- 英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進的發射器控制設計結合高速技術，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導體器件適合用于各種應用，如組串式逆變器、儲能系統（ESS）、電動汽車充電應用以及如工業UPS和焊接等傳統應用。?在分立式封裝
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英飛凌 650V IGBT
- 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產，這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。據悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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ROHM 650V GaN HEMT
- 致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NFAM5065L4B智能功率整合模塊（IPM）的4KW 650V工業電機驅動方案。圖示1-大聯大世平基于onsemi產品的4KW 650V工業電機驅動方案的展示板圖近年來，隨著科技高速發展以及工業4.0的加速推進，工業市場對于電機的需求與日俱增。根據相關機構調查顯示電機的耗電量約為全球電力供應的50%。這在節能減排、實現“雙碳”的統一戰略目標下，是一項亟待解決的問題。為了提升電機運轉效率降低能源損
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大聯大世平集團 onsemi 650V 工業電機驅動
- 半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯結構并優化了器件相關參數，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。 新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化鎵 GaN
- 作為碳化硅技術全球領先企業的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產品組合，適用于更廣闊的工業應用，助力新一代電動汽車車載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用，提供業界領先的功率效率。
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科銳 650V MOSFET 電動汽車
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