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          Meta 展示新款 MTIA 芯片:5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

          • 4 月 11 日消息,Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后,近日發(fā)布新聞稿,介紹了新款 MTIA 芯片的細(xì)節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝,而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝,采用更大的物理設(shè)計(擁有更多的處理核心),功耗也從 25W 提升到了 90W,時鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片,與 MTIA v1 相比,整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動表示
          • 關(guān)鍵字: Meta  MTIA 芯片  5nm 工藝  90W 功耗  1.35GHz  

          iPhone 17 Pro將首發(fā)!曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時間敲定

          • 4月11日消息,根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息,臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據(jù)了解,臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始,而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是,臺積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年,臺積電將開始推進(jìn)1.4納米工藝節(jié)點,這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況,臺積電最新的工藝制程很可能會由蘋果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時間表,iPhone 17 Pro將成為首批
          • 關(guān)鍵字: iPhone 17 Pro  臺積電  2nm  1.4nm  工藝  

          One UI 6.1 導(dǎo)致 Galaxy S23 系列手機指紋識別出問題

          • 4 月 8 日消息,近日,三星為 Galaxy S23 系列機型推送的 One UI 6.1 更新意外導(dǎo)致了手機的指紋識別功能出現(xiàn)故障。有用戶反映,使用指紋識別解鎖手機時,會出現(xiàn)第一次識別失敗,手指離開后再重新識別才能解鎖的情況。還有用戶表示,每次使用指紋識別解鎖手機時,系統(tǒng)都會崩潰,需要連續(xù)嘗試兩次才能成功。據(jù) AndroidAuthority 報道,三星韓國社區(qū)論壇的一位社區(qū)經(jīng)理已經(jīng)確認(rèn)了該問題的存在。他表示:“對于設(shè)備使用過程中出現(xiàn)的不便,我們深表歉意。我們已經(jīng)確認(rèn),部分情況下鎖屏的指紋識別功能
          • 關(guān)鍵字: One UI 6.1  Galaxy S23  手機指紋  識別  

          三星計劃推出Mach-1:輕量級AI芯片,搭配LPDDR內(nèi)存

          • 三星電子DS部門負(fù)責(zé)人慶桂顯(Kye Hyun Kyung)在第55屆股東大會上宣布,將于2025年初推出人工智能(AI)芯片Mach-1,正式進(jìn)軍AI芯片市場。三星希望,能夠在快速增長的人工智能硬件領(lǐng)域與其他公司進(jìn)行競爭,比如英偉達(dá)。據(jù)SeDaily報道,Mach-1屬于ASIC設(shè)計,被定為為輕量級人工智能芯片,搭配LPDDR內(nèi)存產(chǎn)品。其擁有一項突破性的功能,與現(xiàn)有的設(shè)計相比,能顯著降低了推理應(yīng)用的內(nèi)存帶寬需求,僅為原來的八分之一,降低了87.5%。三星認(rèn)為,這一創(chuàng)新設(shè)計將使Mach-1在效率和成本效益
          • 關(guān)鍵字: 三星  Mach-1  AI芯片  LPDDR內(nèi)存  

          xAI宣布開源大語言模型Grok-1并開放下載

          • 3月18日消息,美國當(dāng)?shù)貢r間周日,埃隆·馬斯克(Elon Musk)旗下的人工智能初創(chuàng)企業(yè)xAI宣布,其大語言模型Grok-1已實現(xiàn)開源,并向公眾開放下載。感興趣的用戶可通過訪問GitHub頁面github.com/xai-org/grok來使用該模型。xAI介紹稱,Grok-1是一款基于混合專家系統(tǒng)(Mixture-of-Experts,MoE)技術(shù)構(gòu)建的大語言模型,擁有3140億參數(shù)。近期,公司發(fā)布了Grok-1的基本模型權(quán)重和網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)詳情。該公司表示,Grok-1始終由xAI自行訓(xùn)練,其預(yù)訓(xùn)練階段于
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          貿(mào)澤開售加快工業(yè)IoT設(shè)備開發(fā)的Boundary Devices Nitrogen8M Plus SMARC

          • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售Boundary Devices的Nitrogen8M Plus?SMARC。Nitrogren8M Plus SMARC是一款符合SMARC 2.1行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的高性能系統(tǒng)級模塊?(SoM),與SMARC載板相結(jié)合可組成單板計算機,大大加快產(chǎn)品上市速度。Nitrogen8M Plus SMARC是各種工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)?(IIoT)?應(yīng)用的
          • 關(guān)鍵字: 貿(mào)澤  工業(yè)IoT設(shè)備  Boundary  SMARC 2.1  

          思特威推出全新5000萬像素1/1.28英寸圖像傳感器SC580XS

          • 2024年1月11日,中國上海 — 思特威(上海)電子科技股份有限公司(股票簡稱:思特威,股票代碼:688213),重磅推出其首顆5000萬像素1/1.28英寸圖像傳感器新品——SC580XS。此款新品是思特威繼成功量產(chǎn)第一顆22nm HKMG Stack工藝的5000萬像素1/1.56英寸產(chǎn)品SC550XS之后,在同一工藝平臺打造的升級產(chǎn)品。作為1.22μm像素尺寸圖像傳感器,SC580XS搭載思特威新一代像素技術(shù)SFCPixel?-2以及PixGain HDR?、AllPix ADAF?等多項技術(shù)和工
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          詳細(xì)分析機電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法

          • 本文介紹已獲專利的適用于機電接觸應(yīng)用的1-Wire?接觸封裝解決方案,并對比傳統(tǒng)的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優(yōu)越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議,并作了機械規(guī)格和可靠性分析。越來越多的系統(tǒng)要求為傳統(tǒng)的非電子外設(shè)或耗材添加電子功能,包括存儲校準(zhǔn)數(shù)據(jù)或制造信息,或者存儲外設(shè)、配件或耗材的OEM認(rèn)證。這就要求系統(tǒng)需要添加存儲和安全功能,還必須在主機和外設(shè)之間添加機電連接功能。已獲專利的1-Wire接觸封裝(以前稱為SFN封裝)專為機電接觸環(huán)境而設(shè)計,典型應(yīng)用包括對象識
          • 關(guān)鍵字: 1-Wire  封裝  機電  

          Diodes公司的低功耗1.8V、2.5Gbps、雙數(shù)據(jù)通道ReDriver支持 MIPI D-PHY 1.2協(xié)議

          • Diodes 公司 (Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI? D-PHY 1.2 協(xié)議的信號 ReDriver?。PI2MEQX2503 可重建從相機傳輸?shù)斤@示器的信號,數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 2.5Gbps,適用于筆記本電腦、平板電腦、手機、物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備、商用顯示器、增強現(xiàn)實頭戴顯示器、無人機和機器人等各種產(chǎn)品應(yīng)用。PI2MEQX2503 具有雙數(shù)據(jù)通道均衡器和單時鐘通道,可補償與 PCB、接口、線材及開關(guān)相關(guān)的損耗。此 ReDriver 可實現(xiàn)從 CSI2 信號來源傳輸?shù)?D
          • 關(guān)鍵字: Diodes  ReDriver  MIPI D-PHY 1.2  

          Diodes公司的低功耗1.8V、2.5Gbps、雙數(shù)據(jù)通道ReDriver支持MIPI D-PHY 1.2協(xié)議

          • Diodes?公司?(Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合?MIPI??D-PHY 1.2?協(xié)議的信號?ReDriver?。PI2MEQX2503?可重建從相機傳輸?shù)斤@示器的信號,數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)?2.5Gbps,適用于筆記本電腦、平板電腦、手機、物聯(lián)網(wǎng)?(IoT)?設(shè)備、商用顯示器、增強現(xiàn)實頭戴顯示器、無人機和機器人等各種產(chǎn)品應(yīng)用。PI2MEQX2503?具有雙數(shù)據(jù)通道均衡器和單時鐘通
          • 關(guān)鍵字: Diodes  ReDriver  MIPI  D-PHY 1.2協(xié)議  

          擁有8:1輸入比的1/4磚100W DC/DC轉(zhuǎn)換器

          • Flex Power?Modules向其產(chǎn)品系列中加入了一款全新1/4磚、底板冷卻的DC/DC轉(zhuǎn)換器PKM8100A,該產(chǎn)品具有9-75 VDC超寬的輸入范圍(100V/100 ms)。PKM8100A以最高達(dá)89%的效率提供100 W功率,并提供12 V/8.35A或54 V/1.85 A的初始輸出。產(chǎn)品的輸入到輸出隔離電壓額定值為3000 VDC,滿足IEC/UL 62368-1的要求。該產(chǎn)品具有豐富的功能,包括遠(yuǎn)程控制、輸出微調(diào)和遙感功能,保護(hù)功能則涵蓋過溫、輸入欠壓鎖定、輸出過壓和短路。
          • 關(guān)鍵字: Flex Power Modules  1/4磚  DC/DC轉(zhuǎn)換器  

          機電1-Wire接觸封裝解決方案及其安裝方法

          • 本文介紹已獲專利的適用于機電接觸應(yīng)用的1-Wire?接觸封裝解決方案,并對比傳統(tǒng)的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優(yōu)越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議,并作了機械規(guī)格和可靠性分析。
          • 關(guān)鍵字: 機電  1-Wire接觸封裝  

          臺積電高雄廠已完成2nm營運團(tuán)隊建設(shè),未來或切入1.4nm

          • 據(jù)中國臺灣經(jīng)濟(jì)日報報道,臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠(Fab 22),并且完成該廠2nm營運團(tuán)隊建設(shè)。臺積電供應(yīng)鏈認(rèn)為,臺積電或許可能將高達(dá)逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉(zhuǎn)向高雄,但仍視其他縣市爭取臺積電進(jìn)駐態(tài)度及臺積電全盤規(guī)劃而定。報道指出,臺積電打破在不同產(chǎn)區(qū)同時生產(chǎn)最先進(jìn)制程的慣例,將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規(guī)劃,改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際,也立刻于高雄第一期工廠作為生產(chǎn)2納米制程。此前據(jù)TechNews消息,臺積電在北部(新竹寶山)、中部(臺中
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  2nm  1.4nm  

          芯科科技為新發(fā)布的Matter 1.2版本提供全面開發(fā)支持

          • Silicon Labs(亦稱“芯科科技”)接續(xù)著連接標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟(CSA,Connectivity Standards Alliance)宣布其全面支持最新發(fā)布的Matter 1.2標(biāo)準(zhǔn)。Matter 1.2版本是該協(xié)議自2022年秋季發(fā)布以來的第二次更新。基于一年進(jìn)行兩次更新的步調(diào),可以幫助開發(fā)者引入新的設(shè)備類型,將Matter擴(kuò)展到新的市場,同時可帶來互操作性和用戶體驗提升方面的其他改進(jìn)。Matter協(xié)議旨在利用Wi-Fi和Thread等現(xiàn)有的IP網(wǎng)絡(luò)技術(shù)來實現(xiàn)智能家居設(shè)備的互聯(lián)互通,以建立一種新的開放
          • 關(guān)鍵字: 芯科  Matter 1.2  

          使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝

          • ●? ?介紹隨著技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節(jié)點,后段器件集成將會遇到新的難題,比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差,并實現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝,需要進(jìn)行工藝調(diào)整。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn),我們嘗試在1.5nm節(jié)點后段自對準(zhǔn)圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版,以對單大馬士革和雙大馬士革進(jìn)行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm,前兩類是1.5nm節(jié)點后段的最小目標(biāo)金屬間距
          • 關(guān)鍵字: 半大馬士革  后段器件集成  1.5nm  SEMulator3D  
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