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          矽力杰集成功率級(jí)DrMOS方案

          • 伴隨著CPU, GPU等的性能進(jìn)步和制程發(fā)展,主板的供電設(shè)計(jì)也迎來(lái)了更多的挑戰(zhàn),大電流、高效率、空間占用小、動(dòng)態(tài)響應(yīng)快、保護(hù)更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分立MOS的方案逐漸被取代,SPS/DrMOS的解決方案憑借更好的性能表現(xiàn)成為主流。01 矽力杰 DrMOS 方案SQ29663采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝,芯片內(nèi)部集成兩個(gè)高性能的MOS和驅(qū)動(dòng)及控制單元,通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)控制,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。嚴(yán)密的控制和保護(hù)邏輯使其能輕松兼容主流的前級(jí)控制器,適用于CPU,GPU以及POL的電
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          單芯片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET技術(shù) 改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          • 本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET(DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進(jìn)而增強(qiáng)最終應(yīng)用的整體性能。隨著技術(shù)的進(jìn)步,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此,這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域,推動(dòng)穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率),為了在有限空間中滿(mǎn)足系統(tǒng)的高功率要求,必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率,高
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          電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)優(yōu)化秘技:單片驅(qū)動(dòng)器+MOSFET(DrMOS)

          • 現(xiàn)階段,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速,令這些器件所需功率急劇增加,直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級(jí)需求:一是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率)升級(jí),為了在有限空間中滿(mǎn)足系統(tǒng)的高功率要求,必須大幅提高功率密度;另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升,高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認(rèn)的解決方案,是將先進(jìn)的開(kāi)關(guān)MOSFET(穩(wěn)壓器的主要組成部分)及其相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)器集成到單個(gè)芯片中并采用高級(jí)封裝,從而實(shí)現(xiàn)緊湊高效的功率轉(zhuǎn)換。這種DrMOS功率級(jí)優(yōu)化了高速功率轉(zhuǎn)換。隨著對(duì)這
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          Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費(fèi)在線仿真工具

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費(fèi)在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線,功能強(qiáng)大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性,比如裸片溫度對(duì)功率耗散的時(shí)間縮放功能,定義更多的真實(shí)條件以提高仿真精度和設(shè)計(jì)靈活性,減輕對(duì)用戶(hù)使用經(jīng)驗(yàn)的要求。
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          飛兆XS DrMOS提供更薄的Ultrabook應(yīng)用解決方案

          • Ultrabook設(shè)備和筆記本等應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨降低電源設(shè)計(jì)中電感高度的挑戰(zhàn),以滿(mǎn)足更薄的低側(cè)高終端系統(tǒng)要求。
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          Vishay Siliconix 推出高效集成DrMOS解決方案

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。   
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          英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列

          •   英飛凌科技股份公司近日宣布,公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示會(huì)上,推出OptiMOS 25V器件系列,壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化,適合應(yīng)用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開(kāi)關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿(mǎn)足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。   通過(guò)大幅降低三個(gè)關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM),這種全新的器件無(wú)論在任何負(fù)載條件下,都可使MOSFET功耗降低20%,同時(shí)達(dá)到更高的性能。此外,更高的功率密度還能讓典型電
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  OptiMOS  MOSFET  DrMOS  

          處理器的高效率電源管理(08-100)

          •   預(yù)測(cè)到2010年,處理器將工作在1V和100A電流,到2020年希望處理器的電源電壓將是0.7V和更高電流。處理器工作在1V,100A(或更高)和GHz頻率時(shí)的高效電源管理成為設(shè)計(jì)人員面對(duì)的困難任務(wù)。
          • 關(guān)鍵字: Intel  VRD  DrMOS  多相PWM  

          飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊

          •   飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案FDMF6700,采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對(duì)于空間極度受約束的應(yīng)用,比如小外形尺寸的臺(tái)式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備,以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用,F(xiàn)DMF6700為設(shè)計(jì)人員提供別具吸引力的解決方案。   在個(gè)人電腦主板中,典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個(gè)相位可能包含:采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  飛兆  DrMOS  FET  模塊  

          瑞薩發(fā)布第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET(DrMOS)”

          • 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET(DrMOS)” 實(shí)現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比,在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過(guò)20%的功率損耗— 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端(注1)功率MOSFET的R2J20602NP,可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器(VR)。樣品供貨將從2006年12月在日本開(kāi)始。 R
          • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  第二代  集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET(DrMOS)  嵌入式系統(tǒng)  瑞薩科技  

          瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET(DrMOS)”

          • 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET(DrMOS)” 實(shí)現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比,在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過(guò)20%的功率損耗— 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP,可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器(VR)。樣品供貨將從2006年12月在日本開(kāi)始。 R2
          • 關(guān)鍵字: DrMOS  MOSFET  單片機(jī)  電源技術(shù)  集成驅(qū)動(dòng)器  模擬技術(shù)  嵌入式系統(tǒng)  瑞薩  
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          drmos介紹

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