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什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效問(wèn)題。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時(shí)間內(nèi)的電壓變化量，VDS的上升坡度
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體 dv dt

關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

　　王定良（電子科技大學(xué) 電子科學(xué)與工程學(xué)院，四川成都 610054）　　摘? 要：作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來(lái)越重要，但是越來(lái)越快的開(kāi)關(guān)速度，可能會(huì)引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過(guò)高的dV/dt也會(huì)在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導(dǎo)。基于對(duì)公式與IGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來(lái)動(dòng)態(tài)擴(kuò)展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時(shí)的可靠性?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT；
關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

數(shù)字信號(hào)主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時(shí)間TR相關(guān)，而與傳播延遲、時(shí)鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無(wú)關(guān)：信號(hào)傳播的整個(gè)路徑，包
關(guān)鍵字： DT DV DL 電壓突變

如何處理高di/dt負(fù)載瞬態(tài)（上）

高 di/dt 負(fù)載需要仔細(xì)考慮旁路問(wèn)題以保持電源動(dòng)態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非?？拷?fù)載以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的，但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短電流通道的電容也是有效的。這可以用體積較小的部件或具有交流端接（其使用了更短的尺寸用于電流）的部件來(lái)實(shí)施。
關(guān)鍵字： di/dt 德州儀器電源設(shè)計(jì)小貼士電源管理

深度解讀阿里云六年成長(zhǎng)歷程：向DT世界轉(zhuǎn)型

　　6年前，云計(jì)算創(chuàng)業(yè)“無(wú)人喝彩”。6年后的今天，阿里云已成長(zhǎng)為全球領(lǐng)先的云計(jì)算服務(wù)平臺(tái)，開(kāi)始分享對(duì)于DT世界、云計(jì)算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護(hù)以及未來(lái)核心技術(shù)等方向的判斷。　　7月22日，首屆阿里云分享日×云棲大會(huì)北京峰會(huì)召開(kāi)，吸引了海內(nèi)外2000余名開(kāi)發(fā)者、創(chuàng)業(yè)者及生態(tài)伙伴參與。會(huì)上，阿里云集中發(fā)布了11款新產(chǎn)品、50多個(gè)行業(yè)解決方案;向企業(yè)級(jí)用戶開(kāi)放互聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)解決方案;首次披露云計(jì)算生態(tài)路線圖全貌;并面向行業(yè)率先發(fā)起數(shù)據(jù)保護(hù)倡議，明確數(shù)據(jù)歸屬客戶所有，平臺(tái)方不得移作它用。
關(guān)鍵字：阿里云 DT

DT大蛋糕蘋果能否分得一杯羹

　　6月9日，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，知情人士透露稱，蘋果公司正在建造高速網(wǎng)絡(luò)，同時(shí)還在升級(jí)自己打造數(shù)據(jù)中心的方式，此舉旨在提升該公司在云領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，從而進(jìn)一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對(duì)手在云服務(wù)領(lǐng)域展開(kāi)更好的競(jìng)爭(zhēng)。　　目前為止，蘋果主要依賴傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商和技術(shù)供應(yīng)商來(lái)支持該公司的消費(fèi)者服務(wù)，例如iTune音樂(lè)和電影服務(wù)、iCloud存儲(chǔ)圖片和其它內(nèi)容服務(wù)、以及Siri語(yǔ)音助手服務(wù)。未來(lái)一段時(shí)間，蘋果還將繼續(xù)依賴現(xiàn)有的多數(shù)服務(wù)和產(chǎn)品供應(yīng)商，因而目前該公司也在積極尋求措施來(lái)提升自己當(dāng)前的基礎(chǔ)設(shè)施。　　據(jù)知
關(guān)鍵字：蘋果 DT

阿里巴巴全球布局?jǐn)?shù)據(jù)中心謀DT時(shí)代戰(zhàn)略

雖然聽(tīng)起來(lái)挺厲害的，但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機(jī)一鏟子挖壞了呢，難道沒(méi)有容錯(cuò)機(jī)制？阿里快長(zhǎng)點(diǎn)心吧，千里之堤毀于蟻穴，大企業(yè)不能再遇到這種災(zāi)難性的事故了。
關(guān)鍵字：阿里巴巴 DT

數(shù)位儀表設(shè)計(jì)-HY12P65簡(jiǎn)化可攜式電量測(cè)量設(shè)計(jì)

　　一、?前言　　在可攜式電量測(cè)量設(shè)備中，常見(jiàn)有數(shù)位式復(fù)用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設(shè)備可用來(lái)測(cè)量出電量中的電壓及電流，電量訊號(hào)又可分成直流及交流，而交流部分再分為平均值及方均根(root?mean?square,?RMS)轉(zhuǎn)換量測(cè)。平均值轉(zhuǎn)換的電量測(cè)量設(shè)備并非真正測(cè)量方均根值，而是以正弦波交流信號(hào)，做信號(hào)平均值測(cè)量，校正所得到的量值。對(duì)于非正弦波而言，可能會(huì)有相當(dāng)程度的誤差。因此很
關(guān)鍵字： HY12P65 SDADC DT-RMS

探索諾基亞無(wú)線充電支架DT-910的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機(jī)圖，請(qǐng)大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個(gè)旗艦產(chǎn)品的一級(jí)外配。...
關(guān)鍵字： DT-910 無(wú)線充電諾基亞

晶閘管燒壞的真實(shí)原因解析

摘要：文中從專業(yè)的角度介紹了晶閘管在工作過(guò)程中燒壞的真實(shí)原因，解開(kāi)了以往從表面現(xiàn)象而判斷晶閘管燒壞的誤區(qū)。
關(guān)鍵詞：晶閘管；dv／dt；di／dt；開(kāi)通時(shí)間；關(guān)斷時(shí)間

晶閘管屬于硅元件，硅元件的普遍特性
關(guān)鍵字：晶閘管 dv／dt di／dt 開(kāi)通時(shí)間關(guān)斷時(shí)間

可控硅dIT/dt測(cè)試線路的設(shè)計(jì)與測(cè)量

摘要：dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個(gè)重要參數(shù)，過(guò)高的dIT/dt可能會(huì)導(dǎo)致可控硅損壞或失效，故設(shè)計(jì)一個(gè)能準(zhǔn)確測(cè)量此參數(shù)的低成本線路顯得尤為關(guān)鍵。本文設(shè)計(jì)了一個(gè)簡(jiǎn)潔的測(cè)量可控硅dIT/dt的測(cè)試電路，并介紹了它的測(cè)試原理與測(cè)試方法，且測(cè)量了市場(chǎng)上的BTA208-600B，得出了測(cè)試結(jié)果，與該產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)的值一致。可應(yīng)用于研發(fā)可控硅的企事業(yè)單位和研究所測(cè)試可控硅。
關(guān)鍵字：測(cè)試可控硅 dIT/dt 201208

高電壓浪涌抑制器可確保電源浪涌期間的可靠操作

在工業(yè)、汽車和航空電子應(yīng)用中，經(jīng)常會(huì)遇到持續(xù)幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子線路不僅必須安然承受瞬態(tài)電壓尖峰，而且在許多場(chǎng)合還需要在此過(guò)程中可靠地運(yùn)作。在那些通過(guò)長(zhǎng)導(dǎo)線供電的系統(tǒng)中，負(fù)載階躍 (負(fù)載電流的突然變化) 將產(chǎn)生嚴(yán)重的瞬變。
關(guān)鍵字：凌力爾特電阻器 dI/dt

電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響

數(shù)字信號(hào)主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時(shí)間TR相關(guān)，而與傳播延遲、時(shí)鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無(wú)關(guān)：信號(hào)傳播的整個(gè)路徑，包括器件封裝、電路板布局以及連接器等，如果要它們正確地分發(fā)轉(zhuǎn)
關(guān)鍵字： DV DT 電壓突變電流突變

超頻引擎實(shí)力爆發(fā) 精靈雷神DT深度拆解

　　對(duì)于游戲玩家，一款游戲鼠標(biāo)最重要的是舒適和適合;而對(duì)于發(fā)燒友來(lái)說(shuō)，不把鼠標(biāo)拆開(kāi)來(lái)細(xì)細(xì)研究一下，不能滿足發(fā)燒友的好奇心。前些日子筆者獲得了一款精靈雷神DT游戲鼠標(biāo)，其配備可調(diào)配重和宏編程鍵，采用可調(diào)DPI 100-5700MHz的SCGii超頻引擎。今天筆者耐不住好奇心，決定把雷神DT拆解來(lái)一探究竟。我們一起來(lái)看看這款游戲鼠標(biāo)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 ? 　　精靈雷神系列——精靈雷神系列產(chǎn)品是精靈專為游戲玩家設(shè)計(jì)的游戲外設(shè)，該系列包括雷神K7、雷神K9、雷神M1等專業(yè)游戲鍵盤和
關(guān)鍵字：游戲鼠標(biāo) 精靈雷神 DT

彪悍！英特爾PCIe SSD 910拆解[大圖]

各位關(guān)注SSD的話，相比還記得此前我們介紹過(guò)IDF2012大會(huì)上，英特爾推出的PCI-E固態(tài)盤910系列產(chǎn)品。此次，我們將為大家重點(diǎn)介紹容量為800GB的SSD 910產(chǎn)品。
關(guān)鍵字：英特爾 PCIe SSD 910