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超低功耗CBRAM存儲(chǔ)器技術(shù) 或能加速IoT應(yīng)用發(fā)展
- 屬于非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的快閃存儲(chǔ)器(flash memory)過(guò)去在智能手機(jī)、平板電腦等市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下，快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)快速成長(zhǎng)，然隨著快閃存儲(chǔ)器技術(shù)逐漸瀕臨尺寸與性能極限，各式新存儲(chǔ)器技術(shù)陸續(xù)浮上臺(tái)面，導(dǎo)電橋式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(conductive- bridging RAM;CBRAM)就是相當(dāng)被看好的接班技術(shù)之一。 The Daily Reckoning網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，過(guò)去幾10年來(lái)，半導(dǎo)體技術(shù)的重大進(jìn)展多是來(lái)自于微縮，然隨著每次的微縮，快閃存儲(chǔ)器都會(huì)變得更不可靠，且這種以電荷儲(chǔ)存為基礎(chǔ)的存儲(chǔ)器技術(shù)也
- 關(guān)鍵字： CBRAM 存儲(chǔ)器
挑戰(zhàn)快閃存儲(chǔ)器 首款CBRAM預(yù)計(jì)明年亮相
- 一家股東包括半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)的新創(chuàng)存儲(chǔ)器公司Adesto Technologies，正準(zhǔn)備推出首款導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(conductive-bridging RAM， CBRAM )。 CBRAM 是一種低耗電、與CMOS兼容的存儲(chǔ)器，可客制化應(yīng)用在廣泛的離散式或嵌入式市場(chǎng)，該公司打算最快在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。 在近日于美國(guó)舉行的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器研討會(huì)(Non Volatile Memory Conference)上，Ades
- 關(guān)鍵字： CBRAM 存儲(chǔ)器
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