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          在臺(tái)積電奮力沖刺5nm量產(chǎn)之時(shí),三星緣何突然松了油門?

          • 明年將是5nm制程的大年,在臺(tái)積電的5nm良率爬升再破記錄,并且擴(kuò)產(chǎn)也進(jìn)入了實(shí)質(zhì)性階段之時(shí),三星卻將他們的EUV光刻機(jī)資源幾乎都分給了存儲(chǔ)芯片的制造,讓人不禁疑惑,三星這是打算減緩5nm規(guī)模量產(chǎn)的步伐了?高歌猛進(jìn)的臺(tái)積電臺(tái)積電在前陣舉辦的第26屆線上技術(shù)研討會(huì)上,除了7nm的增產(chǎn)計(jì)劃,以及3nm的投產(chǎn)計(jì)劃外,特別提到了他們5nm 缺陷密度提升數(shù)據(jù),其提升趨勢(shì)已經(jīng)超過(guò)了7nm時(shí)的同期水準(zhǔn)。缺陷密度:D0=缺陷密度(Defect Density)指的是:晶圓表面每平方厘米(cm2)上的缺陷個(gè)數(shù)。這是芯片制造中
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  5nm量  三星  
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          5nm量介紹

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