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海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片
- 據(jù)報(bào)道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內(nèi)存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會(huì)在本月開始投入量產(chǎn)。 此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號(hào)稱是目前主流1Gb DDR3市場(chǎng)上性能最高的內(nèi)存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3內(nèi)存芯片的市場(chǎng)份額已經(jīng)達(dá)到了87%，更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場(chǎng)上的主流。 根據(jù)海力士的介紹，數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、超級(jí)計(jì)算機(jī)或
- 關(guān)鍵字： 海力士 內(nèi)存芯片 54nm DDR3
茂德宣布中止與海力士54nm內(nèi)存芯片制程合作項(xiàng)目
- 茂德電子(Promos)23日向臺(tái)灣證交所提報(bào)了一份聲明，聲明稱茂德與海力士間有關(guān)54nm制程內(nèi)存芯片制造技術(shù)的合作協(xié)議已宣告中止。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為此舉意味著茂德將轉(zhuǎn)而投入爾必達(dá)以及即將成立的TMC臺(tái)灣內(nèi)存公司的懷抱。茂德發(fā)言人稱，與海力士間54nm制程技術(shù)合作關(guān)系的結(jié)束并不會(huì)影響到兩家公司在現(xiàn)有主流制程技術(shù)方面的合作關(guān)系，不過他并沒有對(duì)此作詳細(xì)說明。 2005年，茂德在海力士的幫助下成功轉(zhuǎn)向90nm制程技術(shù)，2007年又在其協(xié)助下轉(zhuǎn)換為70nm制程。不過按此前的報(bào)道，茂德在轉(zhuǎn)向54nm制程的過程中
- 關(guān)鍵字： 茂德 內(nèi)存芯片 54nm 90nm
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