- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝,為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業知識,如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管(GaN FET),Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應管,采用CCP
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Nexperia SMD CCPAK GaN FET
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