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9納米
9納米 文章 進(jìn)入9納米技術(shù)社區(qū)
我科學(xué)家另辟蹊徑造出9納米光刻試驗(yàn)樣機(jī)
- 記者從武漢光電國(guó)家研究中心獲悉，該中心甘棕松團(tuán)隊(duì)采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制，采用遠(yuǎn)場(chǎng)光學(xué)的辦法，光刻出最小9納米線寬的線段，實(shí)現(xiàn)了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新。
- 關(guān)鍵字： 光制造技術(shù) 9納米 光刻試驗(yàn)樣機(jī)
臺(tái)灣加入NAND Flash戰(zhàn)局
- 臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn)，全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù)，近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲(chǔ)器廠及晶圓代工廠加入，首波會(huì)先洽談臺(tái)系存儲(chǔ)器廠，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺(tái)灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
- 關(guān)鍵字： NAND 9納米
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9納米介紹
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