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          CMOS開關(guān)電路原理

          •   圖1為CMOS模擬開關(guān)電路原理圖。它克服了NMOS模擬開關(guān)電路Ron雖vI增大而增大的缺點(diǎn),擴(kuò)大輸入信號幅度的范圍;而且可以在CMOS電路基礎(chǔ)上增設(shè)輔助電路,消除NMOSFET的襯底效應(yīng)對Ron的影響。 圖1 CMOS開關(guān)電路原理   假定控制信號vc高電平VCH=VDD為邏輯“1”,低電平VCL=-Vss(取Vss=VDD)為邏輯“0”。T1襯底電壓VB1=-Vss,T2襯底電壓VB2=VDD。從圖可知,vc直接輸送到T1的柵極,而T2的柵極電壓是vc經(jīng)非門(T3、T4組成)倒相后的電壓。當(dāng)
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          cmos開關(guān)電路介紹

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