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          Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究*

          • 針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題,給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法,并提供了具體的估算公式。以30 kW DC/DC變換器為研究對(duì)象,對(duì)功率模塊在不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計(jì)算、PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證對(duì)比分析。PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性,還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢(shì)。從文中可以看出,使用SiC替代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
          • 關(guān)鍵字: 202301  Boost變換器  SiC模塊  IGBT模塊  熱損耗  

          無(wú)源再生式軟開關(guān)Boost變換器

          • 如圖為一種無(wú)源再生式的軟開關(guān)Boost變換器,它是傳統(tǒng)的LRCVD復(fù)合型緩沖電路的改進(jìn).其改進(jìn)處包括:去掉放電電阻R,采用一個(gè)同輸入電感Lp耦合的小功率繞組La來(lái)代替專門的功率電感器L...
          • 關(guān)鍵字: 無(wú)源再生  軟開關(guān)  Boost變換器  

          基于狀態(tài)空間法的非理想Boost電路開環(huán)建模

          • 摘要:Boost變換器是組成高階變換器的基本單元,故對(duì)其建模和仿真的研究有著理論和實(shí)際意義。狀態(tài)空間平均法是DC-DC變換器建模的有力工具。在考慮了電感電容高頻寄生電阻的條件下,應(yīng)用狀態(tài)空間平均法對(duì)非理想Boost變
          • 關(guān)鍵字: 狀態(tài)空間平均法  Boost變換器  數(shù)學(xué)模型  電路仿真  

          Boost變換器滑模變結(jié)構(gòu)控制策略的研究

          一種新型的ZVS-PWM-MR Boost變換器

          • 1.概述小型輕量化是目前開關(guān)電源類產(chǎn)品的追求目標(biāo),實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的主要手段是提高開關(guān)頻率。然而開關(guān)頻率...
          • 關(guān)鍵字: 軟開關(guān)  Boost變換器  ZVS  

          新型場(chǎng)致發(fā)光燈驅(qū)動(dòng)器IMP803的原理與應(yīng)用

          Boost變換器

          •   Boost變換器又稱為升壓變換器、并聯(lián)開關(guān)電路、三端開關(guān)型升壓穩(wěn)壓器。 1.線路組成   線路由開關(guān)S、電感L、電容C組成,如圖1所示,完成把電壓Vs升壓到Vo的功能。 圖1 2.工作原理   當(dāng)開關(guān)S在位置a時(shí),如圖2(a)所示電流iL流過(guò)電感線圈L,電流線性增加,電能以磁能形式儲(chǔ)在電感線圈L中。此時(shí),電容C放電,R上流過(guò)電流Io,R兩端為輸出電壓Vo,極性上正下負(fù)。由于開關(guān)管導(dǎo)通,二極管陽(yáng)極接Vs負(fù)極,二極管承受反向電壓,所以電容不能通過(guò)開關(guān)管放電。開關(guān)S轉(zhuǎn)換到位置b時(shí),構(gòu)成電路如
          • 關(guān)鍵字: Boost變換器  電源  
          共8條 1/1 1

          boost變換器介紹

            Boost變換器是一種通過(guò)電路中電容二極管等電路原件的連接改變電路電壓以達(dá)到電路電壓升高作用的裝置。Boost變換器又稱為升壓變換器、并聯(lián)開關(guān)電路、三端開關(guān)型升壓穩(wěn)壓器?! ?.線路組成  線路由開關(guān)S、電感L、電容C組成,如圖1所示,完成把電壓Vs升壓到Vo的功能。  當(dāng)開關(guān)S在位置a時(shí),如圖2(a)所示電流iL流過(guò)電感線圈L,電流線性增加,電能以磁能形式儲(chǔ)在電感線圈L中。此時(shí),電容C放電, [ 查看詳細(xì) ]

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