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電子元件老化——電阻和運算放大器的老化效應

使用溫度計算和Arrhenius方程了解電阻器和放大器的老化行為，以了解電阻器漂移、電阻器穩(wěn)定性和運算放大器漂移。之前，我們討論了使用相對較短的測試時間來評估電子元件長期穩(wěn)定性的高溫加速老化方法。在本文中，我們將繼續(xù)討論并研究電阻器和放大器的老化行為。老化預測——老化引起的電阻漂移首先，讓我們記住電阻器的值會隨著時間而變化。在許多電路中，只需要總的精度，電阻器老化可能不是一個嚴重的問題。然而，某些精密應用需要在指定壽命內長期漂移低至百萬分之幾的電阻器。因此，開發(fā)具有足夠精度的老化預測模型以確保所采用的精密
關鍵字：電子元件老化，電阻，運算放大器，老化效應，Arrhenius

基于Arrhenius模型快速評價功率VDMOS可靠性

0 引言　　垂直導電雙擴散場（VDMOS）效應晶體管是新一代集成化半導體電力器件的代表［1］。與功率晶體管相比，具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開關速度快、驅動電流小、動態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點。因此VDMOS廣泛應用在
關鍵字： Arrhenius VDMOS 模型可靠性

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