50納米文章進(jìn)入50納米技術(shù)社區(qū)

DRAM產(chǎn)業(yè)成本削減步伐將放緩

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場過渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開始將放緩。　　雖然最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度該產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度增大。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。
關(guān)鍵字： DRAM 50納米

美光推出內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本

　　美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動(dòng)™ 的Oak Trail平臺(tái)。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場的理想存儲(chǔ)解決方案。　　美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過渡到更先進(jìn)的 50 納米制程節(jié)點(diǎn)，反映出美光對市場所需的技術(shù)的承諾和持續(xù)投資。從1Gb升級(jí)到2Gb 的元件除了容量提
關(guān)鍵字：美光 50納米 DDR2

鎂光開始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片

　　鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場。　　該芯片采用低電壓DDR2標(biāo)準(zhǔn)制造，可與英特爾開發(fā)代號(hào)Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等，可構(gòu)成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內(nèi)存條，實(shí)現(xiàn)8億MT/s傳輸能力。　　得益于較小的制程，這款芯片可以工作在1.55V的低壓下，以降低系統(tǒng)的電源需求。　　鎂光預(yù)計(jì)這種DD2存儲(chǔ)芯片將在2010年9月開始出樣，年末之前量產(chǎn)出貨。
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迎戰(zhàn)三星臺(tái)塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了

　　南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺(tái)塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會(huì)議表示，原先預(yù)期三星明年下半年啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，其進(jìn)度比預(yù)期快得多，惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺(tái)系廠商;對照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢將提升約40%至50%，臺(tái)塑集團(tuán)已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。　　三星大張旗鼓擴(kuò)充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動(dòng)快的多，也使臺(tái)灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場。　　南亞科董事
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DDR3將成為2010年主流廠商以先進(jìn)制程跟進(jìn)

　　DRAM業(yè)在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM廠商積極擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對。其中臺(tái)塑集團(tuán)的南科、華亞科最為積極，華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長。　　南科、華亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段，南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元，比2009年增長逾45%。南科預(yù)計(jì)，在第二季度時(shí)，旗下月產(chǎn)能3萬片的12英寸廠將全部以50納米制程投片，第三季度所有產(chǎn)品都采用50納米制程投片。　　看好DDR3將成為2010年主流，南科計(jì)劃逐步提升DDR3產(chǎn)品的比重，目標(biāo)由2009年第四季度的30%-40%提
關(guān)鍵字： Elpida 50納米 DRAM 晶圓

爾必達(dá)40納米制程正式對戰(zhàn)美光

　　一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過近1年臥薪嘗膽后，爾必達(dá)2010年開春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn)，良率水平優(yōu)于預(yù)期，確定2010年可一舉進(jìn)入40納米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新臺(tái)幣120億元，就可將旗下8萬片12寸晶圓廠全數(shù)轉(zhuǎn)到40納米制程，與美光及南亞科、華亞科陣營對戰(zhàn)煙硝味濃厚。　　DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米制程是重要分水嶺，除技術(shù)難度外，1臺(tái)動(dòng)輒逾新臺(tái)幣
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南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺(tái)幣

　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準(zhǔn)備沖刺先進(jìn)制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標(biāo)2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時(shí)將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預(yù)計(jì)2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉(zhuǎn)至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計(jì)將達(dá)640億元，主要用于50納米制程。　　南亞科和華亞科第3季營運(yùn)表現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn)，對于先
關(guān)鍵字：南亞科 DRAM 50納米 DDR3 68納米

臺(tái)DRAM廠復(fù)活賽　瑞晶、華亞科跑最快

　　隨著DRAM價(jià)格自谷底翻揚(yáng)，原本哀鴻遍野的DRAM廠傳出轉(zhuǎn)虧為盈好消息，具臺(tái)系色彩的瑞晶將搶下頭香，率先于9月開始小幅獲利，第3季可望損益兩平，華亞科則有機(jī)會(huì)接棒，估計(jì)營收只要站上40億元大關(guān)，便可跨越損益平衡點(diǎn)、順利轉(zhuǎn)虧為盈。目前除瑞晶和華亞科外，包括茂德、力晶都已現(xiàn)金凈流入，南亞科自有產(chǎn)能亦開始有現(xiàn)金流入，臺(tái)系DRAM廠逐漸走出悲情、迎向春天。　　相較于三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)50奈米制程紛已開始量產(chǎn)，臺(tái)系DRAM廠仍停留在70奈米制程，由于臺(tái)、
關(guān)鍵字： Hynix 50納米 DRAM

制程差距擴(kuò)大臺(tái)灣DRAM廠隱憂

　　臺(tái)灣DRAM大廠南科宣布8億股現(xiàn)金增資計(jì)劃，預(yù)計(jì)籌措100億元以上資金，全數(shù)投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現(xiàn)貨價(jià)格已站上每顆2美元，時(shí)間點(diǎn)來得比預(yù)期早，國內(nèi)DRAM廠暫時(shí)度過最艱困的時(shí)刻，但三星半導(dǎo)體將在明年把40納米推升為生產(chǎn)線主力，成本大幅降低的優(yōu)勢，勢必更加顯著，臺(tái)廠與國外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。　　由于DDR2過渡至DDR3面臨產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的瓶頸期，導(dǎo)致DDR3產(chǎn)能不足，進(jìn)一步拉抬DDR2價(jià)格，原本內(nèi)存模塊廠預(yù)測，今年第四季底，DDR2現(xiàn)貨價(jià)才有機(jī)會(huì)達(dá)到2美元，但根據(jù)集邦科技報(bào)
關(guān)鍵字：南科 50納米 40納米 DRAM

海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈

　　韓國半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益，破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。　　據(jù)業(yè)界預(yù)測，2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模，而在2007年第3季以后，三星已連續(xù)7季營運(yùn)呈現(xiàn)虧損。　　分析指出，海力士營運(yùn)改
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分析師擔(dān)心:臺(tái)灣存儲(chǔ)業(yè)能否籌足資金實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇

　　據(jù)金融時(shí)報(bào)報(bào)道，盡管有跡象表明，臺(tái)灣的DRAM存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)可能擺脫為期三年的低迷，但分析師和高管仍然認(rèn)為，臺(tái)灣可能無法充分利用改善中的市場前景。分析師普遍擔(dān)心臺(tái)灣DRAM存儲(chǔ)芯片公司是否能籌足現(xiàn)金，為工廠引進(jìn)50納米技術(shù)。　　DRAM芯片是每臺(tái)計(jì)算機(jī)不可缺少的部分，但該產(chǎn)業(yè)的過度擴(kuò)張導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，過去三年累計(jì)虧損150億美元。　　而經(jīng)濟(jì)危機(jī)更加深了該行業(yè)的困境，唯一的歐洲領(lǐng)先DRAM存儲(chǔ)芯片廠商德國奇夢達(dá)今年破產(chǎn)。　　臺(tái)灣南亞科技，——世界排名第五，上周稱公
關(guān)鍵字： TMC DRAM 50納米存儲(chǔ)芯片 DDR3

DRAM廠40納米開戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

　　臺(tái)系DRAM廠身陷財(cái)務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(dá)(Elpida)這次雖沒趕上50納米世代，差點(diǎn)出現(xiàn)世代交替斷層危機(jī)，公司內(nèi)部已研擬2010年將略過50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來真正決戰(zhàn)點(diǎn)會(huì)是40納米制程技術(shù)。　　三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠2009年紛轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程，且
關(guān)鍵字： DRAM 40納米 60納米 50納米

華亞科完成百億元募資　加速轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程

　　DRAM大廠華亞科日前辦理的海外存托憑證案(GDR)原本價(jià)格訂為新臺(tái)幣14.5元，預(yù)期募集資金116億元，然近期股價(jià)受惠DRAM產(chǎn)業(yè)回春和DRAM價(jià)格反彈，因此一路上漲，最后完成定價(jià)，訂為每股約16.02元，與日前收盤價(jià)相較，則是折價(jià)約10%，預(yù)計(jì)可募得102.5億元資金，加速華亞科下半年將12寸晶圓廠到入50納米制程。　　科技大廠法說會(huì)起跑，2009年DRAM產(chǎn)業(yè)由華亞科和南亞科打頭陣舉辦，將于本周登場，也是華亞科已公布第2季的營運(yùn)數(shù)字，虧損縮小至41億元，南亞科估計(jì)虧損也將較第1季大幅減少，約
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茂德與海力士拆伙擬與TMC合作

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣DRAM廠茂德科技董事會(huì)日前決議，與合作伙伴韓國海力士半導(dǎo)體 (Hynix)簽訂停止合作協(xié)議書。茂德表示，未來將轉(zhuǎn)與臺(tái)灣內(nèi)存公司(TMC)等合作。　　茂德甫于去年5月與海力士簽署策略聯(lián)盟合約，不僅延續(xù)雙方既有的技術(shù)合作伙伴關(guān)系，海力士將技轉(zhuǎn)50納米世代堆疊式DRAM制程技術(shù)給茂德;海力士還斥資新臺(tái)幣34.56億元，取得5.76億股茂德私募增資股。　　此外，海力士資深副總裁Min Goo Choi也于今年茂德股東常會(huì)董監(jiān)事改選中，順利當(dāng)選董事。　　只是在茂德制程技術(shù)尚未推
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日本爾必達(dá)與臺(tái)灣力晶緊密合作聯(lián)手抗韓

　　日本記憶體大廠爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄表示，爾必達(dá)近期獲得新資金後，將挪1000億日圓發(fā)展海外先進(jìn)制程，包括與臺(tái)灣力晶合資的瑞晶，目標(biāo)是聯(lián)手抗韓。　　經(jīng)濟(jì)日報(bào)電話專訪坂本指出，爾必達(dá)與即將成立的臺(tái)灣記憶體公司(TMC)的合作，不影響與既有合作伙伴力晶的友好關(guān)系，三方是“互補(bǔ)合作”。　　對于日本政府在周二通過給予爾必達(dá)總額1400億日圓的注資及貸款當(dāng)中，坂本表示，400億是具政府資金色彩，這部分必須留在日本作為廣島廠的資金運(yùn)用;至于其他1000億元，爾必達(dá)會(huì)用來
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