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          SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存

          •   正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經(jīng)結(jié)束,亮點(diǎn)頗多?! eynote環(huán)節(jié),倒數(shù)第二個(gè)出場(chǎng)(排在我國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)前)的是SK海力士,它在NAND市場(chǎng)的全球份額排名第五,DRAM份額全球第二?! ∈紫仁?D NAND的技術(shù)路線(xiàn)選擇,SK海力士稱(chēng),CTF(Charge Trap Flash,電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲(chǔ)單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)?! ∑鋵?shí)三星從2013年的第一代V-NAND 3D閃存就開(kāi)始使用CTF了,東芝/西數(shù)(閃迪)的B
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          4d閃存介紹

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