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晶背供電技術(shù)的DTCO設(shè)計方案
- 一些芯片大廠近期宣布在其邏輯芯片的開發(fā)藍(lán)圖中導(dǎo)入晶背供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）。比利時微電子研究中心（imec）于本文攜手硅智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）方案，其中采用了奈米硅穿孔及埋入式電源軌來進(jìn)行晶背布線。他們展示如何在高效能運(yùn)算應(yīng)用充分發(fā)揮該晶背供電網(wǎng)絡(luò)的潛力，并介紹在標(biāo)準(zhǔn)單元進(jìn)行晶背連接的其它設(shè)計選擇，探察晶背直接供電方案所能發(fā)揮的最大微縮潛能。長久以來，訊號處理與供電網(wǎng)絡(luò)都在硅晶圓正面進(jìn)行，晶背供電技術(shù)打破了這種傳統(tǒng)，把整個配電網(wǎng)絡(luò)都移到晶圓背面。硅穿
- 關(guān)鍵字： 晶背供電 DTCO 晶背連接
全新微縮之旅:延續(xù)摩爾定律的方法和DTCO的應(yīng)用
- 美國時間4月21日，應(yīng)用材料公司舉辦了“全新微縮之旅”大師課。期間，我們重點(diǎn)討論了要在未來若干年內(nèi)提升晶體管密度，芯片制造商正在尋求互補(bǔ)的兩條道路。其一是延續(xù)傳統(tǒng)的摩爾定律二維微縮，也就是使用EUV光刻和材料工程打造出更小的特征。另一條則是使用設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）和三維技巧，對邏輯單元布局進(jìn)行巧妙優(yōu)化，這樣無需對光刻柵距進(jìn)行任何更改即可增加密度。這篇博客我們將英文博客原文摘選，一起回顧下該堂大師課程的技術(shù)精髓?；仡櫠S微縮的發(fā)展眾所周知，傳統(tǒng)的摩爾定律二維微縮定義了半個多世紀(jì)以來芯片行業(yè)的技術(shù)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 DTCO
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