制造業(yè)。從以下這些晶圓代工企業(yè)以及制造設(shè)備商中，我們可以管窺到IC制造業(yè)在中國(guó)的布局與發(fā)展現(xiàn)狀。　　像其MCU在業(yè)界的知名度一樣，富士通半導(dǎo)體的芯片制造在代工介的地位也響當(dāng)當(dāng)。富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司市場(chǎng)部副經(jīng)理劉哲介紹到，“我們已經(jīng)成功從65nm轉(zhuǎn)移至55nm，除了很多可以復(fù)用的IP，還有開發(fā)一些適合55nm的IP，包括LP制程。” 　　&ldquo
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上海華力微電子采用明導(dǎo)國(guó)際Calibre? RET和OPC計(jì)算光刻平臺(tái)

　　明導(dǎo)國(guó)際(納斯達(dá)克代碼：MENT)今日宣布，由中國(guó)政府、上海聯(lián)創(chuàng)投資管理有限公司、上海華虹(集團(tuán))有限公司、上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司以及上海華虹NEC電子有限公司等合資成立的晶圓代工企業(yè)上海華力微電子有限公司采用了Calibre? RET 和OPC計(jì)算光刻平臺(tái)，以支持其65、55和45nm工藝的開發(fā)和生產(chǎn)。
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IDC:Intel x86服務(wù)器市場(chǎng)占有率提升為93.5%

　　據(jù)IDC市調(diào)公司最近公布的數(shù)據(jù)顯示，Intel公司在x86服務(wù)器市場(chǎng)的占有率從去年同期的89.9%提升到了今年的93.5%;而其主要對(duì)手之一AMD在服務(wù)器市場(chǎng)的產(chǎn)品占有率則從去年的10.1%跌至6.5%。　　近年來(lái)，Intel成功推出了45nm制程N(yùn)ehalem EX 以及32nm制程 Westmere等數(shù)款重要產(chǎn)品，而AMD方面則轉(zhuǎn)向Opteron6000系列的步調(diào)顯得過(guò)于緩慢，造成用戶關(guān)注度的下降。
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中芯國(guó)際的進(jìn)步

　　中芯國(guó)際公布了其今年Q2的運(yùn)營(yíng)業(yè)績(jī)，銷售額3.81億美元，與上個(gè)季度的3.51億美元相比增長(zhǎng)8.4%，與去年同期相比增長(zhǎng)42.5%。而Q2在臺(tái)積電的認(rèn)購(gòu)股權(quán)支付1.059億美元下，實(shí)現(xiàn)盈利9600萬(wàn)美元。這也是中芯國(guó)際連續(xù)虧損12個(gè)季度后的首次盈利。另外，其Q2的毛利率由Q1的14.6%，上升到Q2的15.6%，及公司的現(xiàn)金流由Q1的1.53億美元上升到Q2的1.67億美元。　　從Q2的業(yè)績(jī)看，成績(jī)不小，而且來(lái)之不易。僅從Q2的毛利率15.6%，它是2007Q1以來(lái)毛利率最高的季度(見下附表)。
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先柵極還是后柵極業(yè)界爭(zhēng)論高K技術(shù)

　　隨著晶體管尺寸的不斷縮小，HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)技術(shù)幾乎已經(jīng)成為45nm以下級(jí)別制程的必備技術(shù).不過(guò)在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的工藝方面，業(yè)內(nèi)卻存在兩大各自固執(zhí)己見的不同陣營(yíng)，分別是以IBM為代表的Gate-first(先柵極)工藝流派和以Intel為代表的Gate-last(后柵極)工藝流派，盡管兩大陣營(yíng)均自稱只有自己的工藝才是最適合制作HKMG晶體管的技術(shù)，但一般來(lái)說(shuō)使用Gate-first工藝實(shí)現(xiàn)HKMG結(jié)構(gòu)的難點(diǎn)在于如何控制 PMOS管的Vt電壓(門限電壓);而Gate-la
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Intel移動(dòng)處理器全線推新 45nm四核32nm雙核各三款

　　Intel今天悄然推出了六款移動(dòng)處理器，其中三款屬于45nm工藝四核心，三款屬于 32nm工藝雙核心。不幸的是，由于缺乏競(jìng)爭(zhēng)等因素，相對(duì)應(yīng)的舊型號(hào)無(wú)一降價(jià)。45nm Nehalem Clarksfield四核心家族方面，此番新增的最高端型號(hào)是至尊版“Core i7-940XM Extreme Edition”，主頻相比原有的i7-920XM提升到2.13GHz，Turbo Boost動(dòng)態(tài)加速最高3.33GHz，其他規(guī)格不變：三級(jí)緩存8MB，熱設(shè)計(jì)功耗55W，支持超線程技術(shù)(邏輯
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Gloabl Foundries 30億美元的賭局

　　Gloabl Foundries(GF)聲稱將投資30億美元用來(lái)擴(kuò)充德國(guó)與美國(guó)的產(chǎn)能，以回應(yīng)全球代工近期呈現(xiàn)的產(chǎn)能饑餓癥。　　歐洲：在Dresden新建Fab 12，目標(biāo)是45nm、28nm及22nm，月產(chǎn)能8萬(wàn)片，潔凈廠房面積11萬(wàn)平方英尺。項(xiàng)目已經(jīng)國(guó)家與歐盟批準(zhǔn)，并于2011年開始量產(chǎn)。　　GF發(fā)言人稱Dresden投資在14-15億美元。　　美國(guó)：GF正在紐約的Luther Forecast興建Fab 8，目標(biāo)為28nm及22nm，總建筑面積為30萬(wàn)平方英尺，其中潔凈廠房為9萬(wàn)平方英
關(guān)鍵字： GloablFoundries 22nm 45nm 28nm

IC測(cè)試的創(chuàng)新

　　EDA工具加速IC測(cè)試　　隨著IC制程節(jié)點(diǎn)從90nm向65nm和45nm延伸，需要測(cè)試的數(shù)據(jù)量會(huì)激增，相應(yīng)地會(huì)帶來(lái)測(cè)試成本的提高(圖1)。例如，從90nm到65nm時(shí)，由于增加了門數(shù)，傳統(tǒng)的測(cè)試量急劇增加;同時(shí)，在速(at-speed)測(cè)試也成倍增加，這是由于時(shí)序和信號(hào)完整性的敏感需求;到了45nm時(shí)代，在前兩者的基礎(chǔ)上，又增加了探測(cè)新缺陷的測(cè)試。　　為了提高測(cè)試效率，對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的壓縮持續(xù)增長(zhǎng)。據(jù)ITRS(國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)預(yù)測(cè)(圖2)，2010年的壓縮需求比2009年翻番。
關(guān)鍵字： EDA IC測(cè)試 65nm 45nm 201001

GlobalFoundries和Qualcomm簽訂代工協(xié)議

　　Qualcomm擴(kuò)充了代工廠商，宣布將與GlobalFoundries簽署代工協(xié)議。　　此前，GlobalFoundries稱有意為Qualcomm提供45nm低功耗和28nm代工技術(shù)，并在未來(lái)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)開展合作。　　GlobalFoundries將為CDMA2000、WCDMA和4G/LTE手機(jī)芯片提供代工。雙方都期待GlobalFoundries今年能在德國(guó)Dresden工廠為Qualcomm代工。　　除了先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)，雙方還希望在其他領(lǐng)域，如芯片封裝和3D封裝技術(shù)上開展合作。　　此
關(guān)鍵字： GlobalFoundries 手機(jī)芯片 45nm 28nm

中芯國(guó)際深圳8/12英寸廠舉行完工慶典

　　剛剛從與臺(tái)積電的專利官司漩渦中脫身，大陸芯片廠商中芯國(guó)際旗下兩座深圳芯片廠便于日前舉行了完工慶典，這兩間工廠分別具備200mm(8英寸)以及300mm(12英寸)生產(chǎn)能力.中芯公司新任CEO王寧國(guó)還參加了于11月19日舉辦的這次慶典活動(dòng)。　　按中芯的計(jì)劃，明年這間建成的深圳8英寸廠便將開始安裝生產(chǎn)設(shè)備.不僅如此，新建的另一間12英寸廠還將支持45nm制程工藝，45nm有關(guān)的技術(shù)是從IBM授權(quán)得到的。　　王寧國(guó)在這次慶典活動(dòng)中宣稱新建的深圳工廠將提升中芯公司在南中國(guó)區(qū)的芯片生產(chǎn)能力。按中芯與深圳
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中芯國(guó)際2億美元現(xiàn)金與臺(tái)積電和解出售10%股份

　　中芯國(guó)際日前宣布，與臺(tái)積電簽訂和解協(xié)議，將向臺(tái)積電分期四年支付2億美元現(xiàn)金，同時(shí)向臺(tái)積電發(fā)行新股及授予認(rèn)股權(quán)證，交易完成后臺(tái)積電將持有中芯國(guó)際10%股份。　　根據(jù)和解協(xié)議，雙方將解除所有已經(jīng)或者可能已經(jīng)訴諸待決訴訟的指控;終止中芯國(guó)際根據(jù)前份和解協(xié)議應(yīng)支付的剩余約4000萬(wàn)美元付款責(zé)任;中芯國(guó)際向臺(tái)積電支付共2億美元，和解協(xié)議執(zhí)行時(shí)先支付1500萬(wàn)美元現(xiàn)金，剩余將在四年內(nèi)分期支付，2009年12月31日前須支付1500萬(wàn)美元，2010年12月31日前支付8000萬(wàn)美元，2011年到2013年每年1
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 90nm 65nm 45nm

中芯國(guó)際CEO張汝京離職王寧國(guó)接任

　　中芯國(guó)際昨日宣布CEO張汝京離職，王寧國(guó)接任。此前中芯國(guó)際已連續(xù)十個(gè)季度出現(xiàn)虧損，上周在美國(guó)被判竊取臺(tái)積電商業(yè)機(jī)密。　　中芯國(guó)際董事會(huì)昨日宣布委任王寧國(guó)為董事會(huì)執(zhí)行董事、集團(tuán)總裁兼CEO，委任即時(shí)生效。張汝京由于個(gè)人理由辭任集團(tuán)職務(wù)。　　中芯國(guó)際在提交給香港證交所的聲明中寫道：“董事會(huì)宣布，張汝京將不再按照上市規(guī)則擔(dān)任公司代表，決議即刻生效。江上舟已經(jīng)被指定為公司在交易所的代表，決議即刻生效。” 　　由于將發(fā)布影響股價(jià)的相關(guān)信息，中芯國(guó)際股票自11月4日起停牌至今。
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