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COMS來自三星 Redmi公布首張6400萬像素樣片
- 小米集團(tuán)副總裁、紅米R(shí)edmi品牌總經(jīng)理盧偉冰在微博表示將在今日透漏部分未來產(chǎn)品的信息。剛剛，Redmi紅米手機(jī)官微正式公布了首張6400萬像素樣片，并表示：“每一處細(xì)節(jié)纖毫畢現(xiàn)，手機(jī)正式進(jìn)入6400萬像素時(shí)代！”紅米手機(jī)官微曬6400萬像素樣張據(jù)了解，目前市面上僅有一款6400萬像素的傳感器，就是三星此前推出的ISOCELL Bright GW1。紅米手機(jī)6400萬像素樣張資料顯示，ISOCELL Bright GW1像素尺寸為0.8μm，可以獲得更多光線。并且ISOCELL Bright GW1還能夠
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對(duì)模擬電路中上下拉電阻作用的一點(diǎn)小總結(jié)
- 一、定義 上拉是對(duì)器件注入電流，下拉是輸出電流;弱強(qiáng)只是上拉電阻的阻值不同，沒有什么嚴(yán)格區(qū)分;對(duì)于非集電極(或漏極)開路輸出型電路(如普通門電路)提升電流和電壓的能力是有限的，上拉電阻的功能主要是為集電極開路輸出型電路輸出電流通道。 二、上下拉電阻作用： 1、提高電壓準(zhǔn)位：a.當(dāng)TTL電路驅(qū)動(dòng)COMS電路時(shí)，如果TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平(一般為3.5V)， 這時(shí)就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平的值。b.OC門電路必須加上拉電阻，以提高輸出的
- 關(guān)鍵字： 模擬電路 COMS
COMS與TTL電路的區(qū)別
- 本文主要講了一下關(guān)于COMS與TTL電路的區(qū)別，希望對(duì)你的學(xué)習(xí)有所幫助。 一、CMOS與TTL電路的區(qū)別 1、CMOS是場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成(單極性電路)，TTL為雙極晶體管構(gòu)成(雙極性電路) 2、COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作 3、CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強(qiáng)，TTL則相差小，抗干擾能力差 4、CMOS功耗很小，TTL功耗較大(1～5mA/門) 5、CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當(dāng)
- 關(guān)鍵字： COMS TTL
基于COMS圖像傳感器的太陽自動(dòng)跟蹤控制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 太陽跟蹤的方法很多，主要可以分為兩種方式，即光電跟蹤和根據(jù)視日運(yùn)動(dòng)軌跡跟蹤。光電跟蹤裝置優(yōu)點(diǎn)是靈敏度高，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，能通過反饋消除累計(jì)誤差，具有較大的優(yōu)勢(shì)。其關(guān)鍵部件是光電傳感器，常用的是光敏電阻。由于光敏電阻安放位置的不連續(xù)和環(huán)境散射光的影響，系統(tǒng)不能連續(xù)跟蹤太陽，精度有限。 因此需對(duì)光敏電阻的結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，而通過增加光敏電阻個(gè)數(shù)的方法則會(huì)造成裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本提高。通過分析，采用圖像傳感器代替了光敏電阻檢測(cè)太陽位置的變化，可以準(zhǔn)確、快速地獲得太陽位置信息，從而提高了跟蹤精度。同時(shí)其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化
- 關(guān)鍵字： COMS CCD
基于COMS圖像傳感器的太陽自動(dòng)跟蹤控制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 設(shè)計(jì)一種基于COMS圖像傳感器的太陽自動(dòng)跟蹤控制器，上位機(jī)通過MCC實(shí)現(xiàn)VC++與Matlab聯(lián)合編程，實(shí)時(shí)控制圖像傳感器獲取太陽光斑圖像。經(jīng)Matlab計(jì)算，得到太陽光寬質(zhì)心坐標(biāo)與圖像中心坐標(biāo)的偏差，轉(zhuǎn)化為水平和俯仰的步進(jìn)電機(jī)需調(diào)整的步數(shù)，進(jìn)而實(shí)時(shí)調(diào)整平面鏡跟蹤裝置，使太陽光斑始終在圖像中心位置。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該裝置實(shí)現(xiàn)了太陽自動(dòng)跟蹤的目的，具有較高的跟蹤精度。
- 關(guān)鍵字： 跟蹤 控制器 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 自動(dòng) 太陽 COMS 圖像 傳感器 基于
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coms介紹
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
發(fā)展歷史
1963年，快捷半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor）的Frank Wanlass發(fā)明了CMOS電路。到了1968年，美國無線電公司（RCA）一個(gè)由亞伯·梅德溫（Alb [ 查看詳細(xì) ]
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