650 v 文章 進入650 v技術(shù)社區(qū)
三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密
- 備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。 三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 圖1：三星T3 2TB S
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？
- 三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術(shù)實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）
- 1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路 電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。 由圖1可見，電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負(fù)載電阻。其中運算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進行比較，經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
- 關(guān)鍵字： V/I V/F
三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
2016年3D V-NAND市場擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距
- 在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 據(jù)韓國MT News報導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預(yù)估將擴大10倍，而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。 外電引用市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-N
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存
- 全球先進半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個3bit MLC 3D V-NAND閃存。 三星電子存儲芯片營銷部門負(fù)責(zé)人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V-NAND將會加快數(shù)據(jù)存儲設(shè)備從傳統(tǒng)硬盤向固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤產(chǎn)品的多樣化，將加強三星產(chǎn)品的市場競爭力，進一步推動三星固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)的發(fā)展。” 3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品，每
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND閃存
AMETEK Sorensen可編程電源的保護特性
- 可編程電源是電氣實驗室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器，用以獲得測試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低，并只帶有基本的控制裝置：一個開啟/關(guān)閉開關(guān)及兩個用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來，旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會是首選方法，因為其可單獨且靈活的改變電壓或電流，從而直觀的觀察其他測量儀器或被測部件性能。 對低成本應(yīng)用中的大多數(shù)電源而言保護功能不是必須考慮的因素，但是在一些測試應(yīng)用中，會要求使用很小電壓范圍，如2.0%- 20%范圍，否則會很容易損壞設(shè)備，這就為使用者提出了新的要求。 AMET
- 關(guān)鍵字： 可編程電源 AMETEK V-span
基于FPGA的高帶寬存儲接口設(shè)計
- 摘要：文中詳細(xì)地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲控制器底層架構(gòu)和外部接口，并在此基礎(chǔ)上對Controller和PHY進行了功能仿真。仿真結(jié)果表明硬核存儲控制器和PHY配合工作時的功能與設(shè)計預(yù)期相符，性能優(yōu)良，適合于在當(dāng)前FPGA的外部存儲帶寬需求日益增長的場合下應(yīng)用。 如今，越來越多的應(yīng)用場景都需要FPGA能夠和外部存儲器之間建立數(shù)據(jù)傳輸通道，如視頻、圖像處理等領(lǐng)域，并且對數(shù)據(jù)傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求，這就導(dǎo)致了FPGA和外部Memory接口的實際有效帶寬
- 關(guān)鍵字： FPGA Altera Cyclone V
Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器 面向數(shù)字電機控制市場
- 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供應(yīng)Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門級產(chǎn)品，此可擴展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用市場為數(shù)字電機控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內(nèi)核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數(shù)除法和平方根協(xié)處理器，從而降低了因需要
- 關(guān)鍵字： 貿(mào)澤電子 Freescale Kinetis V
三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存
- 全球存儲領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結(jié)構(gòu)的“32層三維V-NAND閃存”。 三星電子此次推出的32層三維V-NAND，與之前推出的24層V-NAND相比，雖然堆疊存儲單元的設(shè)計難度更高，但是因為可以直接使用生產(chǎn)第一代V-NAND閃存的設(shè)備，所以具有更高的生產(chǎn)效率。 除此之外，三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤系列產(chǎn)品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數(shù)據(jù)中心推
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND閃存
650 v介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條650 v!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對650 v的理解，并與今后在此搜索650 v的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對650 v的理解，并與今后在此搜索650 v的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
650 v電路
650 v相關(guān)帖子
650 v資料下載
650 v專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473