- 如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發(fā)生失效問題。本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。?dV/dt是單位時間內的電壓變化量，VDS的上升坡度
- 關鍵字：
羅姆半導體 dv dt
- 王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機驅動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關斷狀態(tài)下產生雪崩擊穿。本文結合半橋電路的寄生參數模型，完善傳統公式的推導?；趯脚cIGBT擎住現象的分析，并結合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結構，改善了傳統半橋電路工作時的可靠性。 關鍵詞：IGBT；
- 關鍵字：
202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
- 數字信號主要的頻率分量都位于它的轉折頻率以下。轉折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關，而與傳播延遲、時鐘速率或轉換頻率無關：信號傳播的整個路徑，包
- 關鍵字：
DT DV DL 電壓突變
- 高 di/dt 負載需要仔細考慮旁路問題以保持電源動態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非?？拷撦d以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短電流通道的電容也是有效的。這可以用體積較小的部件或具有交流端接（其使用了更短的尺寸用于電流）的部件來實施。
- 關鍵字：
di/dt 德州儀器 電源設計小貼士 電源管理
- 6年前，云計算創(chuàng)業(yè)“無人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成長為全球領先的云計算服務平臺，開始分享對于DT世界、云計算生態(tài)、數據保護以及未來核心技術等方向的判斷。
7月22日，首屆阿里云分享日×云棲大會北京峰會召開，吸引了海內外2000余名開發(fā)者、創(chuàng)業(yè)者及生態(tài)伙伴參與。會上，阿里云集中發(fā)布了11款新產品、50多個行業(yè)解決方案;向企業(yè)級用戶開放互聯網架構解決方案;首次披露云計算生態(tài)路線圖全貌;并面向行業(yè)率先發(fā)起數據保護倡議，明確數據歸屬客戶所有，平臺方不得移作它用。
- 關鍵字：
阿里云 DT
- 6月9日，據國外媒體報道，知情人士透露稱，蘋果公司正在建造高速網絡，同時還在升級自己打造數據中心的方式，此舉旨在提升該公司在云領域的競爭實力，從而進一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對手在云服務領域展開更好的競爭。
目前為止，蘋果主要依賴傳統網絡供應商和技術供應商來支持該公司的消費者服務，例如iTune音樂和電影服務、iCloud存儲圖片和其它內容服務、以及Siri語音助手服務。未來一段時間，蘋果還將繼續(xù)依賴現有的多數服務和產品供應商，因而目前該公司也在積極尋求措施來提升自己當前的基礎設施。
據知
- 關鍵字：
蘋果 DT
- 雖然聽起來挺厲害的，但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機一鏟子挖壞了呢，難道沒有容錯機制？阿里快長點心吧，千里之堤毀于蟻穴，大企業(yè)不能再遇到這種災難性的事故了。
- 關鍵字：
阿里巴巴 DT
- 一、?前言 在可攜式電量測量設備中，常見有數位式復用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設備可用來測量出電量中的電壓及電流，電量訊號又可分成直流及交流，而交流部分再分為平均值及方均根(root?mean?square,?RMS)轉換量測。平均值轉換的電量測量設備并非真正測量方均根值，而是以正弦波交流信號，做信號平均值測量，校正所得到的量值。對于非正弦波而言，可能會有相當程度的誤差。因此很
- 關鍵字：
HY12P65 SDADC DT-RMS
- 日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機圖，請大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個旗艦產品的一級外配。...
- 關鍵字：
DT-910 無線充電 諾基亞
- 摘要：文中從專業(yè)的角度介紹了晶閘管在工作過程中燒壞的真實原因，解開了以往從表面現象而判斷晶閘管燒壞的誤區(qū)。
關鍵詞：晶閘管；dv／dt；di／dt；開通時間；關斷時間
晶閘管屬于硅元件，硅元件的普遍特性
- 關鍵字：
晶閘管 dv／dt di／dt 開通時間 關斷時間
- 摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個重要參數，過高的dIT/dt可能會導致可控硅損壞或失效，故設計一個能準確測量此參數的低成本線路顯得尤為關鍵。本文設計了一個簡潔的測量可控硅dIT/dt的測試電路，并介紹了它的測試原理與測試方法，且測量了市場上的BTA208-600B，得出了測試結果，與該產品說明書的值一致。可應用于研發(fā)可控硅的企事業(yè)單位和研究所測試可控硅。
- 關鍵字：
測試 可控硅 dIT/dt 201208
- 在工業(yè)、汽車和航空電子應用中，經常會遇到持續(xù)幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統中的電子線路不僅必須安然承受瞬態(tài)電壓尖峰，而且在許多場合還需要在此過程中可靠地運作。在那些通過長導線供電的系統中，負載階躍 (負載電流的突然變化) 將產生嚴重的瞬變。
- 關鍵字：
凌力爾特 電阻器 dI/dt
- 數字信號主要的頻率分量都位于它的轉折頻率以下。轉折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關，而與傳播延遲、時鐘速率或轉換頻率無關： 信號傳播的整個路徑，包括器件封裝、電路板布局以及連接器等，如果要它們正確地分發(fā)轉
- 關鍵字：
DV DT 電壓突變 電流突變
- 對于游戲玩家，一款游戲鼠標最重要的是舒適和適合;而對于發(fā)燒友來說，不把鼠標拆開來細細研究一下，不能滿足發(fā)燒友的好奇心。前些日子筆者獲得了一款精靈雷神DT游戲鼠標，其配備可調配重和宏編程鍵，采用可調DPI 100-5700MHz的SCGii超頻引擎。今天筆者耐不住好奇心，決定把雷神DT拆解來一探究竟。我們一起來看看這款游戲鼠標的內部結構。
?
精靈雷神系列——精靈雷神系列產品是精靈專為游戲玩家設計的游戲外設，該系列包括雷神K7、雷神K9、雷神M1等專業(yè)游戲鍵盤和
- 關鍵字：
游戲鼠標 精靈雷神 DT
- 就許多中央處理器(CPU)而言，規(guī)范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流，特別是當處理器變換工作模式的時候。例如，在1V的系統中，100A/uS負載瞬態(tài)可能會要求將電源電壓穩(wěn)定在3%以內。解決這一問題的關鍵就是
- 關鍵字：
di dt 負載瞬態(tài) 電源
dt-315n介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條dt-315n!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對dt-315n的理解，并與今后在此搜索dt-315n的朋友們分享。
創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
