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	90-nm
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          UPS逆變模塊的Nm冗余并聯(lián)結構和均流
          
                                                            
            
                    	
          • 0    引言     隨著國民經(jīng)濟的發(fā)展和用電設備的不斷增加，對UPS容量的要求越來越大。大容量的UPS有兩種構成方式：一種是采用單臺大容量UPS；另一種是在UPS單機內(nèi)部采用功率模塊N＋m冗余并聯(lián)結構。前者的缺點是成本高
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        余并聯(lián)  結構  Nm  模塊  逆變  UPS                          
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          用FPGA解決65nm芯片設計難題
          
                                                            
            
                    	
          • 　隨著工藝技術向65nm以及更小尺寸的邁進，出現(xiàn)了兩類關鍵的開發(fā)問題：待機功耗和開發(fā)成本。這兩個問題在每一新的工藝節(jié)點上都非常突出，現(xiàn)在已經(jīng)成為設計團隊面臨的主要問題。在設計方法上從專用集成電路(ASIC)和專
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        FPGA  65  nm  芯片設計                            
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          可在0~-180度范圍內(nèi)變化的-90度移相電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”的移相電路只能在0~+180度范圍內(nèi)移相，可使用CO與RO位置互換的-90度的移相電路。電路的工作原理基本工作原理與“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”相同，只是改
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          • 關鍵字：
                        180  90  變化  移相電路                            
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          可用10DB為單位選定40~90DB增益的可編程放大器
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能當用OP放大器進行高倍數(shù)AC放大時，若改變反饋電路的分壓比，使放大倍數(shù)改變，頻率特性也會大幅度地改變。本電路設有40、20、20、10DB增益固定的放大器，通過繼電器選用這些放大器，可使最大增益達90DB。本
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          • 關鍵字：
                        DB  10  40  90                            
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          在28-nm FPGA 上實現(xiàn)集成100-GbE 交換解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著高速100-GbE 通信網(wǎng)絡標準的完成，交換功能在互聯(lián)網(wǎng)正常運行中扮演了重要角色。網(wǎng)絡總流量每6個月翻倍，通過多種協(xié)議進行傳送，網(wǎng)絡越來越復雜，交換體系結構面臨很大的挑戰(zhàn)。目前的單芯片體系結構無法滿足越來越大的帶寬和復雜度要求，因此，需要開發(fā)高效算法和交換體系結構，以滿足高速網(wǎng)絡需求。Stratix V FPGA 支持硬件設計人員在下一代交換機和路由器中集成100-GbE 元件，在系統(tǒng)中均衡的分配數(shù)據(jù)，確保QoS。
詳情參見 http://share.eepw.com.cn/share/downlo
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          • 關鍵字：
                        28-nm  FPGA   100-GbE 交換                          
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          在28-nm FPGA 上實現(xiàn)100-Gbit OTN 復用轉發(fā)器解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 視頻和寬帶無線技術對帶寬越來越高的要求使得通信網(wǎng)絡承受了很大的壓力。目前的10-Gbit OTN 基礎設備通道容量接近了極限，面臨帶寬耗盡的問題。面對越來越高的資本支出和運營支出以及不斷下滑的利潤，服務提供商轉向了100-Gbit OTN 解決方案，將目前的10-Gbit 網(wǎng)絡容量提高10 倍。但是，還有很多在用的低速率OTN、SONET、以太網(wǎng)和存儲系統(tǒng)，這需要通過100-Gbit OTN 復用轉發(fā)器將這些系統(tǒng)置入到新的基礎光設施中。Altera Stratix V FPGA 系列采用了多項關鍵創(chuàng)新技術
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          • 關鍵字：
                        28-nm  FPGA  100-Gbit OTN   復用轉發(fā)器                          
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          Altera發(fā)布28-nm Stratix V FPGA系列
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸，同時降低了系統(tǒng)功耗和成本
2010年4月20號，北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天發(fā)布業(yè)界帶寬最大的FPGA——下一代28-nm Stratix? V FPGA。Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交換能力，采用各種創(chuàng)新技術和前沿28-nm工藝，降低了寬帶應用的成本和功耗。

Stratix V FPGA系列采用TSMC 28-nm高性能(HP)工藝進行制造，提供1
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          • 關鍵字：
                        Altera  28-nm  Stratix V FPGA                          
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          采用帶有收發(fā)器的全系列40-nm FPGA 和ASIC 實現(xiàn)創(chuàng)
          
                                                            
            
                    	
          •     人們對寬帶服務的帶寬要求越來越高，促使芯片供應商使用更多的高速串行收發(fā)器。因此，下一代應用采用了多種數(shù)據(jù)速率，從幾Mbps 到數(shù)百Gbps，在一種設備中集成了多種協(xié)議和服務。以太網(wǎng)等迅速發(fā)展的標準以及對提高
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          • 關鍵字：
                        FPGA  ASIC  40  nm                            
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          在40-nm 工藝節(jié)點實現(xiàn)世界上最先進的定制邏輯器件
          
                                                            
            
                    	
          • 實現(xiàn)世界上最先進的定制邏輯器件引言
            Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一
            40-nm ASIC 無風險移植途徑的誕生。Altera 通過三年周密的規(guī)劃和
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          • 關鍵字：
                        40  nm  工藝  定制                            
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          泰科電子推出全新熱縮標識系列產(chǎn)品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　泰科電子宣布推出全新TMS-90-SCE熱縮標識系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品能夠充分滿足從航空、國防、船舶、鐵路、公共交通到工業(yè)及電子等各行業(yè)領域對高性能電纜及線纜標記的需求。泰科電子TMS-90-SCE熱縮標識系列產(chǎn)品的推出，為高溫環(huán)境下的作業(yè)帶來了可靠的機械強度、長時間高溫防護，以及強大的高溫防水性能。

　　泰科電子TMS-90-SCE熱縮標識具備極高的耐用性，持久性。該產(chǎn)品所用材料為耐用、阻燃的輻射交聯(lián)熱縮均聚聚烯烴，適用溫度范圍為-55°C至+135°C。并且產(chǎn)品重量輕巧，收縮率
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          • 關鍵字：
                        泰科  電子  TMS-90-SCE  熱縮標識                          
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          Altera發(fā)布業(yè)界首款40-nm FPGA和HardCopy ASIC
          
                                                            
            
                    	
          • ? 　為幫助設計人員提高集成度，進一步創(chuàng)新，Altera公司今天發(fā)布了業(yè)界的首款40-nm FPGA和HardCopy? ASIC。Stratix? IV FPGA和HardCopy IV ASIC都提供收發(fā)器，在密度、性能和低功耗上遙遙領先。Stratix IV系列有680K邏輯單元(LE)，比Altera的Stratix III系列高2倍，是目前市場上密度最大的FPGA。HardCopy IV ASIC系列在密度上和Stratix IV器件等價，具有1330萬邏輯門。Alte
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          • 關鍵字：
                        Altera  40-nm FPGA   ASIC                          
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          安華高科技推出采用65 nm CMOS工藝的SerDes
          
                                                            
            
                    	
          • Avago Technologies(安華高科技)宣布，已經(jīng)在65納米(nm) CMOS工藝技術上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續(xù)其在嵌入式SerDes技術的領導地位，Avago最新一代的工藝技術能夠節(jié)省高達25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬通道數(shù)的SerDes總出貨量，Avago在提供可靠高性能知識產(chǎn)權(IP)上擁有輝煌穩(wěn)定的紀錄，現(xiàn)在更以65 nm工藝上經(jīng)驗證的17 Gbps SerDes性能將
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          • 關鍵字：
                        嵌入式系統(tǒng)  單片機  安華高科技  65  nm  CMOS  嵌入式                          
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          瑞薩科技開發(fā)出90 nm工藝SuperH系列SH72546RFCC微控制器
          
                                                            
            
                    	
          • 瑞薩科技公司宣布，開發(fā)出32位SuperH™*1 系列SH72546RFCC，這是業(yè)界第一個采用90 nm（納米）工藝并帶有片上閃存的微控制器，可用于汽車引擎、傳輸?shù)瓤刂瞥绦虻拈_發(fā)。樣品將從2007年10月開始在日本交付。 SH72546RFCC可在汽車應用所需的125℃的高溫工作環(huán)境下實現(xiàn)200 MHz的業(yè)界最高運行速度。此外，它還采用了業(yè)界最大的片上閃存容量，可以實現(xiàn)領先的高精度的控制。 SH72546RFCC適用于控制程序開發(fā)，2008年瑞薩科技將根據(jù)SH7
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          • 關鍵字：
                        工業(yè)控制  瑞薩科技  90  nm  SuperH  工業(yè)控制                          
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          普華永道：全球半導體市場增長90%歸功中國
          
                                                            
            
                    	
          • 　　中國制造的電子系統(tǒng)推動2005年全球半導體消費增長90%。這種趨勢在2003年首次被發(fā)現(xiàn)并延續(xù)至今。這是普華永道 (PricewaterhouseCoopers) 對在該課題上中國的和其它公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)進行全面分析后得到的論斷。  　　《China's Impact on the Semiconductor Industry: 2006 Update》（《中國對半導體行業(yè)的影響：2006最新分析》）首次
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          • 關鍵字：
                        90%  單片機  普華永道  嵌入式系統(tǒng)  全球半導體市場  增長  中國                          
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          ARM發(fā)布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP
          
                                                            
            
                    	
          • ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質量認證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質量安全測試的9
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          • 關鍵字：
                        90  ARM  DDR1  DDR2  IP  TSMC  存儲器  單片機  工藝  接口  納米  嵌入式系統(tǒng)  存儲器                          
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