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CGD為電機(jī)控制帶來GaN優(yōu)勢
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN) 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克股票代碼:QRVO)合作開發(fā) GaN 在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計(jì)和評估套件(EVK)。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機(jī)(BLDC)和永磁同步電機(jī)(PMSM)應(yīng)用中的使用,打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
- 關(guān)鍵字: CGD 電機(jī)控制 GaN
CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
- 無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗(yàn)證的 DFN 封裝,堅(jiān)固可靠。DHDFN-9-1(雙散熱器DFN)是一種薄的雙面冷卻封裝,外形尺寸僅為10x10 mm,并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù),便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻(Rth(JC)),可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行,
- 關(guān)鍵字: CGD 數(shù)據(jù)中心 逆變器 GaN 功率IC
CGD與中國臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)簽署了諒解備忘錄,以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場信息、實(shí)現(xiàn)對潛在客戶的聯(lián)合訪問和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作,ITRI擁有一個(gè)電力解決方案研究團(tuán)隊(duì),在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗(yàn)
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CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺(tái)灣群光電能科技有限公司(TWSE:6412)和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議,共同設(shè)計(jì)和開發(fā)使用 GaN 的先進(jìn)、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統(tǒng)整體解決方案提供商,專注于各種應(yīng)用的電源和適配器,包括筆記本電腦、臺(tái)式電腦、游戲設(shè)備和服務(wù)器/云解決方案。劍橋大學(xué)高壓微電子和傳
- 關(guān)鍵字: CGD 群光電能 GaN 生態(tài)系統(tǒng)
CGD的ICeGaN HEMT榮獲臺(tái)積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺(tái)積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會(huì)創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎(jiǎng)。CGD 的 ICeGaN 已使用臺(tái)積電的 GaN 工藝技術(shù)為全球客戶進(jìn)行大批量生產(chǎn),將典型外部驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜性引入單片集成的 GaN HEMT 中。這一概念減少了 PCB 級的元件數(shù)量,并顯著提高功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)
- 關(guān)鍵字: CGD ICeGaN HEMT 臺(tái)積電
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