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以工藝窗口建模探索路徑:使用虛擬制造評(píng)估先進(jìn)DRAM電容器圖形化的工藝窗口
- 持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來(lái)越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)不足，評(píng)估不同集成方案的工藝窗口會(huì)變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說(shuō)明如何借助虛擬制造評(píng)估?DRAM?電容器圖形化工藝的工藝窗口。在?DRAM?器件開(kāi)發(fā)中，必須在硅晶圓上刻蝕用于存儲(chǔ)電荷的電容孔陣列?？捎脕?lái)制造?40nm?孔陣列的圖形化方案包括極紫外光刻刻蝕、四重光刻刻蝕、雙自對(duì)準(zhǔn)雙重
- 關(guān)鍵字： 工藝窗口建模 虛擬制造 DRAM電容器圖
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