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ddr3內(nèi)存
ddr3內(nèi)存 文章 進(jìn)入ddr3內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
DDR3內(nèi)存的PCB仿真與設(shè)計(jì)
- 1概述當(dāng)今計(jì)算機(jī)系統(tǒng)DDR3存儲(chǔ)器技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用，數(shù)據(jù)傳輸率一再被提升，現(xiàn)已高達(dá)1866Mbps.在這種高速總線條件下，要保證數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量的可靠性和滿足并行總線的時(shí)序要求，對(duì)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)提出了極大的挑戰(zhàn)。本文主要使
- 關(guān)鍵字： DDR3內(nèi)存 PCB仿真 時(shí)序分析
爾必達(dá)宣布移動(dòng)設(shè)備DDR3內(nèi)存開(kāi)發(fā)完成
- 日本爾必達(dá)公司近日宣布，針對(duì)下一代移動(dòng)設(shè)備如智能手機(jī)和平板電腦的LPDDR3內(nèi)存顆粒開(kāi)發(fā)完成，預(yù)計(jì)年底開(kāi)始試產(chǎn)，2012年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。目前市面上的所今ARM架構(gòu)SoC處理器以及新鮮亮相的NVIDIA Tegra 3，高通Snapdragon S4集成的內(nèi)存控制器均為L(zhǎng)PDDR2。爾必達(dá)這一產(chǎn)品瞄準(zhǔn)的應(yīng)該是ARM Cortex-A15架構(gòu)SoC上市后的廣大市場(chǎng)空間，以及有可能加入戰(zhàn)局的Intel Medfield核心SoC。 爾必達(dá)新鮮研發(fā)的LPDDR3內(nèi)存顆粒采用30nm CMOS制程，F(xiàn)B
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美光奇夢(mèng)達(dá)趕在三星前推出DDR3內(nèi)存
- 內(nèi)存生產(chǎn)商奇夢(mèng)達(dá)和美光先于三星電子，推出了DDR3 DRAM內(nèi)存的樣品。該公司的營(yíng)銷副總裁簡(jiǎn)尼-馬凱（Jenn Markey）稱，長(zhǎng)期以來(lái)市場(chǎng)一直期待，速度有希望比DDR2高一倍、能耗卻不會(huì)顯著增加的DDR3的出現(xiàn)，只是奇怪美光和奇夢(mèng)達(dá)能在DRAM市場(chǎng)傳統(tǒng)領(lǐng)先者三星之前推出。 DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)到1600Mb/s（1600兆位/秒），電源電壓卻從1.8伏特下降到1.5伏特，這可降低能耗和延長(zhǎng)移動(dòng)設(shè)備的電池壽命。美光內(nèi)存部門(mén)高級(jí)營(yíng)銷主管比
- 關(guān)鍵字： DDR3內(nèi)存 美光 奇夢(mèng)達(dá) 三星 消費(fèi)電子 存儲(chǔ)器 消費(fèi)電子
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ddr3內(nèi)存介紹
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