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	5nm 工藝
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          10nm跨三世代 Intel 2020年進5nm制程
          
                                                            
            
                    	
          • 　　先前證實采用10nm制程技術(shù)的“Cannonlake”將延后至2017年下半年間推出消息后，相關(guān)消息具體透露Intel計畫將以10nm制程打造代 號“Icelake”與“Tigerlake”處理器系列，分別將于2018年與2019年揭曉，同時預(yù)計在2020年時進入5nm制程發(fā)展，但目前暫時 尚未透露預(yù)計推行處理器代號名稱。
　　根 據(jù)overclock3d.net網(wǎng)站取得資料顯示，Intel將以10nm制程技術(shù)打造代號&ldqu
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          • 關(guān)鍵字：
                        Intel  5nm                          
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          臺積電計劃在2020年推出5nm芯片生產(chǎn)線
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　芯片制造工藝的提高有助于降低功耗并提升性能，目前三星和臺積電均已經(jīng)可以以14nm/16nm工藝制造芯片，而據(jù)報道，臺積電正計劃最早在2020上半年推出5nm工藝制造技術(shù)。此外，7nm工藝的芯片也有望在2018年早些時候量產(chǎn)。如果他們的進度靠譜，就意味著2年間的芯片尺寸縮減會達到50%。
　　

 
　　開發(fā)7nm以下芯片的制造過程是相當(dāng)棘手的，但臺積電將答案寄托在了極紫外光刻(UAV)技術(shù)上。該公司稱，他們已經(jīng)在這方面取得了“重大進展”，并預(yù)計延伸至5nm技術(shù)
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          • 關(guān)鍵字：
                        臺積電  5nm                          
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          臺積電7納米SRAM打贏三星 要準(zhǔn)備5nm制程
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺積電與英特爾、三星的先進制程競賽依舊打得火熱，10納米以下制程成為半導(dǎo)體三雄間的競逐場，三星雖于11月中搶先發(fā)表10納米FinFET制程生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)，看似搶先臺積電與三星，不過，臺積電3日透露，早已成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM，而且預(yù)告5納米也要來了!　　臺積電于3日舉辦第十五屆供應(yīng)鏈管理論壇，臺積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音表示，庫存調(diào)整已近尾聲，2016有望恢復(fù)成長，臺積明年將比今年更好，與先前自家董事長張忠謀的說法一致，劉德音對臺積電先進制程進度也透露更多的訊息?！　≡?
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          • 關(guān)鍵字：
                        臺積電  5nm                          
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          三星稱5nm工藝芯片制造完全沒有問題
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　就在昨天的 ISSCC(International Solid State Circuit Conference)國際固態(tài)電路會議上，三星的舉動令業(yè)界感 到驚訝，全球首次展示了 10nm FinFET 半導(dǎo)體制程。當(dāng)時業(yè)內(nèi)人士紛紛表示，三星有望搶在英特爾之前造出全球第一款 10nm 工藝用于移動平臺的處理器。
　　

 
　　實 際上，作為韓國高科技巨頭，三星在半導(dǎo)體制造方面已經(jīng)非常超前，目前僅有三星一家可以正式大規(guī)模量產(chǎn) 14nm FinFET 工藝的移動設(shè)備芯片，而此前在工藝方面
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  固態(tài)電路  5nm                          
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          28nm以下工藝成本與收益現(xiàn)矛盾
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　三十多年來，半導(dǎo)體工業(yè)繞來繞去都繞不開“摩爾定律”，但是隨著工藝的提升，業(yè)內(nèi)專家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過15年后摩爾定律就不管用了，日前他在IEDM國際電子元件會議上同樣做了類似表示，現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝將在5nm階段達到極限，而且28nm工藝之后制造成本已不能從中獲益。

　　Samueli在接受EETimes采訪時談到了現(xiàn)在的半導(dǎo)體工藝狀態(tài)，28nm及之后的工藝雖然會繼續(xù)提升芯片的性能、降低功耗，但在成本上已經(jīng)不能繼續(xù)受益，未
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          • 關(guān)鍵字：
                        28nm  5nm                          
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          Intel已開始研發(fā)7nm及5nm工藝
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Intel CEO Paul Otellini近日對投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時代的遠景規(guī)劃。
　　他說：“我們的研究和開發(fā)是相當(dāng)深遠的，我是說(未來)十年?！?
　　按照路線圖，22nm工藝之后，Intel將在2013年進入14nm時代，相應(yīng)產(chǎn)品代號Broadwell。下一站是10nm，目前還在早期研究階段，預(yù)計2015年左右實現(xiàn)。
　　7nm、5nm現(xiàn)在都處于理論研究階段，具體如何去做還遠未定案
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          • 關(guān)鍵字：
                        Intel  5nm                          
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          三星：硅技術(shù)尺寸微縮還將延續(xù)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子公司執(zhí)行副總裁兼研發(fā)中心總經(jīng)理Kinam Kim在近日IMEC技術(shù)論壇上表示，業(yè)界有人認(rèn)為芯片特征尺寸微縮極限在5nm左右，而他并不同意這一說法，他相信存在眾多可能的途徑來克服硅微縮過程中所遇到的障礙，使硅產(chǎn)業(yè)越過納米量級。
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          • 關(guān)鍵字：
                        三星  硅  5nm                          
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          5nm 工藝介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條5nm 工藝!
           
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