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          什么是dV/dt失效

          • 如下圖(2)所示,dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB,導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通,引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常,dV/dt越大(越陡),VBE的電位差就越大,寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通,從而越容易發(fā)生失效問(wèn)題。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時(shí)間內(nèi)的電壓變化量,VDS的上升坡度
          • 關(guān)鍵字: 羅姆半導(dǎo)體  dv  dt  

          關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

          •   王定良(電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院,四川 成都 610054)  摘? 要:作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能功率模塊(IPM)正變得越來(lái)越重要,但是越來(lái)越快的開關(guān)速度,可能會(huì)引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外,過(guò)高的dV/dt也會(huì)在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型,完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)。基于對(duì)公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析,并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來(lái)動(dòng)態(tài)擴(kuò)展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu),改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時(shí)的可靠性?! £P(guān)鍵詞:IGBT;
          • 關(guān)鍵字: 202002  IGBT  誤觸發(fā)  dV/dt  可靠性  

          電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

          • 數(shù)字信號(hào)主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時(shí)間TR相關(guān),而與傳播延遲、時(shí)鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無(wú)關(guān):信號(hào)傳播的整個(gè)路徑,包
          • 關(guān)鍵字: DT  DV  DL  電壓突變  

          如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)(上)

          • 高 di/dt 負(fù)載需要仔細(xì)考慮旁路問(wèn)題以保持電源動(dòng)態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非??拷?fù)載以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的,但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短電流通道的電容也是有效的。這可以用體積較小的部件或具有交流端接(其使用了更短的尺寸用于電流)的部件來(lái)實(shí)施。
          • 關(guān)鍵字: di/dt  德州儀器  電源設(shè)計(jì)小貼士  電源管理  

          深度解讀阿里云六年成長(zhǎng)歷程:向DT世界轉(zhuǎn)型

          •   6年前,云計(jì)算創(chuàng)業(yè)“無(wú)人喝彩”。6年后的今天,阿里云已成長(zhǎng)為全球領(lǐng)先的云計(jì)算服務(wù)平臺(tái),開始分享對(duì)于DT世界、云計(jì)算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護(hù)以及未來(lái)核心技術(shù)等方向的判斷。   7月22日,首屆阿里云分享日×云棲大會(huì)北京峰會(huì)召開,吸引了海內(nèi)外2000余名開發(fā)者、創(chuàng)業(yè)者及生態(tài)伙伴參與。會(huì)上,阿里云集中發(fā)布了11款新產(chǎn)品、50多個(gè)行業(yè)解決方案;向企業(yè)級(jí)用戶開放互聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)解決方案;首次披露云計(jì)算生態(tài)路線圖全貌;并面向行業(yè)率先發(fā)起數(shù)據(jù)保護(hù)倡議,明確數(shù)據(jù)歸屬客戶所有,平臺(tái)方不得移作它用。
          • 關(guān)鍵字: 阿里云  DT  

          DT大蛋糕 蘋果能否分得一杯羹

          •   6月9日,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,知情人士透露稱,蘋果公司正在建造高速網(wǎng)絡(luò),同時(shí)還在升級(jí)自己打造數(shù)據(jù)中心的方式,此舉旨在提升該公司在云領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力,從而進(jìn)一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對(duì)手在云服務(wù)領(lǐng)域展開更好的競(jìng)爭(zhēng)。   目前為止,蘋果主要依賴傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商和技術(shù)供應(yīng)商來(lái)支持該公司的消費(fèi)者服務(wù),例如iTune音樂(lè)和電影服務(wù)、iCloud存儲(chǔ)圖片和其它內(nèi)容服務(wù)、以及Siri語(yǔ)音助手服務(wù)。未來(lái)一段時(shí)間,蘋果還將繼續(xù)依賴現(xiàn)有的多數(shù)服務(wù)和產(chǎn)品供應(yīng)商,因而目前該公司也在積極尋求措施來(lái)提升自己當(dāng)前的基礎(chǔ)設(shè)施。   據(jù)知
          • 關(guān)鍵字: 蘋果  DT  

          阿里巴巴全球布局?jǐn)?shù)據(jù)中心 謀DT時(shí)代戰(zhàn)略

          • 雖然聽(tīng)起來(lái)挺厲害的,但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機(jī)一鏟子挖壞了呢,難道沒(méi)有容錯(cuò)機(jī)制?阿里快長(zhǎng)點(diǎn)心吧,千里之堤毀于蟻穴,大企業(yè)不能再遇到這種災(zāi)難性的事故了。
          • 關(guān)鍵字: 阿里巴巴  DT  

          數(shù)位儀表設(shè)計(jì)-HY12P65簡(jiǎn)化可攜式電量測(cè)量設(shè)計(jì)

          •   一、?前言  在可攜式電量測(cè)量設(shè)備中,常見(jiàn)有數(shù)位式復(fù)用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設(shè)備可用來(lái)測(cè)量出電量中的電壓及電流,電量訊號(hào)又可分成直流及交流,而交流部分再分為平均值及方均根(root?mean?square,?RMS)轉(zhuǎn)換量測(cè)。平均值轉(zhuǎn)換的電量測(cè)量設(shè)備并非真正測(cè)量方均根值,而是以正弦波交流信號(hào),做信號(hào)平均值測(cè)量,校正所得到的量值。對(duì)于非正弦波而言,可能會(huì)有相當(dāng)程度的誤差。因此很
          • 關(guān)鍵字: HY12P65  SDADC  DT-RMS  

          探索諾基亞無(wú)線充電支架DT-910的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

          • 日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機(jī)圖,請(qǐng)大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個(gè)旗艦產(chǎn)品的一級(jí)外配。...
          • 關(guān)鍵字: DT-910  無(wú)線充電  諾基亞  

          晶閘管燒壞的真實(shí)原因解析

          • 摘要:文中從專業(yè)的角度介紹了晶閘管在工作過(guò)程中燒壞的真實(shí)原因,解開了以往從表面現(xiàn)象而判斷晶閘管燒壞的誤區(qū)。
            關(guān)鍵詞:晶閘管;dv/dt;di/dt;開通時(shí)間;關(guān)斷時(shí)間

            晶閘管屬于硅元件,硅元件的普遍特性
          • 關(guān)鍵字: 晶閘管  dv/dt  di/dt  開通時(shí)間  關(guān)斷時(shí)間  

          可控硅dIT/dt測(cè)試線路的設(shè)計(jì)與測(cè)量

          • 摘要:dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個(gè)重要參數(shù),過(guò)高的dIT/dt可能會(huì)導(dǎo)致可控硅損壞或失效,故設(shè)計(jì)一個(gè)能準(zhǔn)確測(cè)量此參數(shù)的低成本線路顯得尤為關(guān)鍵。本文設(shè)計(jì)了一個(gè)簡(jiǎn)潔的測(cè)量可控硅dIT/dt的測(cè)試電路,并介紹了它的測(cè)試原理與測(cè)試方法,且測(cè)量了市場(chǎng)上的BTA208-600B,得出了測(cè)試結(jié)果,與該產(chǎn)品說(shuō)明書的值一致。可應(yīng)用于研發(fā)可控硅的企事業(yè)單位和研究所測(cè)試可控硅。
          • 關(guān)鍵字: 測(cè)試  可控硅  dIT/dt  201208  

          高電壓浪涌抑制器可確保電源浪涌期間的可靠操作

          • 在工業(yè)、汽車和航空電子應(yīng)用中,經(jīng)常會(huì)遇到持續(xù)幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子線路不僅必須安然承受瞬態(tài)電壓尖峰,而且在許多場(chǎng)合還需要在此過(guò)程中可靠地運(yùn)作。在那些通過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)線供電的系統(tǒng)中,負(fù)載階躍 (負(fù)載電流的突然變化) 將產(chǎn)生嚴(yán)重的瞬變。
          • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  電阻器  dI/dt  

          電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響

          • 數(shù)字信號(hào)主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時(shí)間TR相關(guān),而與傳播延遲、時(shí)鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無(wú)關(guān): 信號(hào)傳播的整個(gè)路徑,包括器件封裝、電路板布局以及連接器等,如果要它們正確地分發(fā)轉(zhuǎn)
          • 關(guān)鍵字: DV  DT  電壓突變  電流突變    

          超頻引擎實(shí)力爆發(fā) 精靈雷神DT深度拆解

          •   對(duì)于游戲玩家,一款游戲鼠標(biāo)最重要的是舒適和適合;而對(duì)于發(fā)燒友來(lái)說(shuō),不把鼠標(biāo)拆開來(lái)細(xì)細(xì)研究一下,不能滿足發(fā)燒友的好奇心。前些日子筆者獲得了一款精靈雷神DT游戲鼠標(biāo),其配備可調(diào)配重和宏編程鍵,采用可調(diào)DPI 100-5700MHz的SCGii超頻引擎。今天筆者耐不住好奇心,決定把雷神DT拆解來(lái)一探究竟。我們一起來(lái)看看這款游戲鼠標(biāo)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 ?   精靈雷神系列——精靈雷神系列產(chǎn)品是精靈專為游戲玩家設(shè)計(jì)的游戲外設(shè),該系列包括雷神K7、雷神K9、雷神M1等專業(yè)游戲鍵盤和
          • 關(guān)鍵字: 游戲鼠標(biāo)  精靈雷神  DT  

          高di/dt負(fù)載瞬態(tài)的電源及其分配系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          • 就許多中央處理器(CPU)而言,規(guī)范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流,特別是當(dāng)處理器變換工作模式的時(shí)候。例如,在1V的系統(tǒng)中,100A/uS負(fù)載瞬態(tài)可能會(huì)要求將電源電壓穩(wěn)定在3%以內(nèi)。解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵就是
          • 關(guān)鍵字: di  dt  負(fù)載瞬態(tài)  電源    
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          dt介紹

           DT=DeskTop,臺(tái)式機(jī),與其相對(duì)應(yīng)的是NB(NoteBook,筆記本)。   DT=Drive Test,路測(cè),移動(dòng)通信術(shù)語(yǔ),也稱驅(qū)車覆蓋測(cè)試,是通過(guò)驅(qū)車沿一定道路行駛時(shí)測(cè)量無(wú)線網(wǎng)絡(luò)性能的一種方法。在DT中模擬實(shí)際用戶,不斷的上傳或者下載不同大小的文件,通過(guò)測(cè)試軟件的統(tǒng)計(jì)分析,獲得網(wǎng)絡(luò)性能的一些指標(biāo)。移動(dòng)通信運(yùn)營(yíng)商為測(cè)試業(yè)務(wù)質(zhì)量,一般每年都會(huì)例行安排第三方專業(yè)測(cè)試公司對(duì)網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量進(jìn)行DT測(cè) [ 查看詳細(xì) ]

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