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          X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

          • 中國(guó)北京,2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠(chǎng),由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
          • 關(guān)鍵字: X-FAB  110納米  BCD-on-SOI  

          ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長(zhǎng)跑35年第十代即將量產(chǎn)

          • 意法半導(dǎo)體(ST)宣布,電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)(Institute of Electrical and Electronics Engineering,IEEE)授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng),表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開(kāi)關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管,滿(mǎn)足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來(lái),BCD制程技術(shù)已賦能硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車(chē)系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠(chǎng)的實(shí)時(shí)/
          • 關(guān)鍵字: ST  BCD  制程技術(shù)  

          華虹半導(dǎo)體拓展電源管理技術(shù)平臺(tái) BCD工藝“8+12”齊發(fā)力

          • 全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”)近日宣布,其高性能90納米BCD工藝平臺(tái)在華虹無(wú)錫12英寸生產(chǎn)線(xiàn)順利實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品投片。該工藝可極大提高電源效率、顯著縮減芯片面積,將在數(shù)字電源、數(shù)字電機(jī)驅(qū)動(dòng)、數(shù)字音頻功放等芯片領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。緊貼電源管理技術(shù)高集成度和智能化的發(fā)展趨勢(shì),華虹半導(dǎo)體最新推出了90納米BCD工藝平臺(tái),其LDMOS涵蓋5V至24V電壓段,其中Switch LDMOS具有耐高擊穿電壓下的較低導(dǎo)通電阻,達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水平。為了滿(mǎn)足高集成度發(fā)展趨勢(shì),該工藝平
          • 關(guān)鍵字: BCD  電源管理  

          硬核技術(shù)創(chuàng)新加持,華虹宏力“8+12”特色工藝平臺(tái)為智能時(shí)代添飛翼

          • 中國(guó)信通院數(shù)據(jù)顯示,2019年1-10月中國(guó)5G手機(jī)出貨量328.1萬(wàn)部,發(fā)展速度遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進(jìn),讓更廣泛的智能時(shí)代提前到來(lái),隨之而來(lái)的是海量的芯片需求。然而,先進(jìn)芯片制造工藝雖有巨資投入,卻僅能滿(mǎn)足CPU、DRAM等一部分芯片市場(chǎng)應(yīng)用需求;像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求,則主要由華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(“華虹宏力”)為首的特色工藝芯片制造企業(yè),基于成熟工藝設(shè)備不斷創(chuàng)新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢(shì)來(lái)滿(mǎn)足。近日,在中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2019年會(huì)(ICCAD 2
          • 關(guān)鍵字: RF-SOI  BCD  

          華虹第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)

          •    特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn),該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類(lèi)全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì),對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。    第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)40V DMOS擊穿電壓達(dá)到52V,其導(dǎo)通電阻低至 20 mOhm.mm2,達(dá)到該節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先工藝水平,可提高產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)能力,減小芯片面積,擴(kuò)大高壓管安全工作區(qū)(Safe-Operation-A
          • 關(guān)鍵字: 0.18  BCD  工藝  

          華虹半導(dǎo)體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn),助力LED照明騰飛

          •   華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」,連同其附屬公司,統(tǒng)稱(chēng)「集團(tuán)」)今日宣布,其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺(tái)已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),良率超過(guò)98%,達(dá)到國(guó)際一流水平。該工藝平臺(tái)主要針對(duì)諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應(yīng)用,具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn),可為客戶(hù)提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的單芯片解決方案。目前,已有多家客戶(hù)在該平臺(tái)量產(chǎn),各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過(guò)客戶(hù)要求。   在全球節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下,LED綠色照明已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展期。據(jù)相關(guān)機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),
          • 關(guān)鍵字: 華虹半導(dǎo)體  BCD  

          華虹半導(dǎo)體新一代700V BCD工藝解決方案成功量產(chǎn) 助力LED照明騰飛

          •   香港, 2015年4月22日 - (亞太商訊) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)── 華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」,連同其附屬公司,統(tǒng)稱(chēng)「集團(tuán)」)今日宣布,其新一代超高壓0.5微米700V BCD系列工藝平臺(tái)已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),良率超過(guò)98%,達(dá)到國(guó)際一流水平。該工藝平臺(tái)主要針對(duì)諸如AC-DC轉(zhuǎn)換器和LED照明等綠色能源的應(yīng)用,具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻、高可靠性、低成本和流片周期短等特點(diǎn),可為客戶(hù)提供極具競(jìng)爭(zhēng)力的單芯片解決方案。目前,已有多家客戶(hù)在該平臺(tái)量產(chǎn),各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到或超過(guò)客戶(hù)
          • 關(guān)鍵字: 華虹  BCD  

          數(shù)字鐘設(shè)計(jì)與制作

          •   本文采用CMOS數(shù)字集成電路實(shí)現(xiàn)了一種數(shù)字鐘電路,該電路設(shè)計(jì)包括了時(shí)序邏輯電路、組合邏輯電路、數(shù)碼管顯示電路和脈沖信號(hào)產(chǎn)生電路等內(nèi)容,內(nèi)容涉及面寬、綜合性強(qiáng),是電子技術(shù)自主性實(shí)驗(yàn)教學(xué)的典型案例
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)字鐘  CMOS  CD4518  BCD-7  

          BCD格式實(shí)時(shí)時(shí)鐘的狀態(tài)機(jī)邏輯

          • 開(kāi)發(fā)實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)軟件時(shí),需要首先理解時(shí)鐘核心邏輯的定義。我們通常對(duì)時(shí)鐘和日歷的工作原理有一個(gè)基本的認(rèn)識(shí),本文則深入分析了芯片在裝載了不正確或不合法的內(nèi)容時(shí)可能產(chǎn)生的后果。
          • 關(guān)鍵字: Maxim  RTC  寄存器  BCD  

          BCD推出多款LED驅(qū)動(dòng)電源解決方案

          • 近期,BCD半導(dǎo)體制造有限公司(BCDSemi)針對(duì)LED驅(qū)動(dòng)電源的特殊要求,推出了一系列高性?xún)r(jià)比、覆蓋中小功率應(yīng)用...
          • 關(guān)鍵字: BCD  LED  驅(qū)動(dòng)電源  

          CL002 BCD碼顯示器的應(yīng)用線(xiàn)路簡(jiǎn)介

          • CL002是完成一位數(shù)字顯示的BCD碼顯示器,它以小型固體塊的形式完成寄存-譯碼驅(qū)動(dòng)-LED數(shù)碼顯示等功能.CL002除了無(wú)計(jì)數(shù)部分外,其余部分和CL102完全相同,它的邏輯框圖及管腳排列如圖所示.外形尺寸與CL102相同.
          • 關(guān)鍵字: 線(xiàn)路  簡(jiǎn)介  應(yīng)用  顯示器  BCD  CL002  

          C3065 BCD-七段譯碼液晶顯示驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用

          • C3065 BCD-七段譯碼液晶顯示驅(qū)動(dòng)器功耗低微,在25度條件下僅幾十微安,工作電壓范圍為4~18V,采用交流驅(qū)動(dòng),可直接驅(qū)動(dòng)液晶顯示屏.C306的管腳外引線(xiàn)排列和功用如圖所示,C306的功能真值表如9.42表所示. 顯示.
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動(dòng)器  應(yīng)用  液晶顯示  段譯碼  BCD-  C3065  

          C3065 BCD-七段譯碼液晶顯示驅(qū)動(dòng)器的電路應(yīng)用

          • C3065 BCD-七段譯碼液晶顯示驅(qū)動(dòng)器功耗低微,在25度條件下僅幾十微安,工作電壓范圍為4~18V,采用交流驅(qū)動(dòng),可直接驅(qū)動(dòng)液晶顯示屏.C306的管腳外引線(xiàn)排列和功用如圖所示,C306的功能真值表如9.42表所示.顯示.
          • 關(guān)鍵字: 電路  應(yīng)用  驅(qū)動(dòng)器  液晶顯示  BCD-  段譯碼  C3065  

          華潤(rùn)上華于上海舉辦首場(chǎng)BCD系列工藝技術(shù)論壇

          • 華潤(rùn)微電子有限公司(“華潤(rùn)微電子”)旗下華潤(rùn)上華科技有限公司(后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”)于上海舉辦技術(shù)論壇,主題為“BCD系列工藝技術(shù)為綠色節(jié)能IC產(chǎn)品增值”。本次論壇由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)協(xié)辦,是該協(xié)會(huì)首次與企業(yè)合作舉辦論壇,也是華潤(rùn)上華舉辦的第一場(chǎng)針對(duì)某個(gè)工藝的小型專(zhuān)題技術(shù)論壇。論壇吸引了共計(jì)100余位來(lái)自模擬IC設(shè)計(jì)公司的聽(tīng)眾。
          • 關(guān)鍵字: 華潤(rùn)上華  IC設(shè)計(jì)  工藝  BCD  

          華潤(rùn)上華推出高性?xún)r(jià)比0.25微米Scalable BCD工藝平臺(tái)

          •   華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司宣布已完成0.25微米Scalable BCD工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā),其更低成本和更高的可移植性可滿(mǎn)足客戶(hù)多樣化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求,進(jìn)一步提高了華潤(rùn)上華BCD系列工藝平臺(tái)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。   華潤(rùn)上華的0.25微米Scalable BCD工藝平臺(tái)為0.5微米前段制程與0.25微米后段制程,由之前0.25微米24V BCD工藝平臺(tái)延伸而來(lái),核心器件工作電壓為5V,提供DMOS工作電壓為12V至45V的高壓器件與功率器件,其擊穿電壓由20V延伸到80V。該工藝廣泛應(yīng)用于DC-D
          • 關(guān)鍵字: 華潤(rùn)  微電子  BCD  
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