euv光刻機(jī) 文章進(jìn)入euv光刻機(jī)技術(shù)社區(qū)

ASML最先進(jìn)的光刻機(jī)，花落誰家？

4月上旬，全球光刻機(jī)龍頭企業(yè)ASML發(fā)布了其最新一代極紫外線(EUV)光刻設(shè)備Twinscan NXE:3800E，該工具投影透鏡擁有0.33的數(shù)值孔徑，旨在滿足未來幾年對(duì)于尖端技術(shù)芯片的制造需求，包括3nm、2nm等小尺寸節(jié)點(diǎn)。ASML還計(jì)劃進(jìn)一步推出另一代低數(shù)值孔徑(EUV)掃描儀Twinscan NXE:4000F，預(yù)計(jì)將于2026年左右發(fā)布。近日，據(jù)外媒消息，ASML截至2025上半年的高數(shù)值孔徑EUV（High-NA EUV）設(shè)備訂單由英特爾全部包攬，據(jù)悉，英特爾在宣布重新進(jìn)入芯片代工業(yè)務(wù)時(shí)搶先
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日本Rapidus計(jì)劃2024年底引入EUV光刻機(jī)

據(jù)日媒報(bào)道，日本芯片公司Rapidus表示，正在北海道建設(shè)芯片工廠，目標(biāo)是2027年量產(chǎn)2nm制程芯片。該公司宣布，決定在2024年年底引入EUV光刻機(jī)，并將派遣員工赴荷蘭阿斯麥學(xué)習(xí)EUV極紫外光刻技術(shù)。目標(biāo)是今年派遣100名員工至IBM、阿斯麥學(xué)習(xí)先進(jìn)芯片技術(shù)。
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柔弱的雕刻大師——EUV光刻機(jī)

在如今這個(gè)信息時(shí)代，如果說我們的世界是由芯片堆積起來的高樓大廈，那么芯片制造，則是這里面高樓的地基，而談到芯片制造各位讀者自然就能想到光刻機(jī)，沒錯(cuò)，作為人類商業(yè)化機(jī)器的工程奇跡，光刻機(jī)自然是量產(chǎn)高性能芯片的必要設(shè)備。特別是隨著這幾年中美貿(mào)易戰(zhàn)的加劇，光刻機(jī)這種大部分可能一生都不會(huì)見到的機(jī)器一下子成了婦孺皆知的存在，那么光刻機(jī)是如何工作的呢？它是如何在方寸之間的芯片上雕刻出上百億的晶體管的呢？本篇文章就著重給大家介紹一下目前最先進(jìn)，也是我國被“卡脖子”的EUV（極紫外）光刻機(jī)。? ? &
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ASML新EUV光刻機(jī)成本：趕上頂級(jí)戰(zhàn)機(jī)

日前，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪時(shí)透露，他們正在全力研制劃時(shí)代的新光刻機(jī)high-NA EUV設(shè)備，而高NA EUV光刻機(jī)系統(tǒng)的單臺(tái)造價(jià)將在25億元（單臺(tái)造價(jià)在3億到3.5億歐元之間，約合人民幣21.95到25.61億元）。資料顯示重型航母（排水量60000噸以上）航母造價(jià)是35億美金左右，而上述光刻機(jī)成本等同于f35戰(zhàn)斗機(jī)造價(jià)（1.5-2.5億美元）。盡管如此昂貴，但I(xiàn)ntel此前表示自己是全球第一個(gè)下單的客戶，臺(tái)積電也跟進(jìn)了。高NA EUV光刻機(jī)將在2024年進(jìn)廠投入
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三星公布發(fā)展規(guī)劃；ASML繼續(xù)向中國出貨非EUV光刻機(jī)

三星公布五年發(fā)展規(guī)劃10月20日，三星電子在韓國首爾舉辦晶圓代工論壇，此前三星已經(jīng)分別在美國加州、德國慕尼黑、日本東京舉辦了該論壇活動(dòng)，韓國首爾是今年三星晶圓代工論壇的收官站點(diǎn)。在上述晶圓代工系列活動(dòng)上，三星對(duì)外介紹了最新技術(shù)成果，以及未來五年晶圓代工事業(yè)發(fā)展規(guī)劃。按照規(guī)劃，三星將于2025年量產(chǎn)2nm先進(jìn)制程工藝技術(shù)，到2027年量產(chǎn)1.4nm制程工藝技術(shù)。另一大晶圓代工巨頭臺(tái)積電也于近期表示，2nm方面，目前進(jìn)展一切順利，將仍按照進(jìn)度量產(chǎn)，并將在2nm節(jié)點(diǎn)引入GAA架構(gòu)，預(yù)計(jì)2024年下半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性
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臺(tái)積電計(jì)劃關(guān)閉部分EUV光刻機(jī)：先進(jìn)工藝過剩

EUV光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備，只有ASML公司才能生產(chǎn)，單臺(tái)售價(jià)約10億人民幣，之前三星、臺(tái)積電等公司還要搶著買，然而今年半導(dǎo)體形勢(shì)已經(jīng)變了，EUV光刻機(jī)反而因?yàn)楹碾娞?，臺(tái)積電計(jì)劃關(guān)閉省電。來自產(chǎn)業(yè)鏈的消息人士手機(jī)晶片達(dá)人的消息稱，由于先進(jìn)制程產(chǎn)能利用率開始下滑，而且評(píng)估之后下滑時(shí)間會(huì)持續(xù)一段周期，臺(tái)積電計(jì)劃從年底開始，將部分EUV 設(shè)備關(guān)機(jī)，以節(jié)省EUV設(shè)備巨大的耗電支出。據(jù)了解臺(tái)積電目前擁有大約80臺(tái)EUV光刻機(jī)，主要用于7nm、5nm及以下的先進(jìn)工藝，今年9月份還會(huì)量產(chǎn)3nm工藝，都需要E
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單價(jià)26億元 ASML下一代EUV光刻機(jī)啟動(dòng)：核心部件到貨

荷蘭ASML公司今天發(fā)布了2022年第二季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季凈銷售額為54.31億歐元，好于市場(chǎng)預(yù)期的52.6億歐元，上年同期為40.20億歐元，同比增長35%。毛利潤為26.65億歐元，上一季度為17.31億歐元，上年同期為20.45億歐元;毛利率為49.1%，上一季度為49.0%。凈利潤為14.11億歐元，上年同期為10.38億歐元，同比增長36%。Q2新增訂單金額為84.61億歐元，其中包括54億歐元的EUV訂單，較上一季度的新增訂單金額69.77億歐元環(huán)比增長21%。本季度中，ASML公司出貨了12臺(tái)E
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臺(tái)積電、Intel、三星狂買ASML EUV光刻機(jī)

臺(tái)積電在北美技術(shù)論壇上公布了新的制程路線圖，定于2025年量產(chǎn)2nm工藝，其采用Nanosheet（納米片電晶體）的微觀結(jié)構(gòu)，取代FinFET。期間，臺(tái)積電甚至規(guī)劃了5種3nm制程，包括N3、N3E、N3P、N3S和N3X，要在2025年前將成熟和專業(yè)化制程的產(chǎn)能提高50%，包括興建更多的晶圓廠。顯然，作為產(chǎn)能提升以及興建晶圓廠的關(guān)鍵核心設(shè)備，EUV光刻機(jī)少不了要采購一大批。臺(tái)積電表示，計(jì)劃在2024年引入ASML的新一代EUV極紫外光刻機(jī)。此前，Intel曾說自己是第一個(gè)訂購ASML下一代EUV光刻機(jī)的
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TrendForce：ASML工廠火災(zāi) 影響EUV光刻機(jī)交期

ASML位于德國柏林工廠一處，于1月3日發(fā)生火警，該企業(yè)主要為晶圓代工及內(nèi)存生產(chǎn)，所需的關(guān)鍵設(shè)備機(jī)臺(tái)，包含EUV與DUV之最大供貨商。根據(jù)TrendForce的消息，占地32,000平方米的柏林廠區(qū)中，約200平方米廠區(qū)受火災(zāi)影響。該廠區(qū)主要制造光刻機(jī)中，所需的光學(xué)相關(guān)零組件，例如：晶圓臺(tái)、光罩吸盤和反射鏡，其中用以固定光罩的光罩吸盤，處于緊缺狀態(tài)。目前該廠零組件以供應(yīng)EUV機(jī)臺(tái)較多，且以晶圓代工的需求占多數(shù)。若屆時(shí)因火災(zāi)而造成零組件交期有所延后，不排除ASML將優(yōu)先分配主要的產(chǎn)出支持晶圓代工訂單的可能性
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ASML出貨超過100臺(tái)EUV光刻機(jī) 新制程時(shí)代來臨

芯研所消息，全球半導(dǎo)體的缺貨，進(jìn)一步激發(fā)了上游半導(dǎo)體設(shè)備廠商的產(chǎn)能，據(jù)外媒報(bào)道截至第二季度，ASML EUV設(shè)備出貨總量達(dá)到102臺(tái)，隨著需求量的提高和客戶群的擴(kuò)大，預(yù)計(jì)2年內(nèi)累計(jì)供應(yīng)量將增加2倍以上，標(biāo)志著EUV時(shí)代正式拉開帷幕。據(jù)統(tǒng)計(jì)，過去四個(gè)季度（2020年第三季度-2021年第二季度），ASML EUV設(shè)備出貨總計(jì)40臺(tái)，較之前四個(gè)季度（2019年第三季度-2020年第二季度）增長了66%。ASML今年的出貨目標(biāo)是40臺(tái)左右，下半年將供應(yīng)25臺(tái)左右。ASML擴(kuò)大EUV設(shè)備供應(yīng)響應(yīng)了半導(dǎo)體制造業(yè)實(shí)現(xiàn)
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EUV光刻機(jī)將如何發(fā)展？

AI、5G應(yīng)用推動(dòng)芯片微縮化,要實(shí)現(xiàn)5nm、3nm等先進(jìn)制程,意味著需要更新穎的技術(shù)支援以進(jìn)行加工制造,半導(dǎo)體設(shè)備商遂陸續(xù)推出新一代方案。 AI、5G應(yīng)用推動(dòng)晶片微縮化,要實(shí)現(xiàn)5nm、3nm等先進(jìn)制程,意味著需要更新穎的技術(shù)支援以進(jìn)行加工制造,為此,艾司摩爾(ASML)持續(xù)強(qiáng)化極紫外光(EUV)微影系統(tǒng)效能。艾司摩爾(ASML)資深市場(chǎng)策略總監(jiān)Boudewijn Sluijk表示,VR/AR、自動(dòng)駕駛、5G、大數(shù)據(jù)及AI等,持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,為滿足各式應(yīng)用、資料傳輸,以及演算法需求,芯片效
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EUV光刻機(jī)需求強(qiáng)勁：ASML超應(yīng)用材料成全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)

用了將近30年的時(shí)間，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML（阿斯麥）終于要超過Applied Materials（美國應(yīng)用材料公司），成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)。
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ASML單價(jià)近一億美元EUV光刻機(jī)訂單已達(dá)10臺(tái)

　　2010年浸潤式微米光刻機(jī)臺(tái)設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進(jìn)40納米工藝的天險(xiǎn)，隨著缺貨問題解決，ASML針對(duì)20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機(jī)臺(tái)，目前已有10臺(tái)訂單在手，預(yù)計(jì)2012年將正式交貨;不過，對(duì)于資金拮據(jù)的DRAM廠，1臺(tái)要價(jià)近1億美元的EUV機(jī)臺(tái)，將會(huì)是更大的資金挑戰(zhàn)，目前僅瑞晶下單訂購1臺(tái)，藉以確保20納米工藝的參賽權(quán)?！?/li>
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