球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關應用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能，從而實現較低的導通損耗和更理想的系統效率。這款大罐式產品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
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IR MOSFET DirectFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業界領先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開
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IR MOSFET DirectFET 芯片組
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。
IR 的這些首款汽車用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統標準塑料封裝元件相比，可降低整體系統級尺寸和成本，實現更優異的性能和效率。
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉
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IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業界最低的通態電阻 (RDS(on))，并且使動態ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術，提供極低的通態電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ)，同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導
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IR MOSFET DirectFET
英飛凌科技股份有限公司與國際整流器公司IR宣布，英飛凌獲得國際整流器公司DirectFET?的授權許可，獲準使用享有專利的先進功率封裝技術。 DirectFET功率封裝技術適用于計算機、筆記本、通信設備和消費類電子產品中的交流-直流以及直流-直流電源轉換器件，是業界一流的表面貼功率MOSFET封裝技術，在SO-8封裝尺寸或更小尺寸上進行頂部冷卻非常有效。較之標準分立塑封，DirectFET的“金屬帽”結構可實現雙面冷卻，將高頻直流-直流降壓轉換器的電流處理能力提升一倍。 英飛凌將在OptiMOS2和Opt
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工業控制 國際整流器 英飛凌 DirectFET 中間件 軟件庫
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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IR DirectFET
IR近日與兩家總部分別位于不同地區的半導體供應商達成協議，授權他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術。 DirectFET MOSFET封裝技術基于突破性的雙面冷卻技術，在2002年推出后迅速成為了先進計算、消費及通信應用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長速度最快的產品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
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DirectFET IR 電源技術 封裝技術 模擬技術 封裝
IR近日與兩家總部分別位于不同地區的半導體供應商達成協議，授權他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術。 DirectFET MOSFET封裝技術基于突破性的雙面冷卻技術，在2002年推出后迅速成為了先進計算、消費及通信應用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長速度最快的產品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，I
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