- 到 2034 年高密度邏輯晶體管密度將從今天的 283MTx/mm2增加到 757MTx/mm2。
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CFET
- 隨著代工廠開發越來越先進的工藝節點以滿足消費者的需求，當今先進處理器上的晶體管數量達到數百億，這與 1970 年代中期只有幾千個晶體管的處理器相去甚遠。過去幾十年中，影響半導體行業最深遠的技術就是晶體管的穩步發展。在半導體制造領域，每一代新技術都會帶來晶體管密度的提高，近幾年，我們也一直能夠聽到：「摩爾定律無法延續，晶體管無窮小的極限即將到來?！怪惖穆曇?。在最近的 IEEE 國際電子設備會議上，英特爾、三星、臺積電三個巨頭都展示了自家最新的技術情況。其中，不約而同的出現了 CFETS（互補場效應晶體管）
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CFET
- 在本周的IEEE國際電子器件大會上，臺積電展示了他們對CFET（用于CMOS芯片的邏輯堆棧）的理解。 CFET是一種將CMOS邏輯所需的兩種類型的晶體管堆疊在一起的結構。在本周的舊金山IEEE國際電子器件大會上，英特爾、三星和臺積電展示了他們在晶體管下一次演變方面取得的進展。芯片公司正在從自2011年以來使用的FinFET器件結構過渡到納米片或全圍柵極晶體管。名稱反映了晶體管的基本結構。在FinFET中，柵通過垂直硅鰭控制電流的流動。在納米片器件中，該鰭被切割成一組帶狀物，每個帶狀物都被柵包圍。 CFET
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CFET IEEE 臺積電，三星，英特爾
- 日立高新技術公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統。GT2000利用日立高新技術在CD-SEM*1方面的技術和專業知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產的產率。日立高新技術（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠實現高級半導體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導體器件正變得越來越小型化和復雜化，并有助
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日立高新 測試測量 GAA CFET
- 國內外開始積極探索下一代先進晶體管技術。
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CFET
- 外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進展，這有望使CFET成為十年內最可能接替全環繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進制程。CFET場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實現更高的密度。該項技術最初由比利時微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數早期研究以學術界為主，但英特爾和臺積電等半導體企業現在已經開始這一領域的研發，借此積極探索這種下一代先進晶體管技術。英特爾表示，研究員建構一個單片3DCFET，
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GAA CFET
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