elpida 文章 進(jìn)入elpida技術(shù)社區(qū)
爾必達(dá)擬在臺(tái)發(fā)行TDR 籌措新臺(tái)幣43.2億元
- 彭博信息(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)指出，全球第3大DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃來臺(tái)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR)，募資約123億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣43.2億元)，作為次世代DRAM制程所需的研發(fā)資金之用，而爾必達(dá)亦將成為首家來臺(tái)發(fā)行TDR的日本業(yè)者。 據(jù)悉，爾必達(dá)擬發(fā)行2億單位的TDR;2月18日將敲定確切的發(fā)行價(jià)格。 另據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo)，在發(fā)行TDR的同時(shí)，爾必達(dá)亦計(jì)劃增發(fā)1,000萬股新股，新股發(fā)行后，爾必達(dá)的股數(shù)將增為2.16億股左右。 報(bào)導(dǎo)提到，爾必達(dá)透過發(fā)行T
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爾必達(dá)2010年第四季度大虧3.6億美元
- 存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)公布2010會(huì)計(jì)年度第3季財(cái)報(bào)(2010年10~12月)，受存儲(chǔ)器價(jià)格大跌拖累，爾必達(dá)第3季大虧296億日?qǐng)A(約3.6億美元)。 2010 會(huì)計(jì)年度第3季爾必達(dá)營(yíng)收為970.7億日?qǐng)A，較前1年同期的1,510.1億日?qǐng)A大幅萎縮36%，第3季凈損為296億日?qǐng)A，較前1年同期凈賺 210.5億日?qǐng)A大幅惡化。此外，爾必達(dá)第3季的虧損較路透(Reuters)調(diào)查、分析師預(yù)估的凈損161.7億日?qǐng)A還大。 爾必達(dá)虧損龐大的主因?yàn)镈RAM價(jià)格崩盤，受個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求
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Elpida 和Spansion開始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存
- Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲(chǔ)器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術(shù)在Elpida的廣島廠進(jìn)行量產(chǎn)。 按公司的說法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAND在更簡(jiǎn)單的單元結(jié)構(gòu)下可以作到尺寸更小，同時(shí)功能更強(qiáng)，讀出速度更快及可編程速度更快。 Elpida計(jì)劃把NAND閃存與移動(dòng)RAM結(jié)合一起銷售移動(dòng)消費(fèi)類產(chǎn)品。除此之外，Spansion正開發(fā)用于嵌入式及選擇無線市場(chǎng)的NAND，以及繼
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爾必達(dá)財(cái)報(bào)亮眼 7月Mobile RAM導(dǎo)入40納米
- 日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá) (Elpida)29日公布2010年第1季(會(huì)計(jì)年度4-6月)財(cái)報(bào)，單季營(yíng)收為1,763億日?qǐng)A(約20.28億美元)，較上一季增加28%，較 2009年同期增加103%，單季毛利率為35%，凈利為307億日?qǐng)A(約3.52億美元)，較上一季小幅下跌，但較2009年同期大幅增加75%。 爾必達(dá)第1季位元成長(zhǎng)率(Bit Growth)為8%，預(yù)計(jì)第2季目標(biāo)可達(dá)5~10%，全年的位元成長(zhǎng)率維持45%目標(biāo)不變，2010年資本支出為1,150億日?qǐng)A。 爾必達(dá)2010年積極搶占Mo
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Immersion機(jī)臺(tái)缺貨 臺(tái)DRAM廠改采購舊機(jī)種應(yīng)急
- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后，浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機(jī)種上，交期幾乎拉到快12個(gè)月，使得2010年才下訂單的臺(tái)系DRAM廠苦等多時(shí);存儲(chǔ)器業(yè)者透露，爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)開始轉(zhuǎn)向采購舊機(jī)種XT:1950i應(yīng)急。然美光(Micron)陣營(yíng)則認(rèn)為，舊機(jī)種頂多用到40奈米制程就是極限，不像新機(jī)種NXT:1950i可以一路做到30奈米。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在進(jìn)入50奈米以下制程，都必須開始用Immersion Scanner，此機(jī)
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DRAM廠制程轉(zhuǎn)換不順 新產(chǎn)能變數(shù)多
- 近期DRAM市場(chǎng)供需雜音多，由于終端需求前景不明，7月合約價(jià)不見起色，仍持續(xù)往下修正，加上隨著40和50納米制程微縮導(dǎo)致產(chǎn)能增加，進(jìn)而壓抑價(jià)格走勢(shì)，然值得注意的是，目前各家DRAM廠在40和50納米世代轉(zhuǎn)換不順消息頻傳，新產(chǎn)能是否能如期出籠仍存變量，因此，第3季DRAM價(jià)格還有多少修正空間，目前仍處于混沌狀態(tài)。 DRAM業(yè)者表示，自從PC大廠祭出降低DRAM搭載率策略后，原本供給吃緊的DRAM市場(chǎng)頓時(shí)松動(dòng)，原本搭配4GB模塊被砍到僅搭配2GB，等于少掉50%的DRAM產(chǎn)能消耗量，加上歐洲債信問題
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聯(lián)電、爾必達(dá)第2階段合作朝交叉持股進(jìn)行
- 邏輯和DRAM技術(shù)跨產(chǎn)業(yè)合作大戲正式登場(chǎng)，聯(lián)電、爾必達(dá)(Elpida)攜手開發(fā)TSV技術(shù)的簽約儀式將于21日召開記者會(huì)對(duì)外宣布;值得注意的是，業(yè)界透露，雙方技術(shù)合作僅是第1階段，未來第2階段考慮以交叉持股的方式，讓雙方的合作關(guān)系更為緊密，因此聯(lián)電為引進(jìn)策略聯(lián)盟伙伴而辦理的私募案，爾必達(dá)將是口袋人選之一。 聯(lián)電、爾必達(dá)和力成將于今日針對(duì)TSV技術(shù)舉行簽約儀式，這是近年來邏輯和存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域罕見的跨產(chǎn)業(yè)大合作，爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄過去是聯(lián)日半導(dǎo)體(UMCj)的總經(jīng)理，因此爾必達(dá)與聯(lián)電雙
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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成宣布聯(lián)手開發(fā)TSV 3D IC技術(shù)
- 隨著半導(dǎo)體微縮制程演進(jìn)，3D IC成為備受關(guān)注的新一波技術(shù)，在3D IC時(shí)代來臨下，半導(dǎo)體龍頭大廠聯(lián)華電子、爾必達(dá)(Elpida)和力成科技將于21日，一起召開記者會(huì)對(duì)外宣布共同開發(fā)矽穿孔(TSV) 3D IC制程。據(jù)了解，由聯(lián)電以邏輯IC堆疊的前段晶圓制程為主，爾必達(dá)則仍專注于存儲(chǔ)器領(lǐng)域，而力成則提供上述2家公司所需的封測(cè)服務(wù)，成為前后段廠商在 TSV 3D IC聯(lián)手合作的首宗案例。 爾必達(dá)、力成和聯(lián)電將于21日在聯(lián)電聯(lián)合大樓舉行技術(shù)合作協(xié)議簽訂記者會(huì)。據(jù)了解，3家公司的董事長(zhǎng)、執(zhí)行長(zhǎng)和技術(shù)長(zhǎng)
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爾必達(dá)中國(guó)大陸設(shè)廠將引發(fā)新一輪DRAM戰(zhàn)火
- 繼三星電子(Samsung Electronics)宣布巨額資本支出計(jì)畫后，爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄亦表示，最快將在2012年前與臺(tái)系DRAM廠到大陸設(shè)新廠房，并將邀請(qǐng)大陸政府官方入股。業(yè)界推測(cè)爾必達(dá)落腳之處有兩個(gè)選項(xiàng)，其一是茂德的重慶渝德廠旁空地，其二是2008年?duì)柋剡_(dá)與蘇州創(chuàng)投原本要合建12寸晶圓廠和發(fā)用地，坂本幸雄所指合作的臺(tái)系DRAM廠，茂德雀屏中選機(jī)率相當(dāng)高。不過，茂德對(duì)此表示不方便評(píng)論。 DRAM產(chǎn)業(yè)好不容易走出崩盤的跌價(jià)陰霾，但各廠才開始賺錢，再度展現(xiàn)積極投入擴(kuò)產(chǎn)的豪情壯
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投資高潮下有隱患
- SEMI于6月1日公布全球半導(dǎo)體投資的報(bào)告，之前曾預(yù)測(cè)2010年增長(zhǎng)60%，而如今已修正為增長(zhǎng)117%，從2009年的163億美元，到2010年的355億美元(把分立器件的投資計(jì)在內(nèi))，如扣除分立器件為335億美元，增長(zhǎng)115.7%。 誰在積極擴(kuò)充產(chǎn)能 去年全球半導(dǎo)體業(yè)處于減投資時(shí)期，今年產(chǎn)業(yè)受需求增長(zhǎng)及價(jià)格上升的雙重夾攻的影響，許多公司宣布積極的擴(kuò)張策略，所以在2010年投資中有部分仍是為技術(shù)升級(jí)，但也有許多為了擴(kuò)充產(chǎn)能。 如果依類別看，全球代工與2009年相比，其2010年安裝產(chǎn)
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爾必達(dá)獲利持續(xù)成長(zhǎng) 今年資本支出增加163%
- 日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)和子公司瑞晶12日同步公布2010年1~3月財(cái)報(bào)，爾必達(dá)單季營(yíng)收為1,475億日?qǐng)A，毛利率36.8%，營(yíng)運(yùn)獲利持續(xù)成長(zhǎng)，達(dá)337億日?qǐng)A;爾必達(dá)表示，2010年資本支出將達(dá)1,150億日?qǐng)A，較2009年增加163%，2010年位元成長(zhǎng)率將達(dá)45%;瑞晶首季營(yíng)收則是新臺(tái)幣121.58億元，稅后獲利40.81億元，換算每股稅后1.39元。 爾必達(dá)受惠DRAM價(jià)格上揚(yáng)，12日公布2009年財(cái)報(bào)(會(huì)計(jì)年度為2009年4月1日~2010年3月31日)的獲利持續(xù)成長(zhǎng)，而20
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茂德出售竹科12寸廠 爾必達(dá)旺宏受益
- 茂德以新臺(tái)幣85億元價(jià)格將茂德位于竹科12寸晶圓廠Fab-2(未來將成為旺宏的Fab-3)出售予旺宏電子。茂德售廠所獲得新臺(tái)幣85億元資金中，估計(jì)約有25億~30億元將用于償還銀行債務(wù)，減輕償債壓力。由于茂德另一12寸廠位于中科的Fab-3制程僅為75nm，欠缺競(jìng)爭(zhēng)力，因此茂德售廠后獲得資金將可提升其Fab-3，并于2010年第4季增加產(chǎn)出。 因茂德替爾必達(dá)(Elpida)代工，故在 DRAM市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)中，爾比達(dá)將是主要受益者;另一方面，旺宏在ROM及NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)近一年來，因NOR
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爾必達(dá)CEO看好DRAM市場(chǎng) 重申6億美元的年度資本開支預(yù)算
- 爾必達(dá)(Elpida Memory Inc.)總裁兼首席執(zhí)行長(zhǎng)阪本幸雄(Yukio Sakamoto)上周五表示，目前個(gè)人電腦市場(chǎng)的內(nèi)存芯片需求十分強(qiáng)勁，而今年的全球供應(yīng)有可能低于需求。 阪本幸雄在臺(tái)灣舉行的新聞發(fā)布會(huì)上對(duì)記者表示，今年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片的全球產(chǎn)能可能增長(zhǎng)30%-40%，但需求增幅有可能高達(dá)50%-60%。 爾必達(dá)與臺(tái)灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)上周五還共同宣布，雙方將擴(kuò)大合作，生產(chǎn)用于數(shù)字消費(fèi)電子產(chǎn)品和移動(dòng)設(shè)備的DRAM芯片。
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爾必達(dá)釋配貨權(quán)力晶獲瑞晶產(chǎn)能 然DRAM現(xiàn)貨供應(yīng)恐減少
- 盡管爾必達(dá)(Elpida)與力晶之間買回瑞晶股權(quán)爭(zhēng)議還未達(dá)成協(xié)議，但在DRAM產(chǎn)能分配上已先獲得共識(shí)，力晶已超過1年未向瑞晶拿貨，近期與爾必達(dá)協(xié)商成功，4月起重獲瑞晶產(chǎn)能分配權(quán)，未來每月將多出2.4萬片產(chǎn)能挹注，爾必達(dá)則要求力晶12寸廠代工比重要提升50%，且力晶自瑞晶所取得配貨權(quán)，多數(shù)要再回銷給爾必達(dá)來供應(yīng)PC客戶，未來該陣營(yíng)釋放至現(xiàn)貨市場(chǎng)DRAM貨源，恐將進(jìn)一步短缺。 爾必達(dá)與力晶分別對(duì)瑞晶持股 64%和34%，目前瑞晶12寸晶圓廠產(chǎn)能8萬片，2大股東可按照持股比例，獲得同等的瑞晶產(chǎn)能分配，
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