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4d閃存文章進入4d閃存技術社區(qū)

SK海力士宣布業(yè)內(nèi)首款4D閃存

　　正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經(jīng)結束，亮點頗多?！　eynote環(huán)節(jié)，倒數(shù)第二個出場(排在我國的長江存儲前)的是SK海力士，它在NAND市場的全球份額排名第五，DRAM份額全球第二?！　∈紫仁?D NAND的技術路線選擇，SK海力士稱，CTF(Charge Trap Flash，電荷捕獲型)比Floating Gate(浮柵型)存儲單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數(shù)多)。　　其實三星從2013年的第一代V-NAND 3D閃存就開始使用CTF了，東芝/西數(shù)(閃迪)的B
關鍵字： SK海力士 4D閃存

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