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瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄碜訫CU的控制信號(hào)，并將這些信號(hào)傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 柵極驅(qū)動(dòng)IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計(jì)
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因?yàn)镚aN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達(dá)到更高的效率、更好的熱性能和更簡(jiǎn)單的開關(guān)拓?fù)洹Ｔ谄囶I(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長(zhǎng)，而這正是所有電動(dòng)汽車消費(fèi)者最關(guān)心的問題?，F(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動(dòng)力汽車
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN EV逆變器
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