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          bicmos 文章 進入bicmos技術社區

          高成本效益的實用系統方法解決QFN-mr BiCMOS器件單元測試電源電流失效問題

          •   摘要  本文探討一套解決芯片單元級電測試過程電源電流失效問題的方法。當采用QFN-MR(四邊扁平無引線–多排引腳封裝)的BiCMOS (雙極互補金屬氧化物半導體)芯片進入量產預備期時,電源電流失效是一個進退維谷的制造難題?! ”疚慕榻B了數種不同的失效分析方法,例如,數據分析、實驗設計(DOE)、流程圖分析、統計輔助分析和標桿分析,這些分析方法對確定問題的根源有很大的幫助,然后使用統計工程工具逐步濾除可變因素?! ”卷椖空业搅穗娏魇栴}的根源,并采用了相應的解決措施,使電源電流失效發生率大幅
          • 關鍵字: BiCMOS  QFN-MR  

          新能源汽車會越來越多

          •   今后中國新能源汽車會越來越多,?針對新能源汽車相關的產品,?東芝推出了例如在節能方面非常有功效  的馬達驅動的電路,?還有在電動車混合動力里面廣泛使用的光機電器件類似的產品。?車載信息化方面,?東芝除了既有的車載音箱產品以外,?還增加了與互聯網、車聯網相關的無線互聯的藍牙產品、?存儲產品。針對環保的要求,?東芝提供非常獨特的有優勢的電機控制技術,?東芝的BiCMOS的制成技術已經實現130納米高性能的制程,&nb
          • 關鍵字: 東芝  BiCMOS  

          高效率低諧波失真E類RF功率放大器設計

          •   引言   近年來,隨著無線通訊的飛速發展,無線通信里的核心部分——無線收發器越來越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的體積,而作為收發器中的最后一級,功率放大器所消耗的功率在收發器中已占到了60%~90%,嚴重影響了系統的性能。所以,設計一種高效低諧波失真的功率放大器對于提高收發器效率,降低電源損耗,提高系統性能都有十分重大的意義。   筆者采用了SiGe BiCMOS工藝實現了集成E類功率放大器,其工作頻率為1.8GHz,工作電壓為1.5V,輸出功率為26dBm,并具有高
          • 關鍵字: 功率放大器  BiCMOS  E類  

          高效率低諧波失真E類RF功率放大器設計

          •   引言   近年來,隨著無線通訊的飛速發展,無線通信里的核心部分——無線收發器越來越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的體積,而作為收發器中的最后一級,功率放大器所消耗的功率在收發器中已占到了60%~90%,嚴重影響了系統的性能。所以,設計一種高效低諧波失真的功率放大器對于提高收發器效率,降低電源損耗,提高系統性能都有十分重大的意義。   筆者采用了SiGe BiCMOS工藝實現了集成E類功率放大器,其工作頻率為1.8GHz,工作電壓為1.5V,輸出功率為26dBm,并具有高
          • 關鍵字: 功率放大器  BiCMOS  

          Maxim推出新型光傳感器

          • Maxim 推出數字式環境光和紅外接近檢測傳感器MAX44000,模擬人眼的環境光檢測。該款IC采用公司專有的BiCMOS技術設計,在微型、2mm x 2mm x 0.6mm封裝中集成了三個光傳感器、兩個ADC以及數字電路。高集成度設計節省了寶貴的電路板空間,并提供光信號整合以及無與倫比的光檢測性能。
          • 關鍵字: Maxim  傳感器  44000  BiCMOS  ADC  

          新型BiCMOS集成運算放大器設計

          • 為了提高運算放大器的驅動能力,依據現有CMOS集成電路生產線,介紹一款新型BiCMOS集成運算放大電路設計,探討BiCMOS工藝的特點。在S-Edit中進行“BiCMOS運放設計”電路設計,并對其電路各個器件參數進行調
          • 關鍵字: BiCMOS  集成運算  放大器設計    

          基于0.5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運算放

          • 摘要:為了提高運算放大器的驅動能力,依據現有CMOS集成電路生產線,介紹一款新型BiCMOS集成運算放大電路設計,探討BiCMOS工藝的特點。在S-Edit中進行“BiCMOS運放設計”電路設計,并對其電路各個器件參數
          • 關鍵字: BiCMOS  CMOS  工藝  放大器設計    

          新型BiCMOS帶隙基準電路的設計

          •   在模擬及數/?;旌霞呻娐吩O計中,電壓基準是非常重要的電路模塊之一,而通過巧妙設計的帶隙電壓基準更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的特點,廣泛應用在LDO及DC-DC集成穩壓器、射頻電路、高精度A/D
          • 關鍵字: 設計  電路  基準  BiCMOS  新型  

          基于BiCMOS寬動態可變增益放大器的設計

          • 基于柵壓控制MOS管等效電阻實現放大器輸出電阻和射極電阻同時改變的原理,構造一種新型可變增益放大器,通過控制電路和穩壓電路提高了增益動態范圍和電路穩定性。采用UMC O.5μm BiCMOS工藝,使用HSpice軟件仿真,結果表明該放大器可在O~70μA的較小控制電流下實現增益在O~66 dB寬范圍內連續變化,帶寬超過73 MHz,具有良好的線性度。
          • 關鍵字: BiCMOS  寬動態  可變增益放大器    

          全差分BiCMOS采樣/保持電路仿真設計

          • 0 引言隨著數字技術、微機和模數轉換技術的研究與進展,作為模擬和數字信號接口電路的模數轉換器(ADC)得到了廣泛應用。由于ADc中的重要組成單元――采樣/保持(S/H)電路的精度和速度直接決定ADC的性能,所以設計高
          • 關鍵字: BiCMOS  全差分  采樣  保持電路    

          Hittite寬動態范圍的功率檢波器

          •   日前,全球知名的射頻微波IC廠商Hittite公司面向寬帶、3G、Winmax、自動化以及4G應用領域推出了基于 SiGe BiCMOS 工藝的功率檢波器HMC713LP3E。   該器件可以在50MHz到8GHz范圍內按比例把輸入的射頻信號變換成直流電壓輸出,精度為±1dB時,在2700MHz以下動態范圍內可達54dB,在3.9到8GHz動態范圍也有49dB。其回損則在全部工作頻段都優于10dB。   HMC713LP3E的工作電壓范圍是2.7V到5.5V,消耗電流為17 mA。與
          • 關鍵字: Hittite  SiGe  BiCMOS  功率檢波器  

          Maxim推出76V APD偏置和電流監測IC

          •   Maxim推出采用3mm x 3mm TDFN封裝的76V APD偏置輸出級和電流監測IC DS1842。器件采用Maxim先進的BiCMOS工藝設計,集成高壓(76V)電流源和雙電流鏡,用于監測APD電流。該器件還包含一個FET開關,可與外部DC-DC控制器配合工作,構建DC-DC升壓轉換器。DS1842非常適合用于GPON ONU和OLT中的APD偏置和電流監測。   DS1842工作在-40°C至+85°C擴展級溫度范圍,提供帶有裸焊盤的小尺寸3mm x 3mm、14引腳TDF
          • 關鍵字: Maxim  BiCMOS  電流監測  DS1842  

          手機充當投影儀 Maxim推出激光驅動器

          •   Maxim推出3通道、RGB激光驅動器MAX3600,能夠將高分辨率的微型投影儀集成至小體積設備中。該器件采用Maxim最新的BiCMOS工藝,具有小于2ns的超快速切換時間,支持高達1080p (1920 x 1080像素)和WXGA (1400 x 768像素)的高分辨率圖片。此外,器件省去了3個分立的激光驅動器,使系統設計者能夠將微型投影儀嵌入至新一代消費類電子設備。器件的目標應用包括:智能電話、便攜式媒體播放器、移動計算設備、數碼相機/便攜式攝像機、投影儀配件以及數碼相框。   MAX3
          • 關鍵字: Maxim  激光驅動器  MAX3600  BiCMOS  

          益登科技代理RFaxis射頻前端芯片與嵌入式天線產品

          •   專業電子元器件代理商益登科技今日宣布正式取得RFaxis代理權。RFaxis是一家致力于為無線通信市場提供新一代射頻解決方案的無晶圓廠半導體公司,益登科技將銷售RFaxis的射頻前端芯片(Front-end Integrated Circuit,RFeIC)與嵌入式天線全系列解決方案,應用領域涵括消費性電子、PC及外圍器件、無線及手機市場,銷售領域遍及臺灣地區、中國大陸、馬來西亞、新加坡、印度等國家及地區。   通過采用BiCMOS技術及各項創新技術與設計,RFaxis開發了業界首創的專利RFeIC
          • 關鍵字: 益登  射頻  RFeIC  嵌入式天線  BiCMOS  

          Maxim推出線性度最高的下變頻SiGe混頻器

          •   Maxim推出帶有片內LO緩沖器的完全集成、2000MHz至3900MHz下變頻混頻器MAX19996A。器件采用Maxim專有的單片SiGe BiCMOS工藝設計,集優異的線性度、噪聲性能和高度的器件集成特性于一體,能夠工作于極寬的頻段范圍。MAX19996A提供完全集成的下變頻通道,具有+24.5dBm (典型值) IIP3、8.7dB (典型值)轉換增益和9.8dB (典型值)噪聲系數。此外,器件具有業內最佳的2LO-2RF雜散抑制:-10dBm RF電平下為67dBc,-5dBm RF電平下為
          • 關鍵字: Maxim  混頻器  BiCMOS  MAX19996A  SiGe  
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          bicmos介紹

          雙極互補金屬氧化半導體 BiCMOS bipolar compIementary metal oxide semiconductor   將雙極器件的線性和速度與CMOS的低耗用功率、低熱耗散和較高密度相結合的集成電路工藝。它可以工作在ECL,(發射極耦合邏輯)電平或TTL(晶體管-晶體管邏輯)電平,并廣泛用于混合信號器件。應用(1) 通信用數字邏輯電路、數字部件和門陣列等   由第二 [ 查看詳細 ]

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