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【供應(yīng)商亮點(diǎn)】Everspin與Lucid Motors攜手,將MRAM技術(shù)集成至Gravity SUV車型
- Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)解決方案的美國企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作,在Lucid即將推出的Gravity電動運(yùn)動型多用途車中使用其PERSYST MRAM產(chǎn)品。Everspin旗下PERSYST產(chǎn)品線中的一款256Kb串行MRAM產(chǎn)品——MR25H256A,將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號,是因為它能夠在較寬
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Everspin科技推出業(yè)界首款16Mb MRAM
- 磁性隨機(jī)存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM, 進(jìn)一步強(qiáng)化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。現(xiàn)在,所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應(yīng)用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性優(yōu)勢的MRAM技術(shù)。 Everspin科技公司首席運(yùn)營官Saied Tehrani表示:“Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合,以協(xié)助更多客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖,我們將不斷提高M(jìn)R
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磁阻式隨機(jī)存儲器將挑戰(zhàn)閃存
- 磁阻式隨機(jī)存儲器(MRAM)將優(yōu)于快閃記憶體(Flash閃存)?飛思卡爾半導(dǎo)體正試圖證明這一點(diǎn)。 根據(jù)消息,飛思卡爾半導(dǎo)體(前摩托羅拉公司芯片部門)周一宣布,它已經(jīng)獲得了幾個風(fēng)險投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨(dú)立技術(shù)公司,側(cè)重于研發(fā)制造MRAM(磁阻式隨機(jī)存儲器),其目的是為了“擴(kuò)大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場份額”。 MRAM與快閃記憶體不同,它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高
- 關(guān)鍵字: MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
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