euv光刻技術(shù) 文章 進(jìn)入euv光刻技術(shù)技術(shù)社區(qū)

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

• 　　半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化讓人擔(dān)心。決定微細(xì)化成敗的蝕刻技術(shù)沒有找到突破口，由微細(xì)化帶來的成本優(yōu)勢(shì)越來越難以確認(rèn)。而在微細(xì)化以外的技術(shù)方面，2011年出現(xiàn)了頗受關(guān)注的話題，美國(guó)英特爾宣布三維晶體管實(shí)用化、臺(tái)積電(TSMC)宣布建設(shè)450mm晶圓生產(chǎn)線。這些技術(shù)正在逐漸擴(kuò)大到全行業(yè)。 　　量產(chǎn)中遲遲無法
• 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  EUV光刻技術(shù)